e NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED MESA *BUX 21 TRANSISTOR SILICIUM NPN, MESA TRIPLE DIFFUSE 2K Preferred device Dispositif recommand - High speed, high current, high power transistor Transistor de puissance rapide, fort courant VcEo 200 V - Thermal fatigue inspection Ic 40 A Contrl en fatigue thermique Prot 250 W - Switching and amplifier transistor Transistor damplification et de commutation Rthi o} < 0.7 C/W max = <0, VcE sat (25 A) <1,5V ty (25 A) <0,4us Dissipation and Is/p derating Case CB-159 See outline drawing on last pages Variation de dissipation et de | S/B Boitier Voir dessin cot ees pages 100 (TO-3 modified) % (TO-3 modifi) 75 NS ) 50 a 30% Bottom view B * Vue de dessous o Weight : 14,4 g. Collector is connected to case 50 106 180 teage(C) Masse Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES} Tease = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION s (Saut indications contraires, Collector-base voltage Vopo 250 Vv Tension collecteur-base Coltector-emitter voltage VcEO 200 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage R = 1002 VcER 240 V Tension collecteur-metteur BE Callectar-emitter valtage v E= 15V VCEX 250 Vv Tension collecteur-metteur B Emitter-base voltage Veso 7 Vv Tension metteur-base Collector current | Courant collecteur c 40 A Peak collector current = 10 I Courant de crte de collecteur 'b ms cM 50 A Base current ! Courant base B 8 A Power dissipation t = 25C Prot 250 w Dissipation de puissance case Junction temperature t on Temprature de jonction max J 200 Cc Storage temperature min torg 65 C Temprature de stockage max +200 c 73-12 /8 IOMSON - CSF bon seucouOUcreuns, 719 SSS ESsemn*BUX 21 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Sauf indications contraires) Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. Var = 160 V | Collector-emitter cut-off current ce = '60 lcEO 3 mA Courant rsiduel collecteur-Emetteur. jn =O Vop = 250V CE Vee =-15V 3 mA Collector-emitter cut-off current oex Courant rsiduel coliecteur-metteur Voce = 250V VBE =-15V 12 mA tease = 125C Emitter-base cut-off current Veg =5V lEBO Courant rsiduel metteur-base lo =0 1 mA le = 200 mA Collector-emitter breakdown voltage | = Vv Tension de claquage collecteur-metteur B _ CEO(sus) 200 Vv L = 25 mH (fig. 1) Emitter-base breakdown voitage Ip =50mA Vv Tension de claquage metteur-base le = {BR)EBO 7 v Voge =2V lo =12A 20 60 Static forward current transfer ratio Vateur statique du rapport de transfert ho 1E direct du courant Voce =4V Ic =25A 10 Ic = 12 A 02 06 Vv Ip =12A , Collector-emitter saturation voltage VeEsat * Tension de saturation collecteur-metteur lo =25A 09 15 V lp =3A . , : . le =25A * Base-emitter saturation voltage c Vv, Tension de saturation base-metteur Ip =3A BEsat 12 1,5 v Voce = 140V 015 A t =1s e Second breakdown collector current Ig7g Courant collecteur de second claquage Voce = 20V 12,5 A t =15 . * Pulsed typ = 300Hs = 8S 2% impulsions 2/8 720*BUX 21 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) (Unless otherwise stated} CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} {Sauf indications contraires) Test conditions - Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vee = 15 V Transition frequency - f i Frquence de transition Ic =2A T 8 MHz f = 10 MHz Turn-on time . lo =25A te+t Temps total dtablissemen: (fig. 2) lp =3A q r 0,85 1,2 us lo =25A Fail time . _ t Temps de dcroissance (fig. 2) led =3A f 02 O04 LS Ipg = 3A le = 205A Carrier storage time a =? Retard a Ia dcroissance (fig. 2) Igy = 3A t 1 18 us Igo = -3A | THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance | Ruy: Rsistance thermique (jonction-boi tier) | th(j-c) | 0,7 c/w THERMAL FATIGUE INSPECTION CONTROLE EN FATIQUE THERMIQUE Mounting silicon chip on a molybdenum header Le montage de /a pastille sur un support en molybdne limite bounds mechanical constraints and provides maximum les contraintes mcaniques et confre au transistor un maxi- insurance against thermal fatigue. mum de garantie contre la fatigue thermique. Pulsed test : Contrle cyclique : 10 000 cycles on : 2 minutes (0 > 100 W) off : Tminute (100 >0W) tease = 125C max Atgase= 110C max 3/8*BUX 21 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 50 20 0,5 CONTINUOUS eee Continu 0,2 LPulsed ' impulsion tease = 25C 0,1 1 2 5 10 20 50 100 200 500 Vogl) 4/8 722*BUX 21 TEST CIRCUIT = y MONTAGE DE TEST CEOlsus) (fig. 1) horizontal horizontal 50 Hz test transistor transistor en test L=25 mH vertical vertical ) + U [ Jo>sov 20 = 0>10V common Rp = 1002 +f- lcommun a Lt} Note : The sustaining voltage VCEQ is acceptable when the trace falls to the right and above point A. Les tensions Vogg sont acceptables lorsque /a trace passe au-dela du point A. SWITCHING TIMES TEST CIRCUITS (and oscillograms)} (fig. 2) CIRCUITS DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION (et oscillogrammes) t + Po 104 uF . a: "Ba = eo ' _____{ 3 E - wal t Ss | as B2 _ ___.. = 100 V 42 90% Rg = 222 ow 235 2e o8 a3 10%, 2 e toi . t Rc- Rp: non inductive resistances 2s Som ty :Pulse width = 10 us 8 s pi het oft Forme factor = 1% Rise and falltine <50ns Ig71 and Iga mesured with Tektronix probe Ro-Rp_ : rsistances non inductives P 6021 and Amplifier type 134 tp : Largeurdimpulsion = 10 ys gz et!gz sont mesurs avec une sonde Tektronix Facteur de forme 1% P 6021 et Amplificateur tvne 134 Temps de monte et descente <50 ns*BUX 21 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension Io collecteur-metteur (A) 0 1 2 3 4 ov cet COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE(minimum value) Tension callecteur-metteur en fonctian de fa Vv, cE rsistance base-metteur (valeur minimum} a tease = 25C lo <3 260 240 220 200 180 2 468 2 4 68 2 10! 107 10 mA 4 Roe (e) h. T 21 [vop=4 vy COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension CC collecteur-metteur (A) 20 0,8 18 0,6 a4 0,2 STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant sollecteur solL_|_| 30 pa 6/8 724*BUX 21 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de ta tension base- 'g metteur Vv 0 0,4 0,8 1,2 1.6 Ve_lv} COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en fonction du courant cE (Vv) { =8 'p 1,6 0,8 0,4 2 468 2 4 68 2 4 } 107 10 10! IgfA COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension |, base-metteur Vop=4v of et xcoxe N 2 vcak 0 0,4 0,8 1,2 1,6 Vpelv) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-matteur en VBE satfonction du courant collecteur (v) 1 ne B 0,8 0,4 7/8 725*BUX 21 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de la tension collecteur-base (pF) | tcase = 25C 6 4 2 4 6vV SWITCHING TIMES VERSUS COLLECTOR CURRENT Temps de commutation en fonction du t courant collecteur Veg = 100 V. 4 10 16 22 CB {Vv} 1.{A) TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fonction du f courant collecteur TY 1g (A) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de Ia rsistance thermique en 10 4Q27 *yq1? tolsee? 8/8 726