o> BD 233 - BD 235 - BD 237 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: Features: @ Hohe Spitzenleistung @ High peak power @ Verlustleistung 25 W @ Power dissipation 25 W @ Gepaart lieferbar @ Matched pairs available @ BD 233, BD 235, BD 237 sind komple- @ BD 233, BD 235, BD 237 are comple- mentar zu BD 234, BD 236, BD 238 mentary to BD 234, BD 236, BD 238 Abmessungen in mm Dimensions in mm Kollektor mit metallischer Montageflache verbunden Collector connected with metallic surface Zubehr Accessories rm Normgehause i ai Case leolatieoncee or Best. Nr. 119880 42 A3 DIN 41869 JEDEC TO 126 (SOT 32) Unterlegscheibe Gewicht - Weight Washer 3,2 DIN 125A max. 08g Absolute Grenzdaten BD233 BD235 BD237 Absolute maximum ratings Kollektor-Basis-Sperrspannung UcBO 45 60 80 Vv Collector-base voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung UcEo 45 60 80 Vv Collector-emitter voltage Emitter-Basis-Sperrspannung UVEBo 5 Vv Emitter-base voltage B 2/V.2.422/0477 A2 53BD 233 - BD 235 - BD 237 Kollektorstrom Io 2 A Collector current Kollektorspitzenstrom Tom 6 A Collector peak current Basisstrom Tp 1 A Base current Gesamiverlustleistung Total power dissipation tcase = 25C Prot 25 WwW Sperrschichttemperatur fj 150 C Junction temperature Lagerungstemperaturbereich stg 55...+150 C Storage temperature range Anzugsdrehmoment My") 70 Nem Tightening torque lease = 25C ly ) mit M3-Schraube und Unterlagscheibe with screw M3 and washer 3,2 DIN 125A 54BD 233 - BD 235 - BD 237 Warmewiderstande Thermal resistances Sperrschicht-Umgebung Junction ambient Sperrschicht-Gehause Junction case KenngrBen Characteristics lamb = 25C Kollektorreststrom Collector cut-off current Ucp = 45V BD 233 Ugg = 60V BD 235 Ucp = 80V BD 237 Emitterreststrom Emitter cut-off current Kollektor-Basis-Durchbruchspannung Collector-base breakdown voltage Ig = 100 yA BD 233 BD 235 BD 237 Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage Ig = 100mA Kollektor-Sattigungsspannung Collector saturation voltage lo = 1A, Ip = 100mA Basis-Emitter-Spannung Base-emitter voltage UcE = 2V. lo =1A Kollektor-Basis-Gleichstromverhaltnis DC forward current transfer ratio Uce = 2V, Io = 150mA Uce = 2ViIG = 1A Fir Paare gilt das Appe-Verhaltnis Are matched pair ratio UcE = 2V, Io = 150 mA4) Transitfrequenz Gain bandwidth product Uce = 10 V, Io = 250 mA, f= 1 MHz 4 1) B = 0,01, tp = 0,3ms BD 233 BD 235 BD 237 Rina Rthuc TcBO IcBo IcBo TeBO UBR)CBO UprycBo UprycBO UpBryceo*) UBr)ceo*) Upryceo*) UcEsat *) Upe*) Are) Are) ST Min. Typ. Max. 100 5 100 100 100 1 45 60 80 45 60 80 600 13 40 25 1,4 3 C/W C/W mA <<< mV MHz 55BD 233 - BD 235 - BD 237 FE 100 10 1 0,01 0,1 1A 56