Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0
www.infineon.com 2016-10-24
F3L300R07PE4P
EconoPACK™4モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロール4diode内蔵and
pressFIT/すでに塗布されたサーマルグリース
EconoPACK™4modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/
pre-appliedThermalInterfaceMaterial
暫定データ/PreliminaryData
J
VCES = 650V
IC nom = 300A / ICRM = 600A
一般応用 TypicalApplications
3レベル アプリケーション 3-level-applications
電気的特性 ElectricalFeatures
650Vに増加したブロッキング電圧 Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V
拡張された動作温度Tvjop ExtendedoperatingtemperatureTvjop
Tvjop=150°C Tvjop=150°C
トレンチIGBT4 TrenchIGBT4
正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧 VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
機械的特性 MechanicalFeatures
4kVAC1分 絶縁耐圧 4kVAC1mininsulation
強いメカニカルロバストネス Highmechanicalrobustness
内蔵されたNTCサーミスタ IntegratedNTCtemperaturesensor
絶縁されたベースプレート Isolatedbaseplate
標準ハウジング Standardhousing
すでに塗布されたサーマルグリース Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
Datasheet 2 V2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V
コレクタ電流
Implementedcollectorcurrent ICN 300 A
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent TH = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom 280 A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 600 A
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage IC = 280 A, VGE = 15 V
IC = 280 A, VGE = 15 V
IC = 280 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,50
1,65
1,70
1,75 V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage IC = 4,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,00 5,80 6,50 V
ゲート電荷量
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG3,00 µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,0
入力容量
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 18,5 nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,57 nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 280 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,0
td on 0,09
0,11
0,12
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload IC = 280 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,0
tr0,05
0,06
0,06
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 280 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,0
td off 0,49
0,52
0,53
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload IC = 280 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,0
tf0,05
0,07
0,07
µs
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse IC = 280 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 3300 A/µs (Tvj = 150°C)
RGon = 2,0 Eon
1,30
1,90
2,40
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse IC = 280 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 150°C)
RGoff = 2,0 Eoff
13,0
16,0
17,0
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
短絡電流
SCdata VGE 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 1500
1200
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
tP 10 µs,
tP 10 µs,
ジャンクション・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontoheatsink IGBT部(1素子当り)/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,250 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 3 V2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V
順電流
Implementedforwardcurrent IFN 300 A
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent IF280 A
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 600 A
電流二乗時間積
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 6000
5600 A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
順電圧
Forwardvoltage IF = 280 A, VGE = 0 V
IF = 280 A, VGE = 0 V
IF = 280 A, VGE = 0 V
VF
1,50
1,45
1,40
1,90 V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent IF = 280 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
IRM
130
190
200
A
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
逆回復電荷量
Recoveredcharge IF = 280 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Qr
9,00
20,0
23,0
µC
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
逆回復損失
Reverserecoveryenergy IF = 280 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Erec
3,25
5,90
6,80
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ジャンクション・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,369 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
ダイオード、スリー・レーベル/Diode,3-Level
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V
順電流
Implementedforwardcurrent IFN 300 A
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent IF280 A
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 600 A
電流二乗時間積
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 6000
5600 A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
順電圧
Forwardvoltage IF = 280 A, VGE = 0 V
IF = 280 A, VGE = 0 V
IF = 280 A, VGE = 0 V
VF
1,50
1,45
1,40
1,90 V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent IF = 280 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V IRM
130
190
200
A
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
逆回復電荷量
Recoveredcharge IF = 280 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V Qr
9,00
20,0
23,0
µC
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
逆回復損失
Reverserecoveryenergy IF = 280 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V Erec
3,25
5,90
6,80
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ジャンクション・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 0,369 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 4 V2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
暫定データ
PreliminaryData
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
定格抵抗値
Ratedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 k
R100の偏差
DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 R/R -5 5 %
損失
Powerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW
B-定数
B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-定数
B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-定数
B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4,0 kV
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate Cu
内部絶縁
Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
沿面距離
Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 25,0
12,5 mm
空間距離
Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,0
7,0 mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule LsCE 45 nH
保存温度
Storagetemperature Tstg -40 125 °C
最大ベース・プレート動作温度
Maximumbaseplateoperationtemperature TBPmax 125 °C
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 6,00 Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque 取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,0 - 6,0 Nm
質量
Weight G 400 g
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet 5 V2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
440
480
520
560
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
440
480
520
560
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE [V]
IC [A]
5 6 7 8 9 10 11 12
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
440
480
520
560
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=2,RGoff=2,VCE=300V
IC [A]
E [mJ]
0 80 160 240 320 400 480 560
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
Datasheet 6 V2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=280A,VCE=300V
RG []
E [mJ]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
5
10
15
20
25
30
35
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
t [s]
ZthJH [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
ZthJH : IGBT
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,018
0,000644
2
0,0681
0,0248
3
0,133
0,108
4
0,0309
0,813
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=2,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A]
0 100 200 300 400 500 600 700
0
100
200
300
400
500
600
700
IC, Chip
IC, Modul short path
IC, Modul long path
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
440
480
520
560
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Datasheet 7 V2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=2,VCE=300V
IF [A]
E [mJ]
0 80 160 240 320 400 480 560
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=280A,VCE=300V
RG []
E [mJ]
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
t [s]
ZthJH [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
ZthJH : Diode
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,0289
0,000362
2
0,0947
0,0192
3
0,193
0,0861
4
0,0524
0,662
順電圧特性ダイオード、スリー・レーベル(typical)
forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
440
480
520
560
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Datasheet 8 V2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
暫定データ
PreliminaryData
過渡熱インピーダンスダイオード、スリー・レーベル
transientthermalimpedanceDiode,3-Level
ZthJH=f(t)
t [s]
ZthJH [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
ZthJH : Diode
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,0289
0,000362
2
0,0947
0,0192
3
0,193
0,0861
4
0,0524
0,662
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
TNTC [°C]
R[]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
Rtyp
Datasheet 9 V2.0
2016-10-24
F3L300R07PE4P
暫定データ
PreliminaryData
回路図/Circuitdiagram
J
パッケージ概要/Packageoutlines
TrademarksofInfineonTechnologiesAG
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TrademarksupdatedNovember2015
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Edition2016-10-24
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