Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPN silicon transistors Epitaxial planar Planepox 2N 3390 2N 3391 2N 3391 A 2N 3392 2N 3393 2N 3394 - Amplification BF petits signaux LF small signal amplification - Commutation faible courant Low current switching Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features VcEO hate (2 mA) fr 400 - 800 2N 3390 250 - 500 2N 3391,A 150 - 300 2N 3392 90 - 180 2N 3393 55-110 2N 3394 140 MHz typ. 25V (mw) Boitier plastique TO-98 150 XN Plastic case 100] ? / r 0 fambl(?C) al c 0 25 50 75 100 Valeurs limites absclues d'utilisation 4 tamp= 25C Absolute ratings (Jimiting values) Paramitre Parameter Tension collecteur-base Collector-base voltage Voso 25 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage VcEO 25 Vv Tension metteur-base Vv 5 Vv Emitter-base voltage EBO Courant collecteur Collector current le 100 mA Dissipation de puissance . Power dissipation Prot 200 mw Temprature de jonction 4 Junction temperature max qj 100 c Temprature de stockage min. t 55 oc Storage temperature max. stg +125 1970-07 1/2 ef. Ses~asemn2N 2N 2N 2N 2N 2N 3390 3391 3391 A 3392 3393 3394 Caractristiques gnrales a tamh = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Courant rsidue! collecteur-base Collector-base cut-off current Courant rsiduel metteur-base Emitter-base cut-off current Valeur statique du rapport du transfert direct du courant Static forward current transfer ratio Vop=25 vf 100C Ig =0 Vepe5 V le =2 mA Vop=45 Vv Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics {for small signals} (Sauf indications contraires) {Unless otherwise specified} 15 Hz <f <10 kHz 2N 3390 400 1250 fo =TkH 2N 3391 250 800 |. am n 2N 3391 A 250 B00 c= Rapport de transfert direct du courant Vnc=4,5 V 2N 3392 150 500 Forward current transfer ratio ceo hore 2N 3393 90 400 2N 3394 55 300 Iq =100 uA 2N 3391 Cc 170 | 200 VoET1OV 2N 3391 Fr 4 . ig =4mA rquence de transition = Transition frequency Vopts V fy 140 MHz f =100 MHz 2N 3390 Vap=10 V 2N 3391A Capacit de sortie CB 5 2 12 Output capacitance te =0 2N 3392 Cob pF f =1MHz 2N 3393 2N 3394 4,5 12 lc =100 pA . Vee=45 V Facteur de bruit cE" Noise figure Rg =5 kD 2N 3391 Al F 1,9 5 dB 2/2