SFH 313
SFH 313 FA
Semiconductor Group 1 1997-11-27
.
Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 460 n m bis 1080 nm (SFH 313)
und bei 880 nm (SFH 313 FA)
●Hohe Linearität
●5 mm-Plastikbauform
Anwendungen
●Computer-Blitzlichtgeräte
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm (SFH 313) and of
880 nm (SFH 313 FA)
●High linearity
●5 mm plastic package
Applications
●Computer-controlled flashes
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
SFH 313
SFH 313 FA
Maße i n mm, w enn nicht ander s an gegeben/Dimensions in mm , unless otherwise sp ec ified.
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29
27
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Cathode (Diode) Chip position
GEX06260
Approx. weight 0.5 g
Collector (Transistor)
fexf6626 fex06626
Semiconductor Group 2 1997-11-27
SFH 313
SFH 313 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
SFH 313
SFH 313-2
SFH 313-3
Q62702-P1667
Q62702-P1751
Q62702-P1752
SFH 313 FA
SFH 313 FA-2
SFH 313 FA-3
Q62702-P1674
Q62702-P1753
Q62702-P1754
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
TS260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s
TS300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter volta ge VCE 70 V
Kollektorstrom
Collector current IC50 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 100 mA
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage VEC 7V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 200 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 375 K/W
SFH 313
SFH 313 FA
Semiconductor Group 3 1997-11-27
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 313 SFH 313 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 870 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ460 ... 1080 740 ... 1080 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A 0.55 0.55 mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area L×B
L×W1×11×1mm×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H5.1 ... 5.7 5.1 ... 5.7 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±10 ±10 Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance CCE 15 15 pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 10 V, E = 0
ICEO 10 (≤ 200) 10 (≤ 200) nA
Fotostrom
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
IPCE
IPCE
≥ 2.5
30 ≥ 2.5
–mA
mA
Semiconductor Group 4 1997-11-27
SFH 313
SFH 313 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Bezeichnung
Description Symbol Wert
Value Einheit
Unit
-1 -2 -3 -4
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE 2.5 ... 5 4 ... 8 6.3 ... 12.5 ≥ 10 mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ
tr, tf8101214µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitte r saturation
voltage
IC = IPCEmin1) ×0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat 150 150 150 150 mV
OHF02330
02040 60 80 100 12
0
0.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
SFH 313
SFH 313 FA
Semiconductor Group 5 1997-11-27
TA = 25 °C, λ = 950 nm
Rel.spectral sensitivitySFH 313,Srel=f(λ)
Photocurrent IPCE = f (TA),
VCE = 5 V, normalized to 25oC
Photocurrent IPCE=f (VCE)
E = parameter
Rel.spectr.sensitivity SFH 313FA,Srel=f(λ)
Photocurrent
IPCE =f (Ee), VCE = 5 V
Dark current
ICEO =f (TA), VCE = 10 V, E = 0
λ
OHF02332
0
rel
S
400
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
500 600 700 800 900 nm 1100
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0 25 50 75 100
Ι
PCE
PCE
Ι
25
C
V
OHF02336
CE
PCE
Ι
0
10
0
10 20 30 40 50 V 70
10
1
mA
0.5 mW
cm
2
2
cm
mW
1
2
cm
mW
0.25
0.1 mW
cm
2
2
10
λ
OHF02331
0
rel
S
400
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
500 600 700 800 900 nm 1100
E
OHF02337
e
PCE
Ι
10
0
-2
10
10
-1
1
10
mA
10
-3 -2
10
0
10mW/cm
2
10
2
T
OHF02342
A
0
CEO
Ι
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
nA
20 40 60 80 100˚C
Dark current, ICEO =f (VCE), E = 0
Collector-emitter capacitance
CCE =f (VCE), f= 1 MHz
Total power dissipation
Ptot =f (TA)
V
OHF02341
CE
0
CEO
Ι
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
nA
10 20 30 40 50 70V
V
OHF02344
CE
CE
C
0
10
-2 -1
10
0
10
1
10 10
2
V
10
20
30
40
pF
50
T
OHF02340
A
0
tot
P
0 20 40 60 80 ˚C 100
50
100
150
200
250
mW
