Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 N 75...80 TOH N Features: Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection Volle Sperrfahigkeit bei 120 mit 50 Hz Full blocking capability at 120C with 50 Hz Hohe Stostrome und niedrige Warmewiderstande durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und Mo-Tragerscheibe. High surge currents and low thermal resistance by using low temperature-connection NTV between silicon wafer and molybdenum. Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Ruckwarts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage f = 50 Hz Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current VRRM Tvj min = -40C Tvj min = 0C 7500 7700 V 8000 8200 V ITRMSM 3800 A 1760 A 2440 A Dauergrenzstrom mean forward current TC = 85C, f = 50Hz TC = 60C, f = 50Hz ITAVM Stostrom-Grenzwert surge forward current Tvj = 25C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms ITSM Grenzlastintegral I2t-value Tvj = 25C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms I2t Kritische Stromsteilheit, periodisch critical rate of rise of on-state current, repetitive DIN IEC 747-6 (di/dt)cr 300 A/s (di/dt)cr 1000 A/s (dv/dt)cr 2000 V/s VD VBO, f = 50Hz, PL = 40mW, trise = 0,5s Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch critical rate of rise of on-state current, non-repetitive DIN IEC 747-6 Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of forward voltage Tvj = Tvj max, vDM = 5kV BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Release 3.2 VD VBO, PL = 40mW, trise = 0,5s 45 kA 40 kA 10,1*106 A2s 2 8,0*106 A s Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz T 1503 N 75...80 TOH Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Schutzundspannung (statisch) protective break over voltage Tvj = 0C ... Tvj max Durchlaspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 4kA Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance Tvj = Tvj max Durchlarechenkennlinie on-state characteristics for calculations VT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D iT VBO VT VTO rT typ. max. 2,8 3,0 typ. max. 1,20 0,40 1,24 0,44 typ. Tvj = Tvj max 500 A iT 5000 A min. 7500 A B C D V V V m max. 0,616 0,000219 0,0342 0,0161 -0,0864 0,000343 0,2021 0,000614 erforderliche Zundlichtleistung required gate trigger light power Tvj = 25C, vD = 100V PLM Haltestrom holding current Tvj = 25C IH 350 mA Einraststrom latching current Tvj = 25C, vD = 100V, PL = 40mW, tan = 0,5s IL 1 A Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Tvj = Tvj max vD = vR = 7500V iD, iR Zundverzug gate controlled delay time Tvj = 25C, vD = 1000V, PL = 40mW, tan = 0,5s tgd typ. 5 s Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq typ. 550 s Sperrverzogerungsladung recovered charge Tvj = Tvj max ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/s min. 40 mW 500 mA vRM = 100V, vDM = 0,67vDRM dvD/dt = 20V/s, -diT/dt = 10A/s 4. Kennbuchstabe / 4th letter O Qr 15 mAs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM Ruckstromspitze peak reverse recovery current Tvj = Tvj max ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/s IRM 350 A VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Release 3.2 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 N 75...80 TOH N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided , DC Anode / anode DC Kathode / cathode DC RthJC 0,0063 0,0060 0,0106 0,0138 C/W C/W C/W C/W Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCK 0,0015 0,003 C/W C/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max +120 C Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+120 C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzundung Si-pellet with pressure contact, ligt triggered Seite 4 Silizium Tablette silicon wafer 101LTN80 Anprekraft clampig force F Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance 63...91 kN typ. 3200 g 49 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 50 m/s2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Release 3.2 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 N 75...80 TOH N Mabild / Outline BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Release 3.2 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz T 1503 N 75...80 TOH Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection N Durchlakennlinien iT = f ( vT ) Limiting and typical on-state characteristic Tvj = 120C 4500 4000 3500 3000 IT [A] 2500 2000 1500 1000 500 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 V T [V ] BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Release 3.2 Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 N 75...80 TOH N Transienter innerer Warmewiderstand Transient thermal impedance Zth JC = f (t) ( Rth n 1 - e -t / n Z th JC (t ) = ) n beidseitige Kuhlung / double sided cooling Rth n [K/W] n [s] 0,00238 2,06 0,00202 0,301 0,00110 0,0674 0,0005 0,0122 0 1 0,006 - n 1 2 3 4 5 kathodenseitige Kuhlung / cathod sided cooling Rth n [K/W] n [s] 0,0102 9,62 0,00224 0,268 0,00092 0,0532 0,00044 0,0107 0 1 0,0138 - anodenseitige Kuhlung / anode sided cooling Rth n [K/W] n [s] 0,00662 11,6 0,00043 0,946 0,00248 0,219 0,00081 0,0310 0,00026 0,00761 0,0106 - 0,015 c 0,010 a Zth [K/W] d 0,005 0,000 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Release 3.2 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz T 1503 N 75...80 TOH Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection N Sperrverzogerungsladung Qr = f ( - di/dt ) recovered charge Nebenbedingungen: Tvj = 120C, ITM = 4000A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM 50 40 30 20 10 9 8 Q r r [m A s ] 7 6 5 4 3 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 d i /d t [A / s ] BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Release 3.2 Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection T 1503 N 75...80 TOH N Ruckstromspitze / reverse recovery current (typische Abhangigkeit / typical dependence) IRM = f (di/dt) Tvj = 120C, ITM = 2500A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM 700 600 500 400 IRM [A] 300 200 100 0 0 5 10 15 20 25 di/dt [A/s] BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Release 3.2 Seite/page 8