NPN SILICON TRANSISTOR, HOMOBASE 2N 4347 TRANSISTOR NPN SILICIUM, HOMOBASE - LF large signal power amplification Amplification de puissance de grands signaux BF - Thermal fatigue inspection VcEO 120 V Contrle en fatigue thermique 1 BA c Prot 100 W Reh (j-c) 1,75 C/W ho1E(2 A) 15 - 60 Dissipation derating Case TO.3 See outline drawing CB-19 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages Variation de dissipation Bottom view Vue de dessous E 100 % { 75 + XY 50 \ a 25 \ 3 1 Weight : 14,4 g. Collector is connected to case so 100 150 teagelC) Masse Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) tease = 25C {Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION ise (Saut indications contraires} Collector-base voltage Tension collecteur-base Veo 140 Vv Coilector-emitter voltage Tension collecteur-metteur VcEo 120 Vv Collector-emitter voltage _ Tension collecteur-metteur Ree = 100 % Ve ER 130 Vv Collector-emitter voltage =_ Tension collecteur-metteur Vee 15V VoEex 140 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base VeBo 7 Vv Collector current \ Courant collecteur c 5 A Peak collector current _ Courant de erte de collecteur to = 100 ms om 10 A Base current Courant base Ip 3 A Power dissipation _ Dissipation de puissance tease = 25C Prot 100 Ww Junction temperature ; : Temprature de jonction max. y 200 Cc Storage temperature min. t ~65 C Temprature de stockage max. stg +200 74-5 1/6 THOMSON - CSF ORSON SEMICONDUCTEURS 3612N 4347 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES toasa = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de rnesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Vog = 100 Courant rsidue! collecteur-metteur lp =0 IcEO 200 mA Vege =125V CE . 2 mA Vag =tav Collector-emitter cut-off current { Courant rsiduet collecteur-metteur Vog = 125 V CEX Veg =15V 10 mA tease = 150C Emitter-base cut-off current Veg =7V Courant rsiduel metteur-base Ic =0 leBo 5 mA Collector-emitter breakdown voltage Iq = 200mA Vv * Tension de claquage collecteur-metteur Ig = 0 CEQ(sust 120 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ip = 100mA * Tension de claquage collecteur-metteur Rpg = 1002 VCERIsus) 130 v Coltector-emitter breakdown voltage Iq = 100 mA Vv * 140 Vv Tension de claquage collecteur-metteur VB E= -1,5V CEX(sus) Veg =4V . , oe oA 15 60 Static forward current transfer ratio Cc = + Valeur statique du rapport de fert Noe direct du courant Voce =4V Ig =5A 10 Ig =2A Ip =O0,2A 1 Vv Collector-emitter saturation voltage , Vv * Tension de saturation callecteur-metteur Ig =5A CEsat Ip = 0,63 A 2 Vv In =2A 2 Vv Base-emitter voltage Vice =4V Vou * Tension base-dmetteur lc =BA BE Vor =4V 3 Vv Voge = 60 V Second breakdown collector current t als I | A Courant collecteur de second claquage ~ s/B tease = 100C DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} ; ' Veg = 10 ransition frequency oo Frquence de transition 'c =1A ft 0,8 MHz f =1MHz Puised impulsions ty = 300 us <2% 26 3622N 4347 THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rsistance thermique {jonction-boitier} Reh(j-c} 1,75 | C/W SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 20 0,5 0,2 0,1 50 100 200 500 Voe) THERMAL FATIGUE INSPECTION Permanent inspection of soldering quality between silicon chip and header provides maximum insurance against thermal fatigue. Pulsed test : 10 000 cycles on' : 2 minutes (0 > 48 W) "off: Iminute (48>0W) t = 100C max case At, = 85C max case CONTROLE EN FATIGUE THERMIQUE Le contrhle permanent de fa qualit de la soudure entre la pastille de silicium et l'embase confre au transistor un maxi- mum de garantie contre la fatigue thermique. Contrdle cyclique : 3/6 3632N 4347 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR EMITTER VOLTAGE Courant colfecteur en fonction de fa tension 1 collecteur-metteur Cc (A) (Vv) COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE Tension collecteur-metteur en fonction de la rsistance base-metteur Vv h ce (v) 140 130 120 110 400 40? (a) 2 10 Rge 5 2 10 + 21E COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension collecteur-metteur 20 40 Vop WI STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du couranten fonction du courant coflecteur 80 20 2 468 10 1 2 4 4/6 3642N 4347 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE VOLTAGE EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- Courant collecteur en fonction de fa tension 4metteur base-metteur ( M4 Vv Vv iS cme m = A) L case 6 LCE Vag =4V 6 4 4 2 2 10 8 2 6 4 10 2 8 6 1 10 8 4 6 4 2 2 10 10" 0 8605 1 15 2 Vee} 0 8605 1 15 2 Vogl) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Tension de saturation base-metteur en v fonction du courant collecteur v. fonction du courant collecteur CEsat BEsat (v) (Vv) fa c =10 i= 10 8B 2 2 15 15 1 1 05 05 5 9 2 4 68 2 4 6 10 10"! 10 ig (Al 5/6 3652N 4347 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES QUTPUT CAPACITANCE VERSUS TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING COLLECTOR-BASE VOLTAGE FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Capacit de sortie en fonction de ia Facteur de rduction de Ja rsistance thermique en tension collecteur-base rgime dimpulsions CG. , 22b (pF) 3 6 4 ~ NY 2 wr 10? 2 4 6 2 8 2 8 2 6 2 6 Voce (V) 10 10% 10? 19 10 eg) 8/6 366