SPL BG81, SPL BG94, SPL BG98
Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor
Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor
2003-03-05 1
Besondere Merkmale
Unmontierter Laserbarren
Hoch-effiziente MOVPE Quantenfilmstruktur
Zuverlässiges kompres siv verspanntes
InGa(Al)As/GaAs Material
Standard-Wellenlängenselektion von ±3nm
Andere zentrale Pulswellenläng en auf Anfrage
Lötbare p- und n-seitige Metallisierung
940nm/980nm Al-freie aktive Zone
Anwendungen
Empfohlen für CW - Anwendungen mit aktiver
Flüssigkeitskühlung
Pumpen von Festkörperlasern
Direkte Materialbearbeitung
Erwärmen, Beleuchten
Medizinische Anwendungen
Druckanwendungen
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
Features
Un-mounted monolithic linear array
High-efficiency MOVPE-grown quantum-well
structure
Highly reliable strained-layer
InGa(Al)As/GaAs material
Standard wavelength selection is ±3nm
Other pulse wavelengths are available upon
request
Solderable p- and n-side metallization
940nm/980nm Al-free active region
Applications
Recommended for CW - applications with
active liquid cooling
Pumping solid-state lasers
Direct material processi ng
Heating, illumination
Medical applications
Printing applications
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non-visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
found in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
2003-03-05 2
SPL BG81, SPL BG94,SPL BG98
Typ
Type Leistung1)
Power1) Wellenlänge2)
Wavelength2) Bestellnummer
Ordering Code
SPL BG81-9 40 801 nm Q62702-P1654
SPL BG81-9S 40 801 nm Q62702-P5503
SPL BG94-9 40 934 nm Q62702-P1733
SPL BG94-2S 50 932 nm Q62702-P5507
SPL BG98-2S 50 972 nm Q65110-A0739
1) Empfohlene Leistung s et zt einen thermisc hen Widerstan d Rth < 0.5 K/W v oraus.
Recommenden optical power implies thermal resista nc e R th < 0.5 K/ W .
2) Mittlere Wellenlänge bei 1 µs Pulsbreite und 4 kHz Wiederholfrequenz eines unmontierten Barren. Andere
Wellenlängen auf Anfrage erhältlich.
Pulsed p eak wave length at 1 µs pulse w idth and a t 4 kHz repet ition rate re fer to meas uremen t on an un- mounted
laser bar. Other wavelength are available upon request.
Kennwerte (TA = 25 °C)1)
Characteristics1)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Typ
Type Wert
Values Einheit
Unit
min. typ. max.
Empfohlene Ausgangsleistung
Recommended output power Pop BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
40
40
40
40
40
40
40
40
50
50
50
60
50
60
60
W
Zerstörgrenze
Catastrophic optical damage limit PCOD BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
150
150
150
150
150
200
250
200
250
250
-
-
-
-
-
W
Schwellstrom
Threshold current Ith BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
-
-
-
-
-
16
12
12
12
10
20
16
15
15
13
A
Betriebsstrom @ Pop,typ
Operating current @ Pop,typ
Iop BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
-
-
-
-
-
53
47
50
58
58
60
54
57
65
65
A
SPL BG81, SPL BG94,SPL BG98
2003-03-05 3
Differentielle Quanten-Effizienz
Differential quantum efficiency ηBG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
1.00
1.00
0.95
0.95
0.95
1.10
1.15
1.05
1.10
1.05
-
-
-
-
-
W / A
Gesamter Konversionswirkungsgrad
@ Pop,typ
Total conversion efficiency
@ Pop,typ
ηtot BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
38
45
38
49
49
43
50
45
54
54
-
-
-
-
-
%
Strahldivergenz schne lle Achse
Vollwinkel (1/e²) @ Pop,typ
Beam divergence fast-axis
full angle (1/e²) @ Pop,typ
θBG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
-
-
-
-
-
70
65
70
65
65
75
70
75
70
70
Grad
deg.
Strahldivergenz langsame Achse
Vollwinkel (1/e²) @ Pop,typ
Beam divergence slow-axis
full angle (1/e²)@ Pop,typ
θII BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
-
-
-
-
-
12
9
12
9
9
15
12
15
12
12
Grad
deg.
Zentrale Impulswellenlänge
Standard pulse peak wavelength λpulse BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
798
798
931
929
969
801
801
934
932
972
804
804
937
935
975
nm
Spektrale Breite (Halbwertsbreite)
Spectral width (FWHM) ∆λ BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
-
-
-
-
-
3
3
3
3
3
5
5
5
5
5
nm
TE Polarisation
TE Polarization PTE BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
-
-
-
-
-
90
90
95
95
95
-
-
-
-
-
%
Kennwerte (TA = 25 °C)1)
Characteristics1)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Typ
Type Wert
Values Einheit
Unit
min. typ. max.
2003-03-05 4
SPL BG81, SPL BG94,SPL BG98
1) Alle Kenn- und Grenzwerte beziehen sich auf Pulsmessungen (1 µs Pulsbreite bei 4 kHz Wiederholfrequenz) an
unmontierten Barren. Die Erzielung der spezifizierten Werte im CW Modus (Dauerstrichbetrieb) setzen eine
geeignete Montagetechnik mit einem thermischen Widerstand Rth < 0.5 K/W voraus. Die zentrale
Emissionswellenlänge im Betrieb ist Ab hängig von Betriebsmodus: CW Betri eb (Dau erstr ichbe t rieb) oder I m puls,
Betriebst emperat ur, thermi scher Wide rstand Rth un d ist in aller Regel höhe r als die spez ifizierte Imp ulswellenlänge
(1 µs Pulsbreite bei 4 kHz Wiederholfrequenz). Alle Parameter können im jeweiligen Betriebsmodus von den
spezifizierten Kennwerten abweichen.
All characteristics and limitations refer to pulsed measurements (1 µs pulse width at 4 kHz repetition rate) on
un-mou nted laser ba rs. All spec ified value s in CW - M ode (con tinous wave) implies a suitable m ounting tec hnology
with ther mal resist ance Rth < 0.5 K/W. The operating peak emissio n wavelen gth depen ds on the operating mode:
CW or puls ed, am bient t emperature , thermal res istance Rt h. The opera ting peak emission wav elength in general is
higher then the specified pulsed peak wavelength (1 µs pulse width at 4 kHz repetition rate). All characteristics
obtaine d in th e operating mode may differ from the charac t eris t ics specified herein.
Dimensionen
Dimensions
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
min. typ. max.
Emitteranzahl
Number of emitters n-25-
Einzelne Emitterbreite
Single emitter aperture width w- 200 - µm
Emitterabstand
Emitter pitch p- 400 - µm
Packungsdichte
Fill-factor F-50- %
Barrenbreite
Bar width W9,9 10 10,1 mm
Barrenhöhe
Bar height H105 115 125 µm
Resonatorlänge
Resonator length BG 81-9
BG 81-9S
BG 94-9
BG 94-2S
BG 98-2S
L890
890
890
1190
1190
900
900
900
1200
1200
910
910
910
1210
1210
µm