SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN
UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS
AND INFRARED EMITTERS
SAFETY INSTRUCTIONS
Osram Opto Semiconductor IREDs reach luminance/radiance levels approaching that of
filament lamps. Depending on the operating conditions (drive current, pulse duration, duty cycle,
optics, etc.) they may exceed the limits of class1, IEC 825.1/ EN 60825-1 *
)
considerably.
In order to minimize any risk of the damage to the human eyes, it is strongly recommended to
use lowest possible drive level,
use diffusing optics or diffused devices where possible,
avoid staring into powerful emitters,
use protective devices.
*) IEC 825.1 and EN 60825-1, resp. in the revision of July 1, 1994 lay down in class 1 extremely
low tolerance levels which are contested, in particular because they represent unexplained
contractions with other regulations and do not embrance other light sources such as
incandescent lamps, discharge lamps, etc. This may lead to changes of the tolerance levels
in the above referenced standards.
SICHERHEITSHINWEISE
Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T.
bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
EN60825-1 je nach Betriebsbedingungen (Strom, Pulslänge, Tastverhältnis, Zusatzoptik, etc.)
erheblich überschreiten.*
)
In jedem Fall empfehlen wir zur Minimierung der Augengefährdung:
möglichst niedrigen Betriebsstrom verwenden
wo immer möglich diffuse Bauelemente oder - Streuscheiben einsetzen
nicht in die Quelle schauen
Schutzeinrichtungen verwenden.
*) IEC 825.1 bzw. EN60825-1 in der Fassung vom Juli 1994 legen für RED in der Klasse 1 sehr
niedrige Grenzwerte fest, die umstritten sind, insbesondere weil Widersprüche zu anderen
Vorschriften nicht geklärt sind und weil obige Normen andere Lichtquellen wie Glühlampen
und Entladungslampen bzw. natürliche Quellen nicht erfassen. Dies kann zu einer weiteren
Anpassung obiger Normen führen.
2
3
SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS
UND IR-LUMINESZENZDIODEN AND INFRARED EMITTERS
1. Foto IC für Fernsteuerung 1. Photo IC for Remote Control 11
2. Fotodetektoren in SMT 2. Photodetectors in SMT
(Oberflächenmontage) (Surface Mount Technology) 11
2.1 SMT-Transistoren 2.1 SMT-Transistors 11
2.2 SMT-Dioden 2.2 SMT-Diodes 14
2.2.1 SMT PIN Fotodioden 2.2.1 SMT-PIN Photodiodes 14
2.2.2 SMT-PIN-Fotodioden mit Filter 2.2.2 SMT-PIN Photodiodes with Filter 14
2.2.3 SMT- Differenzdiode 2.2.3 SMT Differential Photodiode 15
3. Foto ICs 3. Photo ICs 15
3.1 Schmitt-Trigger 3.1 Schmitt-Trigger 15
3.2 Licht-Spannungswandler 3.2 Light to Voltage Converter 15
4. Fototransistoren 4. Phototransistors 16
4.1 Fototransistoren im Plastikgehäuse 4.1 Phototransistors in Plastic Package 16
4.1.1 im klaren Plastikgehäuse 4.1.1 in Clear Plastic Package 16
4.1.2 im Plastikgehäuse mit Filter für 880/950 nm IRED 4.1.2 in Plastic Package with Filter Matched for 880/950 nm IRED 16
4.2 Fototransistoren im Metallgehäuse 4.2 Phototransistors in Metal Package 17
4.3 Zeilen im klaren Plastikgehäuse bis zu 10 Transistoren 4.3 Arrays in Clear Plastic Package up to 10 Transistors 18
5. PN-Fotodioden 5. PN Photodiodes 18
5.1 im Plastikgehäuse 5.1 in Plastic Package 18
5.2 sperrstromarm 5.2 Low Reverse Current 19
6. Sehr schnelle PIN-Fotodioden 6 PIN Photodiodes
for High-Speed Applications 19
6.1 Sehr schnelle PIN-Fotodioden im Plastikgehäuse 6.1 PIN Photodiodes for High-Speed Applications in Plastic
Package 19
6.1.1 im klaren Plastikgehäuse 6.1.1 in Clear Plastic Package 19
6.1.2 im Plastikgehäuse mit Filter für 880 nm IRED 6.1.2 in Plastic Package with Filter Matched for 880 nm IREDs 20
6.1.3 im Plastikgehäuse mit Filter für 950 nm IRED 6.1.3 in Plastic Package with Filter Matched for 950 nm IREDs 21
6.2 Sehr schnelle PIN-Fotodioden 6.2 PIN Photodiodes for High-Speed Applications
im hermetisch dichten Metallgehäuse in Hermetically Sealed Metal Package 21
7. Fotodetektoren für spezielle 7. Photodetectors for Special
Anwendungen Applications 22
7.1 Blau-empfindliche Fotodiode 7.1 Blue-sensitive Photodiode 22
7.2 Fotodetektoren für den sichtbaren Bereich 7.2 Photodetectors for the Visible Range 22
7.2.1 Fotodiode für den sichtbaren Bereich (Vλ-Kurve) 7.2.1 Photodiode for the Visible Range (Vλ-Curve) 22
7.2.2 Fototransistor für den sichtbaren Bereich (Vλ-Kurve) 7.2.2 Phototransistor for the Visible Range (Vλ-Curve) 22
7.3 Großflächige PIN-Fotodiode 7.3 Large-Area PIN Photodiode 22
7.4 Zweifach-Fotodioden 7.4 Double Photodiodes 22
7.5 Ultraviolet empfindlicher Sensor 7.5 Ultraviolet Selective Sensor 23
8. Optische Sensoren 8. Optical Sensors
8.1 Gabellichtschranken 8.1 Slotted Interrupters 24
8.2 SMT-Reflexlichtschranken 8.2 SMT Reflective Sensors 25
SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS
UND IR-LUMINESZENZDIODEN AND INFRARED EMITTERS
4
SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS
UND IR-LUMINESZENZDIODEN AND INFRARED EMITTERS
1. Emitter in SMT 1. Emitters in SMT 28
2. Sehr schnelle Emitter 2. High-Speed High-Power Emitters 30
3. Emitter im Plastikgehäuse 3. Emitters in Plastic Package 31
4. Emitter im Metallgehäuse 4. Emitters in Metal Package 32
5. Miniatur-Emitter 5. Miniature Emitters 33
Lochblendenmessung Aperture measurement 34
Maßbilder Outline Drawings 35
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
5
TYPENÜBERSICHT (SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN)SUMMARY OF TYPES (SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS)
1. Foto IC für Fernsteuerung 1. Photo IC for Remote Control
SFH 5110 SFH 5111
2. Fotodetektoren in SMT
2.1.SMT-Transistoren
2. Photodetectors in SMT
2.1.SMT-Transistors
TOPLED®
SFH 320
SFH 320 FA
TOPLED® RG
SFH 3211
SFH 3211 FA
SIDELED®
SFH 325
SFH 325 FA
Multi TOPLED®
SFH 331 / SFH 7221 /
SFH 7225 / SFH 7226
SFH 3500
SFH 3505 SFH 3500 FA
SFH 3505 FA SFH 3400 / SFH 3401 / SFH 3410 SFH 3201
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
6
2.2.SMT-Fotodioden 2.2.SMT Photodiodes
BP 104 S / BPW 34 S BPW 34 S RG BP 104 FS / BPW 34 FS /
BPW 34 FAS BPW 34 FS RG /
BPW 34 FAS RG
SFH 2400
SFH 2400 FA SFH 2500
SFH 2500 FA SFH 2505
SFH 2505 FA KOM 2125
KOM 2125 FA
3. Foto ICs
3.1.Schmitt-Trigger
3. Photo ICs
3.1.Schmitt-Trigger
SFH 5440
SFH 5441 SFH 5140 F
SFH 5141 F SFH 5840
SFH 5841 SFH 5400
3.2.Licht-Spannungswandler 3.2.Light to Voltage Converter
SFH 5130
TYPENÜBERSICHT (SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN)SUMMARY OF TYPES (SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS)
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
7
4. Fototransistoren
4.1.im Plastik-Gehäuse
4. Phototransistors
4.1.in Plastic Package
SFH 309 / SFH 310
SFH 309 FA / SFH 310 FA SFH 309 P
SFH 309 PFA SFH 300 / SFH 313 / SFH 314
SFH 300 FA / SFH 313 FA /
SFH 314 FA
SFH 303
SFH 303 FA
LPT 80 A SFH 3100 F / SFH 3130 F
4.2.im Metall-Gehäuse 4.2.in Metal Package
BPY 62 / BPX 43 BPX 38 BP 103 / SFH 302
4.3.im Miniatur-Gehäuse 4.3.in Miniature Package / Arrays
SFH 305 BPX 81 BPX 83
TYPENÜBERSICHT (SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN)SUMMARY OF TYPES (SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS)
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
8
5. PN Fotodioden 5. PN Photodiodes
BPX 90
BPX 90 F BPW 33 BPX 63
6. Sehr schnelle PIN-Fotodioden 6. High-Speed PIN Photodiodes
BPW 34
BPW 34 F / BPW 34 FA / BP 104 F SFH 206 K SFH 229
SFH 229 FA SFH 203 / SFH 213 / SFH 214
SFH 203 FA / SFH 213 FA /
SFH 214 FA
SFH 203 P
SFH 203 PFA SFH 225 FA / SFH 235 FA SFH 205 F / SFH 205 FA SFH 204 F / SFH 204 FA
TYPENÜBERSICHT (SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN)SUMMARY OF TYPES (SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS)
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
9
SFH 216 BPX 65
7. Fotodetektoren für spezielle Anwendungen 7. Photodetectors for Special Applications
BPW 34 B BPW 21 / BPX 61 SFH 3410
SFH 221 BPX 48
BPX 48 F SFH 530
TYPENÜBERSICHT (SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN)SUMMARY OF TYPES (SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS)
OPTISCHE SENSOREN OPTICAL SENSORS
10
TYPENÜBERSICHT SUMMARY OF TYPES
8. Optische Sensoren
8.1.Gabellichtschranken
8. Optical Sensors
8.1.Slotted Interrupters
SFH 9300 SFH 9301 / SFH 9330 SFH 9302 SFH 9303
SFH 9304 SFH 9305 SFH 9306 SFH 9310
SFH 9340 / SFH 9341
Schmitt-Trigger SFH 9500 SFH 4110 / SFH 3100 F
8.2.SMT-Reflexlichtschranken 8.2.SMT Reflective Sensors
SFH 9201 / SFH 9202
Transistor Ausgang /
Transistor Output
SFH 9260 SFH 9240 / SFH 9241
Schmitt-Trigger
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
11
1. Foto IC für Fernsteuerung 1. Photo IC for Remote Control
TA = 25 °CTA = 25 °C
1) In Verbindung mit einer SFH 4510/4515 bei Betrieb mit IF = 500 mA wird eine Reichweite von ca. 30 m erreicht.
Together with an IRED SFH 4510/4515 under operating conditions IF = 500 mA an arrival distance of 30 m is possible.
2. Fotodetektoren in SMT 2. Photodetectors in SMT
(Oberflächenmontage) (Surface Mount Technology)
TA = 25 °CTA = 25 °C
Gehäuse
Package Typ
Type Frequenz
Frequency
f
kHz
Halbwinkel
Halfangle
ϕ
deg.
Min. Bestrahlungsstärke 1)
Min. threshold irradiance
Ee min
mW/m2
Ordering code Fig.
SFH 5110-30 30
± 50 horizontal
± 30 vertical 0.35 typ., 0.5 max.
Q62702-P5088
1
SFH 5110-33 33 Q62702-P5089
SFH 5110-36 36 Q62702-P5090
SFH 5110-38 38 Q62702-P5091
SFH 5110-40 40 Q62702-P5092
SFH 5111-30 30
± 50 horizontal
± 30 vertical 0.35 typ., 0.5 max.
Q62702-P5257
SFH 5111-33 33 Q62702-P5258
SFH 5111-36 36 Q62702-P5259
SFH 5111-38 38 Q62702-P5260
SFH 5111-40 40 Q62702-P5261
Package Type ϕ
deg.
Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (λ = 950 nm,
Ee = 0.1 mW/cm2,
VCE = 5 V)
µA
VCEO
V
λ10%
nm
tr,tf
(IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ)
µs
Ordering code Fig.
2.1 SMT-Transistoren 2.1 SMT-Transistors
TOPLED
SFH 320
± 60 0.045
16
35 420 1100
Q62702-P961
2
SFH 320-3 25 50 7 Q62702-P390
SFH 320-3/4 25 … 80 7/8 Q62702-P3602
SFH 320-4 40 … 80 8 Q62702-P1606
TOPLED
SFH 320 FA
± 60 0.045
16
35 740 1100
Q62702-P988
SFH 320 FA-3 25 50 7 Q62702-P393
SFH 320 FA-3/4 25 … 80 7/8 Q62702-P3601
SFH 320 FA-4 40 … 80 8 Q62702-P1607
TOPLED RG
SFH 3211
± 60 0.045
16
35 420 1100 8
Q62702-P5127
3
SFH 3211-3 25 50 on request
SFH 3211-3/4 25 … 80 on request
SFH 3211-4 40 … 80 on request
TOPLED RG
SFH 3211 FA
± 60 0.045
16
35 740 1100
on request
SFH 3211 FA-3 25 50 7 on request
SFH 3211 FA-3/4 25 … 80 7/8 on request
SFH 3211 FA-4 40 … 80 8 on request
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
12
SIDELED
SFH 325
± 60 0.045
16
35 420 1100
Q62702-P1638
4
SFH 325-3 25 50 7 Q62702-P1610
SFH 325-3/4 25 … 80 7/8 Q62702-P3604
SFH 325-4 40 … 80 8 Q62702-P1611
SIDELED
SFH 325 FA
± 60 0.045
16
35 740 1100
Q62702-P1639
SFH 325 FA-3 25 50 7 Q62702-P1614
SFH 325 FA-3/4 25 80 7/8 Q62702-P3603
SFH 325 FA-4 40 80 8 Q62702-P1615
Package Type Sender
Emitter λpeak
nm ϕ
deg. IV
mcd Ie
mW/sr VF
VOrdering code Fig.
Multi TOPLED
SFH 331-JK
635 ± 60 4...12.5 2.0 at IF = 20 mA
Q62702-P1634 5
Empfänger
Detector Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (λ = 950
nm, Ee =
0.1 mW/cm2,
VCE = 5 V)
µA
VCEO
V
λ10%
nm
tr,tf
(IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ)
µs
0.045 16 35 380... 1150 7
Package Type Sender
Emitter λpeak
nm ϕ
deg. IV
mcd Ie
mW/sr VF
VOrdering code Fig.
Multi TOPLED
SFH 7221
880 ± 60 4 1.5 at IF = 20 mA
Q62702-P1819 6
Empfänger
Detector Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (λ = 950
nm, Ee =
0.1 mW/cm2,
VCE = 5 V)
µA
VCEO
V
λ10%
nm
tr,tf
(IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ)
µs
0.045 16 35 380... 1150 7
Package Type Sender
Emitter λpeak
nm ϕ
deg. IV
mcd VF
VOrdering code Fig.
Multi TOPLED
SFH 7225
591 ± 60 125 typ. 2.0 at IF = 20 mA
on request 5
Empfänger
Detector Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (Ev =
1000 lx
Standard
light A
VCE = 5 V)
µA
VCEO
V
Crosstalk IPCE
(IF = 20 mA,
VCE = 5 V)
µA
0.045 650 typ. 35 850 typ.
Package Type Sender
Emitter λpeak
nm ϕ
deg. IV
mcd VF
VOrdering code Fig.
Multi TOPLED
SFH 7226
645 ± 60 70 typ. 2.0 at IF = 20 mA
on request 5
Empfänger
Detector Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (Ev =
1000 lx
Standard
light A
VCE = 5 V)
µA
VCEO
V
Crosstalk IPCE
(IF = 20 mA,
VCE = 5 V)
µA
0.045 650 typ. 35 850 typ.
Package Type ϕ
deg.
Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (λ = 950 nm,
Ee = 0.1 mW/cm2,
VCE = 5 V)
µA
VCEO
V
λ10%
nm
tr,tf
(IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ)
µs
Ordering code Fig.
2.1 SMT-Transistoren 2.1 SMT-Transistors (cont’d)
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
13
Package Type ϕ
deg.
Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (λ = 950 nm,
Ee = 0.1 mW/cm2,
VCE = 5 V)
mA
VCEO
V
λ10%
nm
tr,tf
(IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ)
µs
Ordering code Fig.
2.1 SMT-Transistoren 2.1 SMT-Transistors (cont’d)
SFH 3500
± 13 0.55
2.5 … 20.0
Ee = 0.5 mW/cm2
35 450 … 1060
Q62702-P5031
7SFH 3500-3/4 2.5 … 8.0 14/17 Q62702-P5205
SFH 3500-5/6 6.3 … 20.0 20/24 Q62702-P5206
SFH 3505
± 13 0.55
2.5 … 20.0
35 450 … 1060
Q62702-P5050
8SFH 3505-3/4 2.5 … 8.0 14/17 Q62702-P5207
SFH 3505-5/6 6.3 … 20.0 20/24 Q62702-P5208
SFH 3500 FA
± 13 0.55
2.5 … 20.0
35 740 … 1070
Q62702-P5032
7SFH 3500 FA-3/4 2.5 … 8.0 14/17 Q62702-P5201
SFH 3500 FA-5/6 6.3 … 20.0 20/24 Q62702-P5202
SFH 3505 FA
± 13 0.55
2.5 … 20.0
35 740 … 1070
Q62702-P5051
8SFH 3505 FA-3/4 2.5 … 8.0 14/17 Q62702-P5203
SFH 3505 FA-5/6 6.3 … 20.0 20/24 Q62702-P5304
SFH 3400 ± 60 0.55 0.063 … 0.32
Ee = 0.1 mW/cm2
20
70 (t < 2 min.) 460 … 1080 Q62702-P1796 9
SFH 3400-2/3 0.1 … 0.32 24/34 Q62702-P3605
SFH 3401
(mit Basisanschluß/
with base
connection) ± 60 0.55 0.063 … 0.32 20
70 (t < 2 min.) 460 … 1080 Q62702-P5014 10
SFH 3401-2/3 0.1 … 0.32 24/34 Q62702-P5200
SFH 3201
± 60 0.55
0.063 …0.32 20
70 (t < 2 min.) 460 … 1080
Q62702-P5043
11
SFH 3201-2/3 0.1 … 0.32 24/34 Q62702-P5209
SMT-Transistor (Vλ - Kurve) SMT-Transistor (Vλ - Curve)
SFH 3410 ± 60 0.29 > 0.0035
EV = 20 Lx
6.3 350 … 970 Q62702-P5160 12
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
14
Package Type ϕ
deg.
Radiant
sensitive
area
mm2
IP (λ = 950 nm,
Ee = 1 mW/cm2,
VR = 5 V)
µA
IR
(VR = 10 V)
nA
λ10%
nm
tr,tf
(VR = 20 V,
RL = 50 Ω)
ns
Ordering code Fig.
2.2 SMT-Dioden 2.2 SMT-Diodes
2.2.1 SMT PIN Fotodioden 2.2.1 SMT-PIN Photodiodes
BP 104 S ± 60 2.2 × 2.2 55 ( 40)
EV = 1000 lx
2 ( 30) 400 1100 10
Q62702-P1605 13
BPW 34 S
± 60 2.65 × 2.65 80 ( 50)
Q62702-P1602 14
BPW 34 S E9087
Reverse Gullwing Q62702-P1790 15
SFH 2400 ± 60 1 × 1 10 (> 5.5)
EV = 1000 Lx
1 ( 5)
VR = 20 V
400 … 1100 5 Q62702-P1794 16
SFH 2500 ± 15 1 × 1 70 (> 50)
λ = 870 nm
1 ( 5) 400 … 1100 5 Q62702-P5034 7
SFH 2505 ± 15 1 × 1 70 (> 50) 1 ( 5) 400 … 1100 5 Q62702-P5029 8
2.2.2 SMT-PIN-Fotodioden mit Filter 2.2.2 SMT-PIN Photodiodes with Filter
BP 104 FS ± 60 2.2 × 2.2 34 ( 25) 2 ( 30) 800 1100 10 Q62702-P1646 13
BPW 34 FS ± 60 2.65 × 2.65 50 ( 40) 2 ( 40) 800 1100 10 Q62702-P1604
14
BPW 34 FAS ± 60 2.65 × 2.65 50 ( 40)
λ = 870 nm
2 ( 30) 740 1100 10 Q62702-P463
BPW 34 FS E9087
Reverse Gullwing ± 60 2.65 × 2.65 50 ( 40)
λ = 950 nm
2 ( 30) 780 1100 20 Q62702-P1826 15
BPW 34 FAS E9087
Reverse Gullwing
λ = 870 nm
730 1100 Q62702-P1829
SFH 2400 FA ± 60 1 × 1 6.2 ( 3.6) 1 ( 5)
VR = 20 V
750 1100 5 Q62702-P5035 16
SFH 2500 FA ± 15 1 × 1 70 (> 50) 1 ( 5) 750 1100 5 Q62702-P1795 7
SFH 2505 FA ± 15 1 × 1 70 (> 50) 1 ( 5) 750 1100 5 Q62702-P5030 8
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
15
3. Foto ICs 3. Photo ICs
Package Type ϕ
deg.
Radiant
sensitive
area
mm2
IP
(EV = 1000 lx,
VR = 5 V)
µA
IR
(VR = 10 V)
nA
λ10%
nm
tr,tf
(VR = 10 V,
RL = 50 Ω)
ns
Ordering code Fig.
2.2 SMT-Dioden 2.2 SMT-Diodes (cont’d)
2.2.3 SMT- Differenzdiode 2.2.3 SMT Differential Photodiode
KOM 2125
± 60 4 (diode A)
10 (diode B)
40 ( 30) diode A
100 ( 75) diode B
5 (
30) diode A
10 (
30) diode B
400 1100
13 diode A
20 diode B
Q62702-K47
17
KOM 2125 FA
26 ( 20)
diode A,
70 ( 50)
diode B
λ = 870 nm,
Ee = 1 mW/cm2
750 1100 Q62702-P5313
Package Type ϕ
deg.
VCC
V
Switching thres-
hold Ee
(VCC = 5 V)
mW/cm2
λ10%
nm
IO
mA
tPHL/tPLH
µs
Ordering code Fig.
3.1 Schmitt-Trigger 3.1 Schmitt-Trigger
SFH 5440
± 60 4 18 0.170 (<
0.320)
λ = 950 nm
400 1100 < 16 5 (< 15)
Q62702-P5114
18
SFH 5441 Q62702-P5115
SFH 5140 F
± 14 4 18 0.015 (< 0.05)
λ = 950 nm
840 1080 < 16 5 (< 15)
Q62702-P5112
19
SFH 5141 F Q62702-P5113
SFH 5840
± 10 4 18 0.01 (< 0.032)
λ = 950 nm
400 1100 < 16 5 (< 15)
Q62702-P5116
20
SFH 5841 Q62702-P5117
SFH 5400 ± 60 4.5 15 1.3
λ = 660 nm
500 900 – 25 40 0.2 Q62703-Q2275 21
Package Type ϕ
deg.
VDD
V
S (VCC = 5 V,
λ = 428 nm)
V/µW/cm2
λ10%
nm
IDD
mA
tr/tf
µs
Ordering code Fig.
3.2 Licht-Spannungswandler 3.2 Light to Voltage Converter
SFH 5130 ± 43 4.5 5.5 1.18 400 1100 1.5 (< 4.5) 50 /
70 (< 250) on request 22
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
16
4. Fototransistoren 4. Phototransistors
TA = 25 °CTA = 25 °C
Package Type ϕ
deg.
Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (λ = 950 nm,
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V)
mA
VCEO
V
λ10%
nm
tr,tf
(IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ)
µs
Ordering code Fig.
4.1 Fototransistoren im Plastikgehäuse 4.1 Phototransistors in Plastic Package
4.1.1 im klaren Plastikgehäuse 4.1.1 in Clear Plastic Package
T 1
SFH 309
± 12 0.045
0.4
35 380 1080
Q62702-P859
23
SFH 309-3/4 0.63 2.0 6/7 Q62702-P3592
SFH 309-4 1.0 2.0 7 Q62702-P998
SFH 309-4/5 1.0 3.2 7/8 Q62702-P3593
SFH 309-5 1.6 3.2 8 Q62702-P999
SFH 309-5/6 1.6 5.0 8/9 Q62702-P3594
SFH 310 ± 25 0.19 0.4 70 380 1080 Q62702-P874 24
SFH 310-2/3 0.63 2.0 7/8 Q62702-P3595
T 1
SFH 309 P ± 75 0.045 0.063 35 380 1080 8 Q62702-P245 25
T 1¾
SFH 313 ± 10 0.55 2.5 50 450 1100 Q62702-P1667 26
SFH 313-2/3 4.0 12.5 10/12 Q62702-P3598
SFH 314 ± 40 0.55 0.63 50 450 1100 Q62702-P1668 27
SFH 314-2/3 1.0 3.2 10/12 Q62702-P3600
SFH 300 ± 25 0.12 0.63 35 420 1130 Q62702-P1189 28
SFH 300-3/4 1.0 3.2 10 Q62702-P3586
T 1¾
SFH 303
± 20 0.3
1.0
50 450 1100
Q62702-P957
29
SFH 303-3/4 1.6 5.0 13/15 Q62702-P3588
LPT 80 A ± 35 0.3 0.25 30 400 1100 10 Q68000-A7852 30
4.1.2 im Plastikgehäuse mit Filter für 880/950 nm IRED 4.1.2 in Plastic Package with Filter Matched for 880/950 nm IRED
T 1
SFH 309 FA
± 12 0.045
0.4
35 730 1100
Q62702-P941
23
SFH 309 FA-3/4 0.63 2.0 6/7 Q62702-P3590
SFH 309 FA-4 1.0 2.0 7 Q62702-P178
SFH 309 FA-4/5 1.0 3.2 7/8 Q62702-P3591
SFH 309 FA-5 1.6 3.2 8 Q62702-P180
SFH 309 FA-5/6 1.6 5.0 8/10 Q62702-P5199
SFH 310 FA ± 25 0.19 0.4 70 730 1100 Q62702-P1673 24
SFH 310 FA-2/3 0.63 2.0 7/9 Q62702-P3596
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
17
4.1.2 Fototransistoren im Plastikgehäuse 4.1.2 Phototransistors in Plastic Package (cont’d)
T 1
SFH 309 PFA ± 75 0.045 0.063 35 730 1100 Q62702-P246 25
T 1¾
SFH 313 FA
± 10 0.55
2.5
50 730 1100
Q62702-P1674
26SFH 313 FA-2/3 4.0 12.5 10/12 Q62702-P3597
SFH 313 FA-3/4 6.3 20 12/14 Q62702-P5196
SFH 314 FA ± 40 0.55 0.63 50 730 1100 Q62702-P1675 27
SFH 314 FA-2/3 1.0 3.2 10/12 Q62702-P3599
SFH 300 FA ± 25 0.12 0.63 35 730 1100 Q62702-P1193 28
SFH 300 FA-3/4 1.0 3.2 10 Q62702-P3585
T 1¾
SFH 303 FA
± 20 0.3
1
50 730 1100
Q62702-P958
29
SFH 303 FA-3/4 1.6 5.0 13/15 Q62702-P3587
SFH 3100 F ± 14 0.11 > 0.25 30 840 1080 7/9 Q62702-P5073
31
SFH 3130 F
Photodarlington ± 25 0.11 typ. 25 20
70 ( t < 2 min.) 840 … 1060 Q62702-P5250
4.2 Fototransistoren im Metallgehäuse 4.2 Phototransistors in Metal Package
TO-18
BPY 62
± 8 0.12
0.5 2.5
50 420 1130
Q60215-Y62
32
BPY 62-3 0.8 1.6 7 Q60215-Y1112
BPY 62-3/4 0.8 2.5 7/9 Q62702-P5198
BPY 62-4 1.25 2.5 9 Q60215-Y1113
BPX 43
± 15 0.675
0.8
50 450 1100
Q62702-P16
32
BPX 43-2/3 0.8 2.5 9/12 Q62702-P3580
BPX 43-3 1.25 2.5 12 Q62702-P16-S3
BPX 43-3/4 1.25 4.0 12/14 Q62702-P3581
BPX 43-4 2.0 4.0 15 Q62702-P16-S4
BPX 43-4/5 2.0 15/18 Q62702-P3582
BPX 43-5 3.2 18 Q62702-P16-S5
TO-18
BPX 38
± 40 0.675
0.2
50 450 1120
Q62702-P15
33
BPX 38-2/3 0.2 0.63 9/12 Q62702-P3578
BPX 38-3 0.32 0.63 12 Q62702-P15-S3
BPX 38-3/4 0.32 1.0 12/15 Q62702-P3579
BPX 38-4 0.5 1.0 15 Q62702-P15-S4
BPX 38-4/5 0.5 15/18 Q62702-P5197
BPX 38-5 0.8 18 Q62702-P15-S5
Package Type ϕ
deg.
Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (λ = 950 nm,
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V)
mA
VCEO
V
λ10%
nm
tr,tf
(IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ)
µs
Ordering code Fig.
SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS
18
5. PN-Fotodioden 5. PN Photodiodes
TA = 25 °CTA = 25 °C
4.2 Fototransistoren im Metallgehäuse 4.2 Phototransistors in Metal Package (cont’d)
TO-18
SFH 302 ± 40 0.675 0.4 50 450 1100 Q62702-P1641 34
BP 103 ± 55 0.12 0.08 50 420 1130 Q62702-P75 34
BP 103-3/4 0.125 0.4 7/9 Q62702-P3577
4.3 Zeilen im klaren Plastikgehäuse bis zu 10 Transistoren 4.3 Arrays in Clear Plastic Package up to 10 Transistors
SFH 305
±16 0.17
0.25
32 440 1070
Q62702-P836
35
SFH 305-2/3 0.25 0.8 5.5/6 Q62702-P3589
BPX 81
±18 0.17
0.25
32 440 1070
Q62702-P20
36
BPX 81-2/3 0.2 0.8 5.5/6 Q62702-P3583
BPX 81-3 0.4 0.8 6 Q62702-P43-S3
BPX 81-3/4 0.4 … 1.25 6/8 Q62702-P3584
BPX 81-4 0.63 8 Q62702-P43-S4
BPX 83
BPX 82
±18
2 × 0.17
0.25 32 440 1070
Q62702-P21
37
BPX 83 3 × 0.17 Q62702-P25
BPX 84 4 × 0.17 Q62702-P30
BPX 85 5 × 0.17 Q62702-P31
BPX 86 6 × 0.17 Q62702-P22
BPX 87 7 × 0.17 Q62702-P32
BPX 88 8 × 0.17 Q62702-P33
BPX 89 9 × 0.17 Q62702-P26
BPX 80 10 × 0.17 Q62702-P28
Package Type ϕ
deg.
Radiant
sensitive
area
mm2
IP
(λ = 950 nm,
Ee = 1 mW/cm2,
VR = 5 V)
µA
IR
(VR = 10 V)
nA
λ10%
nm
tr,tf
(VR = 5 V,
RL = 1 kΩ)
µs
Ordering code Fig.
5.1 im Plastikgehäuse 5.1 in Plastic Package
BPX 90 ± 60 1.75 × 3.15 45 ( 32)
EV = 1000 lx
5 ( 180) 400 1100 1.3 Q62702-P47 38
BPX 90 F ± 60 1.75 × 3.15 26 ( 16) 5 ( 180) 800 1100 1.3 Q62702-P928 38
Package Type ϕ
deg.
Radiant
sensitive
area
mm2
IPCE (λ = 950 nm,
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V)
mA
VCEO
V
λ10%
nm
tr,tf
(IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ)
µs
Ordering code Fig.