NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICIUM, EPITAXIAUX 2N 706 A 2N 753 - Small signal amplification Amplification petits signaux - Low current fast switching Commutation rapide faible courant Maximum power dissipation VcEo 15V (10 mA) {20-60 2N 706 A haq_(10 m: 40-120 2N753 fr 200 MHz ~~ min Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-6 dernires pages Prot (Ww) 0,8 cc} E a8 B 0,4 Bottom view 0,2 Vue de dessous T oc) (1) 0 ae (2) Weight : 0,329 Collector is connected to case o 60 100 160 200 Tease Masse Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T. = +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires) 2N 706A 2N753 Collector-base voltage Veso 25 25 Vv Tension collecteur-base Collector-emitter voltage = Vv Tension collecteur-metteur Ree = 100 CER 20 20 Vv Collector-emitter voitage Vv, Tension collecteur-metteur cEO 18 15 Vv Emitter-base voltage Vego 5 5 V Tansion metteur-bese Collector current lo 50 mA Courant collecteur = 25 Power dissipation Tamb em) Prot 9,3 93 w Dissipation de puissance Tease = 25C (2) 1 1 Junction temperature max T. 175 175 c Temprature de jonction J Storage temperature min Tstq 65 65 C Temprature de stockage max +175 +175 C 76-01 1/6 THOMSON-CSF (OMISION SEMICONOUCTEURS: 812N 706 A, 2N 753 STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb ~ {Sauf indications contraires) Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg = 18V 0,003 0,5 HA le =0 Collector-base cut-off current Veg = 25V 'cBo 10 pA Courant rsiduel collecteur-base e =0 Veg = 15 VT CB amb 30 A Ip =0 | 10C x Collector-emitter cut-off current Vog = 20V cER 10 HA Courant rsidue! collecteur-metteur Reg = 100 kQ Emitter-base cut-off current Veg =5V lego 10 pA Courant rsiduel metteur-base 1 c = 0 Coilector-emitter breakdown voltage Ree = 102 VipR)CER* 20 Vv Tension de claquage collecteur-metteur lo =10mA Collector-emitter breakdown voltage Ig = 10mA ViBricEC 15 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Ip =0 Static forward current transfer ratio Voce =1 Vv hoe 2N 706A! 20 60 Valeur statique du rapport de transfert = direct du courant ie = 10mA 2N 753 40 120 Collector-emitter saturation voltage Ip =1mA VeEsat 0.15 06 Vv Tension de saturation collecteur-metteur lq =10mA . , Base-emitter saturation voltage Ig =1mA Veesat 0,7 09 Vv Tension de saturation bese-metteur Ip =10mA sa , DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} iti Vog =10V 2N 706A} 200 420 Franation equency ig =10ma | tr Mite f = 100 MHz 2N 753 200 450 Vog =5V Output capacitance ip =0 Coob 35 5 pF in de sorti Capacit de sortie ' =1MHz SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION . | =10mA Turn-on time 7 c tyg+t 12,5 40 ns Temps total dtablissement (fig. 1) |g, =3mA d* lo =10mA Turn-off time : I =3mA t 30 75 ns Temps total da coupure (fig. 1) B1 m st ty Ipg ~-1mA , lg ~10ma 2N 706 A 10 25 Carrier storage time (fig. 2) Igy *10mA t, ns Retard a la dcroissance Igo =~ 10 mA 2N 753 15 35 * Pulsed tp =300us 8 < 2% impulsions 2/6 822N 706 A, 2N 753 SWITCHING TIMES TESTS CIRCUITS SCHEMAS DE MESURES DES TEMPS DE COMMUTATION Figure 1 Generator Gnrateur Z = 502 tr < 1ns VeB on Turn-on time High impedance oscilloscope Oscilloscope & haute impdance Vag = +17V Vv; =-20V 90 % Turn-off time Temps total dtablissement Temps total de coupure . High impedance oscilloscope Figure 2 Oscilloscope & haute impdance Generator Gnrateur Z = 502 t, < Ins Signal from generator Signal du gnrateur 10 V: Signal at point A +6 Signal au point A 3/6 832N 706 A, 2N 753 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 2N 706 A oa = 3 = a < ma $s 'e 2N 706 A Tamb = 26C 40 20 0 1 2 3 4 VoglV} (mA) 7 2N 763 = O | 1 | nN [ones _ L- 107 A A om | 5 0,98 mA _ 0 5 10 15 Vogl) Ve (ma) [2N 753 Tambo 45C 80 40 0 1 2 3 4 Vogtv) 4/6 842N 706 A, 2N 753 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 2N 706 A 180 100 50 z 468 2 468 2 468 12 4 68 2 468 2 46 107 10 10! Igimal 1971 a 10! Igima v 2N 706 A v) 2N 753 0,4 0,3 0,2 0,1 Q 8 2 68 2 468 2 4468 10"! 10 10" Igimal 10"! 10 10! igtma) 8/6 852N 706 A, 2N 753 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES Cob (pF) 2N 706 A 2N 753 Ip =0 6 4 2 0 5 10 18 Vogiv) tet (ns) ins). ns 2N 706 A ns 8 2N 753 8 8 VBEblocage 2v 6 4 4 20 Ig N 2 2 10 Ip 10! 10! 8 8 6 6 4 4 2 2 10 10 10 10 6/6 86