VACUUMSCHMELZE
DATENBLATT / Specification
Sach Nr.:
Item no.: T60404-N4644-X040
K-Nr.:
K-no.: 400 A - Stromsensor-Modul / Current Sensor Module (Comatel Connector) Datum:
Date: 24.05.2002
Kunde:
Customer Typenelement/Standard type Kd. Sach Nr.:
Customers part no.: Seite 1 von 6
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Hrsg.: KB-FB FT Bearb:
Bd.
KB-PM B: Dö.
freig.: HH.
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Schadenersatz. Alle Rechte für den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten
Maßbild siehe Blatt 2 :
Mechanical outlines page 2
Anschlußschema:
Schematic diagram
+ UB
- UB
ia
i1+
+
-
Ra Ca
+
M
1
3
4
2
Betriebsdaten/Charakteristische Daten (Richtwerte):
Operational data/characteristic data (nominal values):
Nennstrom i
1Neff = 400 A
Rated current
Nennausgangsstrom i
aNeff = 80 mA
Output current
Nennübersetzungsverhältnis K
N
= (1) : 5000
Transformation ratio
Überstrom (Ra < 18 Ω)) î1max = ± 625 A
Over current (Ra < 18 Ω )
PositiverVersorgungsstrom im Leerlauf I
Bo+ < 18 mA
Positive supply current
Negativer Versorgungsstrom im Leerlauf I
Bo- < 2 mA
Negative supply current
Versorgungsspannung (± 12 V ±5% bei eingeschränktem î1max) U B = ± 15 V ±5%
Supply voltage (± 12 V ±5% with limited î1max)
Maximale Versorgungsspannung (ohne Fkt.) U
Btot = ±18 V
Maximum supply voltage (without function)
Abschlußwiderstandsbereich R
a
= 0...200 Ω
Load resistance
Umgebungstemperatur T
U
= -40...+85 °C
Ambient temperature
Differenzieller Innenwiderstand R
id > 10 kΩ
Differential interal resistance
Weitere Vorschriften:
Applicable documents: Gehäuse- und Spulenkörperwerkstoff UL-gelistet.
Housing and bobbin material UL-listed
Datum Name Index Änderung
24.05.02 HH. 83 Maßbild aktualisiert.
03.03.00 Bd. 83 Leiterplatte geändert (Nutzentrennung umgestellt). Grundplatte mit verzinnten Stiften.
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Sach Nr.:
Item no.: T60404-N4644-X040
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K-no.: 400 A - Stromsensor-Modul / Current Sensor Module (Comatel Connector) Datum:
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Customer Typenelement/Standard type Kd. Sach Nr.:
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Maßbild (mm): Freimaßtoleranz DIN ISO 2768-c
Mechanical outline General tolerances
1
2
3
4
4,5
12,5
4,5
37,5
≤56
≤26
≤46 35
≤56
25,45
13±0,5
(16,55)
0,5
30
F DC
DC=Date Code
F=Factory
Toleranz der
Befestigungs-
raster ±0,5mm
Tolerance of
mounting holes
Stecker:
(Connector)
Comatel-Buchsenleiste
Serie 478-xxxx-1044X0
12,1
(gemessen am Boden
der Steckerschutzwände)
5,2
Optimale Position des Rückleiters für kurze Ansprechzeiten ist eine seitliche Rückführung des Primärleiters in Höhe
des Innenlochs.
Optimal position of the return conductor for short response time is alongside at the same height as the inner hole.
4644X040 F DC
Beschriftung:
inscription
Anschlüsse:
Connections:
Stifte 0,64 x 0,64mm
verzinnt
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Customer Typenelement/Standard type Kd. Sach Nr.:
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Prüfung: (V:100%-Test; AQL...:DIN ISO 2859-Teil 1)
Inspection
1) (V) Ausgangsstrom (Ra = 20 Ω) i
a
(400 A) = 80 mA ± 0,5 %
Output current (Ra = 20 Ω)
2) (V) Offsetstrom I
O
≤ 0,15 mA
Offset current
3) (V) M3014: Prüfspannung (50 Hz, 2 s) U
p,eff = 6 kV
Test voltage (50 Hz, 2 s) C
u
- Schiene im Mittelloch gegen Pin1...Pin4
C
u
-bar in the center hole to Pin1...Pin4
4) (AQL 1/S4) M3024: Glimmaussetzspannung U
TA,eff ≥ 1770 V
Partial discharge C
u
- Schiene im Mittelloch gegen Pin1...Pin4
C
u
-bar in the center hole to Pin1...Pin4
Messungen nach Temperaturangleich der Prüflinge an Raumtemperatur
Measurements after temperature balance of the samples at room temperature
020406080100120 140 160180
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
R
a
200
U B =±15V
U B
=±12V
Ω
A
N1 i1
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Charakteristische Daten (Richtwerte) des Stromsensormoduls ermittelt durch eine Typprüfung
General data ascertained by type test
Meßgenauigkeit bei Raumtemperatur F
i
< 0,5 %
Measuring accuracy at room temperatur
Linearität F
Li < 0,1 %
Linearity
Temperaturdrift von Fi (-40...+85°C) F
Ti < 0,2 %
Temperature drift of Fi (-40...+85°C)
Frequenzbereich (bei eingeschränkter Amplitude) f = DC...50** kHz
Frequency range (with limited amplitude)
Ansprechzeit τ < 3** µs
Response time
Verzögerungszeit bei î1max bei einem Stromanstieg von di/dt = 100 A/µs ∆t (î1max, 100 A/µs) < 1** µs
Delay time at î1max with a current rise of di/dt = 100 A/µs
Offsetstrom (beinhaltend Io, ∆Iot, ∆IoT) I
oges < 0,3 mA
Offset current (including Io, ∆Iot, ∆IoT)
Offsetstrom bei Raumtemperatur I
o
< 0,15 mA
Offset current at room temperature
Drift von Io ∆I
ot < 0,1 mA
Offset current drift
Temperaturdrift von Io (-40...+85°C) ∆I
oT < 0,2 mA
Offset current temperature drift (-40...+85°C)
Hysterese von Io ∆I
oH < 0,05 mA
Hysteresis of Io
Offsetripple (s.Blatt 5) i
oss < 0,5 mA
Offset ripple (s. page 5)
Versorgungsspannungsdurchgriff auf Io ∆I
o
/∆U
B < 0,01 mA/V
Supply voltage rejection ratio
Maximal mögliche Koppelkapazität primär - sekundär C
k
< 15 pF
(bei nichtisoliertem das Innenloch voll ausfüllendem Primärleiter)
Maxiimum possibble coupling capacitance (primary - secondary)
(with not isolated the the hole completely filling primary conductor)
Ausgangsstörgleichstrom I
aSt < 0,1 mA
Interference output current
Kritischer Abstand bei einem Störimpuls a
Krit < 25 cm
Critical distance with an interference pulse current
Spannungsfestigkeit (gültig nach DIN VDE 0160, für Isolierklasse I,
Verschmutzungsgrad 2 und verstärkte Isolierung)
Dielectric strength (with DIN VDE 0160: material group I, pollution degree 2, reinforced insolution)
Prüfspanung (50 Hz, 1 min) U
p,eff* = 5 kV
Test voltage (50 Hz, 1 min)
Bemessungsspannung für Kriechstrecke (DIN VDE 0160) U
is,eff* ≤ 2000 V
Working voltage (DIN VDE 0160)
Bemessungsspannung für Luftstrecke (DIN VDE 0160) Û
is* ≤ 2000 V
Working voltage (DIN VDE 0160)
Netz- Nennspannung gegen Erde für Luftstecke (DIN VDE 0160) U
N,eff* ≤ 690 V
Rated mains voltage vs. earth (DIN VDE 0160)
Anwendungsklasse nach DIN 40040 Feuchteklasse E erfüllt
(Applicability tested by IEC 68-2-30: test Db)
Lagertemperaturbereich T
L
= -40 ... +85°C
Storage temperature range
Masse m < 135 g
Masse
Stromrichtung: Ein positiver Meßstrom erscheint am Anschluß i a, wenn der Primärstrom in Pfeilrichtung fließt.
Current direction: A positiv output current appears at point ia by primary current in direction of the arrow.
*Die Spannungsfestigkeit gilt am separaten Bauelement zwischen Primärleiter und den Stiften 1...4.
The dielectric strength is valid between primary conductor and pin 1...4.
** Bei seitlicher Rückführung des Primärleiters in Höhe des Innenlochs.
With return conductor alongside at the same height as the inner hole.
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Mögliche Offsettripple-Verringerung durch Tiefpaß:
Avariable offset ripple reduction means of a low pass:
Der Offsettripple kann durch einen externen Tiefpaß verringert werden . Dazu muß parallel zu Ra eine Kapazität Ca geschaltet
werden. Die Abbildung zeigt den verbleibenden Wert des Offsetripples (ioss(Ra . Ca)) bezogen auf den Wert ohne externe Kapazität
(ioss). Hierbei wird allerdings die Ansprechzeit verlängert. Sie berechnet sich nach der Formel:
The offset ripple can be reduced by an external low pass. Therefore a capacitance Ca must be switched parallel to Ra. The diagram shows the remaining
value of the offset ripple (ioss(Ra . Ca)) relative to the value without external capacitance (ioss). In this case the response time is lengthened. It is calculated
from:
1
τ
a
≤ τ + 2,5 . Ra . Ca bzw. fg = --------------------
2π . Ra . Ca
Beispiel: ioss (Ra . Ca)
Example: -------------------- = 25%
ioss
R
a
= 47 Ω; C
a
= 100 nF
τ
a
≤ 21 µs; f
g
= 34 kHz
100
10
10,1 110100
R
a
* C
a
[µs]
ioss (Ra ∗ Ca)
ioss
[%]
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Erläuterung einiger in den Tabellen verwendeter Größen (alphabetisch)
Explanation of several of the terms used in the tablets (in alphabetical order)
aKrit: Abstand eines störstromführenden Leiters von der Gehäuseseitenflaäche, bei dem auch an ungünstiger Stelle die
zugeordnete Störgröße am Ausgang des Sensos 1% des Nennstroms nicht übersteigt. Den Angaben liegt ein
sinusförmiger Störimpuls mit einer Impulsbeite von 50 µs in Höhe des Nennstroms zugrunde.
Distance of a current carring conductor from the sides of the housing, where even at the most unfavourable spot the applicable interference at the
sensor output does not exeed 1% of rated current. The data is based on a sinusoidal interference pulse
current with a pulse width of 50 µs having the same magnitude as the rated current.
Fges(i1):Die Summe aller möglichen Fehler im gesamten Temperaturbereich bei der Messung eines Stroms i1:
The sum of all possible errors over the temperature range when measuring a current i1:
ia (i1)
F
ges = 100 • ---------------- - 1
KN . i1
Fi: In der Ausgangsprüfung zugelassener Meßfehler bei RT, definiert durch
Permissible measurement error in the final inspection at RT, defined by
Ia
F
i
= 100 • ----------- - 1
iaNeff
wobei Ian der offsetbereinigte Ausgangsgleichstromwert für einen Eingangsgleichstrom in Höhe des (positiven)
Nennstroms ist (d.h. Io = 0 )
where Ian is the output DC value of an input DC current of the same magnitude as the (positive) rated current (Io = 0)
I1 Ia
FLi: Linearitätsfehler definiert durch FLi = 100 • --------- - ---------
I1Neff Ian
Dabei ist I1 beliebiger Eingangsgleichstrom und Ia die zugehörige offsetbereinigte Ausgangsgröße (d.h. Io = 0). Ian
s. Erläuterung zu Fi.
Where I1 is any input DC and Ia the corresponding output term. Ian see notes of Fi (Io = 0).
FTi: Temperaturdrift der nennwertbezogene Ausgangsgrößen Ian (vgl. Erläuterung zu Fi) im spezifischen
Temperaturbereich, gegeben durch.
Temperatur drift of the rated value orientated output term. Ian (cf. Notes on Fi) in a specified temperature range, obtained by:
I
an (TU2 ) - Ian (TU1)
F
Ti = 100 • -------------------------------------
iaNeff
IaSt: Ausgangsgleichstrom hervorgerufen durch einen Störgleichstrom in Höhe des Nennstroms in einem Leiter in 1 cm
Abstand von der Gehäuseseitenfläche (ungünstige Lage).
Output DC current caused by an interfering DC current of the same magnitude as the rated current in a conductor 1 cm away from the sides of
the housing (unfavourable position).
∆IoH: Nullpunktabweichung nach Übersteuerung mit Gleichstrom des 4-fachen Nennwerts. (Ra = RaN)
Zero variaton after overloading with a DC of fourfold the rated value. (Ra = RaN)
∆Iot: Langzeitdrift von Io nach 100 Temperaturwechseln im Bereich von -40 bis 85 °C.
Long term drift of Io after 100 temperature cycles in the range -40 to 85 °C.
τ: Ansprechzeit, gemessen als Verzögerungszeit bei i1 = 0,9 . î1 zwischen einem eingespeisten Rechteckstrom
und dem dazugehörigen Ausgangsstrom.
Response time, measured as delay time at i1 = 0,9 . î1 between a rectangular current i1 and the output current ia
∆t (î1max, 100 A/µs): Verzögerungszeit zwischen î1max und dem dazugehörigen Ausgangsstrom ia bei einem
Stromanstig des Primärstroms von di1/dt = 100 A/µs.
Delay time between î1max and the output current ia with a primary current rise of di1/dt = 100 A/µs.
