SFH 2030 SFH 2030 F Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 2030 SFH 2030 F Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 2030) und bei 880 nm (SFH 2030 F) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause Auch gegurtet lieferbar Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 2030) and of 880 nm (SFH 2030 F) Short switching time (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package Also available on tape Anwendungen Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb LWL Applications Industrial electronics For control and drive circuits Light-reflecting switches for steady and varying intensity Fiber optic transmission systems Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code Gehause Package SFH 2030 (*SFH 203) Q62702-P955 SFH 2030 F (*SFH 203 FA) Q62702-P956 T13/4, klares bzw schwarzes Epoxy-Gieharz, Lotspiee im 2.54-mm-Raster (1/10), Kathodenkennzeichnung: kurzerer Lotspie, flach am Gehausebund transparent and black epoxy resin, solder tab 2.54 mm (1/10) lead spacing, cathode marking: short solder tab, flat at package Semiconductor Group 442 SFH 2030 SFH 2030 F Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg -55 ... +100 oC Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3s) TS 300 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Wert Symbol Value Einheit Unit SFH 2030 SFH 2030 F S 80 ( 50) - nA/Ix S - 25 ( 15) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax 400 ...1100 800 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 1x1 mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2 Semiconductor Group LxW 443 SFH 2030 SFH 2030 F Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Wert Symbol Value Einheit Unit SFH 2030 SFH 2030 F Halbwinkel Half angle 20 20 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 ( 5) 1 ( 5) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm VL 420 ( 350) - mV VL - 370 ( 300) mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm IK 80 - A IK - 25 A Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 k; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A 5 5 ns Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VL Temperature coefficient of VL TCV -2.6 -2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von IK, Temperature coefficient of IK Normlicht/standard light A = 950 nm TCI Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit Semiconductor Group %/K 0.18 - - 0.2 NEP 2.9 x 10-14 2.9 x 10-14 W Hz D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm * Hz W 444 SFH 2030 SFH 2030 F Relative spectral sensitivity SFH 2030 Srel = f () Relative spectral sensitivity SFH 2030 F Srel = f () Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ev) SFH 2030 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ee) SFH 2030 F Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group 445