general purpose, amplification, switching - metal case : ope . oe commutation, amplification, usage gnral WN AL Zz @ boftier mtal THOMSON-CSF Type Maximum Characteristics at 25C ratings NPN PNP | Ptot |VcEO h21e / Ic | VCE (sat) / Ic/Ig fr |C22n] Fe | toft Case 1KHz min max max min | max | max | max (mw) | (Vv) (mA) (Vv) (mA) (MHz) | (nF) | (dB) } (ns) BC 140 800 40 40 250(1) | 100 1 1000/100 50 25 850 BC 141 800 60 40 250(1) | 100 1 1000/100 50 25 850 BC 160 800 40 40 250(1) }-100 1 1000/100 50 30 650 BC 161 800 60 40 250(1) | 100 1 1000/100 50 30 650 BC 211 800 40 40 250(1) |-150 1 1000/100 50 25 850 BC211A 800 60 40 250(1) | 150 1 1000/100 50 25 850 BC 313 800 40 40 250(1) [150 1 1000/100 50 30 650 BC 313A] 800 60 40 250(1) |. 150 1 1000/100 50 30 > 650 BC 301 850 60 40 240 150 0,5 150/ 15 BC 302 850 45 40 240 150 0,5 150/ 15 BC 303 850 60 40 240 150 0,65 150/ 15 BC 304 850 45 40 240 450 0,65 150/ 15 BFY 50 800 35 30 150. 0,2 150/ 15 60 12 360 BFY 51 800 30 40 150 0,35 150/ 15 50 12 360 BFY 52 800 20 60 150 0,35 150/ 15 50 12 360 BFY 56A 800 55 40 120 150 1 1000/00 60 25 800 |, BSX 45 5000 (2)} 40 40 250(1) [100 1 1000/100 50 25 13,58 | 850 BSX 46 5000 (3)}} -60 40 250(1) [100 1 1000/100 50 20 | 3:58 ].850 | c 8 BSV 15 {| 3200 (4){ 40 40 250(1) [100 1 500/ 25 50 30 650 BSV 16 | 3200 (5)) 60 40 250(1) |: 100 1 500/ 25 50 30 650 7039 BSY 51 800 25 40 120 150 08 150/ 15 10 BSY 52 800 25 | 100 300 150 0,8 150/ 15 10 BSY 53 800 30 40 120 150 0.6 150/ 15 10 BSY 54 800 30} 100 300 150 0,6 150/ 15 10 BSY 55 800 80 40 120 150 0,6 150/ 15 10 BSY 56 800 so { 100 300 150 0,6 150/ 15 10 BSY 82 900 18 | 100 300 150. 0,25 150/ 15 15 BUY 49S 1000 | 200 40 500 1,1 500/ 50 50 35 1300 _ Typical value (1): Several ho, groups available (2) Tease = 25C 3=Vce <6V (3) Tease = 25C Vege <7V _ New product * Valeur typique " Plusieurs groupes haz disponibles (4) Tcase = 60C Vice <6V (5) Tease = 60C Veg <7V * Nouveau produit e e low current fast switching metal case . . . ALT f commutation rapide faible courant boitier mtal Type Maximum Characteristics at 25C ratings NPN PNP Prot | VcEO hoiE / Ic | VcE (sat) / Ic/ip | fr | C22n] ton] ts | Case VcER* toff min max max min max | max] max (mW) (Vv) (mA) {v) (mA) [(MHz)] (pF) {ns) | (ns) 2N 706 300 20* 20 40 0,6 10/ 1} 200 6 ft 60* 2N 706 A 300 15 20 60 10 0,6 10/ 1 | 200 5 |-40- 7 75 2N 753 300 15 40 120 10 0,6 10/ 1] 200 5 | 40 75 A2N 708 360 15 30 120 10 0,4 10/ 1} 300 6 12,5}. 25* 2N 743 300 12 20 60 10} 0,35(6) 10/1] 280 5 | 16 24 2N 744 300 12 40 120 10 0,35 (6) + 10/ 1] 280 5 16.1 24 A2N 914 360 15 30 120 10] 0,7 200/20 | 300 6 | 40. | 40 E 5 A2N 2368 360 15 20 60 10.) 0,25 10/ 1} 400 4 P42 4 15 c A2N 2369 360 15 40 120 4054 0,25 10/ 1] 500 4 12] 18 TO 18 2N 2369 A 360 15 40 120 10 | 0,25 30/ 3] 500 4 12 $18" 2N 2894 360 12 40 150 | 30] 02 30/ 3] 400 6 | 60 4-90. A: Devices under CCQ/CCT - Dispositifs soumis au CCO/CCT (6) Tamb = 170C 58