PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE BD 234 TRANSISTORS SILICIUM PNP, BASE EPITAXIEE BD 236 BD 238 Compl. of BD 233, 235, 237 PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE These transistors are intended for complemen- tary or quasi complementary symetry ampli- ~45V BD 234 | fiers : audio driver, audio cutput stages up to VcEo 60 V BD 236 10 W, convergence and vertical deflexion -80 V BD 238 circuits in TV receivers. Ic 2A Ces transistors sont destins aux amplificateurs a symtrie complmentaire ou quasi complmentaire : Prot 25 W 6tages driver, tages de sortie BF jusqua 10 W, Circuits de convergence et de cviation verticale en Rth(j-c) 5 C/W max tlvision. hoqg(-1 A) 25 min fT 3 MHz min Dissipation and Is/g derating Plastic case TO-126 See outline drawing CB-16 on last pages Variation de dissipation et de !5/g Boitier plastique Voir dessin cot CB-16 dernires pages 100% ! | NN, 78 J | sve sot | \ Nir 25 Weight: 0,7g Collector is connected to metal part of case Q 50 100 150 tog salC) Masse Le collecteur est reli & la partie mtallique du boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES} 4 = 25C (Unless otherwise stated} VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Sauf indications contraires) BD 234 BD 236 BD 238 Collector-base voltage Vv _, _ Tension collecteur-base cBO 45 60 100 Vv Collector-emitter voltage Voge o 45 ~60 80 Vv Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage Roe = 1k Vv. _ _ _ Tension collecteur-metteur a CER 45 60 400 v Emitter-base voltage Tension metteur-base VEBo + 5 5 v Collector current i _ _ ~ Courant collecteur Cc 2 2 2 A Peak collector current ty = 20 ms tom 6 6 6 A Courant de crte de collecteur Base current { y _ Courant base B 0,5 05 0,5 A Power dissipation _ Pp Dissipation de puissance tease 26C tot 25 25 25 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max J 180 150 150 c Storage temperature min Tet ~55 5 55 C Temprature de stackage max 9 +150 +150 +150 C 74-10 4 THOMSON - CSF orayon seaconevereuts, 479 SONS CtBD 234, BD 236, BD 238 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Saut indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veq = 45V' cB _ ip =0 BD 234 100 BA Vep = -60V Co BO 236 100 BA tg =0 Vep = 100V ce = BD 238 100 uA Collector-base cut-off current Vv 45y t " cB = CBO Courant rsiduel collecteur-beso le _0 BD 234 3 mA toga = 150C Veg = 60V ie = BD 236 3 mA tease = 150C Vep =~ 100V le = BD 238 3 mA tease = 150 Emitter-base cut-off current Veg =75V { _ Courant rsiduel metteur-base { . =Q EBO 1 mA 4) 45 Vv Collector-emitter breakdown voltage lo = 100 mA Vv * oD oe 60 Vv Tension de claquage collecteur-metteur lp =O CEO(sus) 2 3 Y BD 238 (0 Vee =72V Io =ntA 28 Static forward current transfer ratio * Valeur Statique du rapport de fert hoy E direct du courant V =-2V BD 234 40 250 io" O11 A BD 236 | 40 250 Gc 7 BD 238 | 40 160 Colector-emitter saturation voltage le =ulA Vv * Tension de saturation collecteur-metteur Ip =0,1A CEsat 06 v Base-emitter voltage Voge =72V Vv _ Tension base-metteur le = 1V BE 13 Vv *Pulsed ty = 300 us 6 <2% En impuilsions 2/4 480BD 234, BD 236, BD 238 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smail signals) t = 25C (Uniess otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) case {Saut indications contraires} Test conditions jf Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vap =710V Transition frequency cE - Frquence de transition le = 0,25 A fy 3 MHz f = 1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermat resistance . Rsistance thermique (jonction-boitier) Renij-c) 5 ciw SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit Continuous (-mmsmsume } Continu Pulsed (aeawncene) dmpulsions 1 2 5 10 20 50 Voetv) 34BD 234, BD 236, BD 238 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en rgime dimpulsions 10? 5 5S 2 5 2 6 2 wo 0% *103 10? 107 t, (see) 4/4