BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47
BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47
Silicon-Protectifiers® with TVS characteristic – High Temperature Diodes
Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden
Version 2009-05-04
Dimensions - Maße [mm]
Nominal Current
Nennstrom
35 A
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruchspannung
22 ... 47 V
Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx.
Gewicht ca.
10 g
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings Grenzwerte
Type / Typ
Wire to / Draht an
Breakdown voltage
Abbruchspannung
IT = 100 mA
Reverse voltage
Sperrspannung
IR = 5 µA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzerspanng.
at / bei Ipp, tp = 1 ms
Anode Cathode VBRmin [V] VBRmax [V] VR [V] VC [V] Ipp [A]
BYZ35A22 BYZ35K22 19.8 24.2 > 17.8 31.9 157
BYZ35A27 BYZ35K27 24.3 29.7 > 21.8 39.1 128
BYZ35A33 BYZ35K33 29.7 36.3 > 26.8 47.7 105
BYZ35A39 BYZ35K39 35.1 42.9 > 31.6 56.4 89
BYZ35A47 BYZ35K47 42.3 51.7 > 38.1 67.8 74
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 150°C IFAV 35 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 72 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 360/400 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 660 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+215°C
-50...+215°C
Max. junction temperature in case of “Load-Dump“
Max. Sperrschichttemperatur bei “Load-Dump“
Tjmax +280°C
1 Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
28.5
min
Ø 12.75
Rändel 0.8
knurl 0.8
Ø ±0.1
11
1.3
10.7±0.2
5±0.2
Ø ±01
13
BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47
Characteristics Kennwerte
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 35 A VF< 1.1 V
Thermal Resistance Junction – Case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC < 0.8 K/W
Maximum pressing force
Maximaler Einpressdruck
Fpmax 7 kN
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 2
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
[°C]
T
C
150100
50
0 200
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
T = 25°C
j
T = 125°C
j
360a-(35a-1,1v)
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
10
10
3
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
