SFH 2030
SFH 2030 F
Semiconductor Group 442
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
Typ (*ab 4/95)
Type (*as of 4/95) Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 2030
(*SFH 203) Q62702-P955 T13/4, klares bzw schwarzes Epoxy-Gieβharz, Löt-
spieβe im 2.54-mm-Raster (1/10),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Lötspieβ, flach
am Gehäusebund
transparent and black epoxy resin, solder tab
2.54 mm (1/10) lead spacing, cathode marking: short
solder tab, flat at package
SFH 2030 F
(*SFH 203 FA) Q62702-P956
SFH 2030
SFH 2030 F
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 2030) und bei 880 nm (SFH 2030 F)
●Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
●5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
●Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●LWL
Features
●Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 2030) and of
880 nm (SFH 2030 F)
●Short switching time (typ. 5 ns)
●5 mm LED plastic package
●Also available on tape
Applications
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
●Light-reflecting switches for steady and
varying intensity
●Fiber optic transmission systems
SFH 2030
SFH 2030 F
Semiconductor Group 443
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg –55 ... +100 oC
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t≤ 3s)
TS300 oC
Sperrspannung
Reverse voltage VR50 V
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 100 mW
Kennwerte (TA = 25 oC)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 2030 SFH 2030 F
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
VR = 5 V,λ= 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2
S
S
80 (≥ 50)
–
–
25 (≥ 15)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ400 ...1100 800 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
LxB
LxW
1x1 1x1 mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm
SFH 2030
SFH 2030 F
Semiconductor Group 444
Halbwinkel
Half angle ϕ±20 ±20 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current IR1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity Sλ0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield η0.89 0.86 Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
VL
VL
420 (≥ 350)
–
–
370 (≥ 300)
mV
mV
Kurzschluβstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
IK
IK
80
–
–
25
µA
µA
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 50 kΩ; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf55 ns
Durchlaβspannung, IF= 80 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C011 11 pF
Temperaturkoeffizient von VL
Temperature coefficient of VL
TCV–2.6 –2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von IK,
Temperature coefficient of IK
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
0.18
––
0.2
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V, λ = 850 nm
NEP 2.9 x 10–14 2.9 x 10–14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 20 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 oC)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 2030 SFH 2030 F
SFH 2030
SFH 2030 F
Semiconductor Group 445
Relative spectral sensitivity SFH 2030
Srel =f (λ)
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VL=f (Ee)
SFH 2030 F
Relative spectral sensitivity SFH 2030 F
Srel =f (λ)
Total power dissipation Ptot =f (TA)
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VL=f (Ev)
SFH 2030
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
