T1503N75TOH - Eupec Power Semiconductors

Technische Information / Technical Information

Lichtgezündeter Netz Thyristor

mit integriertem Überspannungsschutz

Phase Control Thyri stor, li ght triggered

with integrated overvol tage protecti on T 1503 N 75...80 TOH

BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Release 3.2 Seite/page

Features:

Lichtgezündeter Netz Thyristor Phase Control Thyristor, light triggered

mit integriertem Überspannungsschutz with integrated overvoltage protection

Volle Sperrfähigkeit bei 120° mit 50 Hz Full blocking capability at 120°C with 50 Hz

Hohe Stoßströme und niedrige Wärme- High surge currents and low thermal resistance

widerstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV

zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. between silicon wafer and molybdenum.

Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchst zul ässige Werte / Maximum rat ed val ues

Periodis che Rückwärts-S pi tzensperrspannung

repetiti ve peak reverse voltage f = 50 Hz VRRM Tv

min = -40°C Tv

min = 0°C

7500 7700

8000 8200 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current ITRMSM 3800 A

Dauergrenzstrom

mean f orward current TC = 85°C, f = 50Hz

TC = 60°C, f = 50Hz ITAVM 1760

2440 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current Tvj = 25°C, tp = 10ms

Tvj = Tvj max, tp = 10ms ITSM 45

40 kA

Grenzlastintegral

I2t-value Tvj = 25°C, tp = 10ms

Tvj = Tvj max, tp = 10ms I2t 10,1·106

8,0·106A2s

A2s

Kritische Stromstei l hei t, periodisch

criti cal rate of rise of on-state current, repetitive DIN IEC 747-6

VD ≤ VBO, f = 50Hz,

PL = 40mW, trise = 0,5µs

(di/dt)cr 300 A/µs

Kritische Stromstei l hei t, nicht -peri odi sch

criti cal rate of rise of on-state current, non-repetitive DIN IEC 747-6

VD ≤ VBO, PL = 40mW, trise = 0,5µs (di/dt)cr 1000 A/µs

Kritische Spannungssteilheit

criti cal rate of rise of forward voltage Tvj = Tvj max, vDM = 5kV (dv/dt)cr 2000 V/µs

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Lichtgezündeter Netz Thyristor

mit integriertem Überspannungsschutz

Phase Control Thyri stor, li ght triggered

with integrated overvol tage protecti on T 1503 N 75...80 TOH

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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Charac t e ri stic values

Schutzündspannung (stat i sch)

protect i ve break over voltage Tvj = 0°C ... Tvj max VBO min. 7500 V

Durchlaßspannung

on-stat e vol t age Tvj = Tvj max, iT = 4kA VT

typ. max.

2,8 3,0 V

Schleusenspannung / threshold voltage

Ersatzwiderst and / slope resi stance Tvj = Tvj max VTO

typ. max.

1,20 1,24

0,40 0,44 V

mΩ

Durchlaßrechenkennlinie

on-stat e characteris tics f or calculat i ons 500 A ≤ iT ≤ 5000 A

()

VABiCi Di

TTT T

=+⋅+⋅ ++⋅ln 1

Tvj = Tvj max A

typ. max.

0,616 -0,0864

0,000219 0,000343

0,0342 0,2021

0,0161 0,000614

erforderlic he Zündli chtleistung

required gate trigger l i ght power Tvj = 25°C, vD = 100V PLM min. 40 mW

Haltestrom

holding current Tvj = 25°C IH350 mA

Einraststrom

latchi ng current Tvj = 25°C, vD = 100V,

PL = 40mW, tan = 0,5µ s IL1A

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrst rom

forward off-st ate and reverse currents Tvj = Tvj max

vD = vR = 7500V iD, iR500 mA

Zündverzug

gate cont rol l ed del ay t i me Tvj = 25°C, vD = 1000V,

PL = 40mW, tan = 0,5µ s tgd typ. 5µs

Freiwerdezeit

circuit comm utated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM

vRM = 100V, vDM = 0,67⋅vDRM

dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs

4. Kennbuchstabe / 4th letter O

tqtyp. 550 µs

Sperrverzögerungsladung

recovered charge Tvj = Tvj max

ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs

VR = 0,5⋅VRRM, VRM = 0,8⋅VRRM

Qr15 mAs

Rückstromspitze

peak reverse rec o very current Tvj = Tvj max

ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs

VR = 0,5⋅VRRM, VRM = 0,8⋅VRRM

IRM 350 A

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Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärm ewiderstand

therm al resistanc e, junction to case beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin

beidseitig / two-sided , DC

Anode / anode DC

Kathode / cathode DC

RthJC 0,0063

0,0060

0,0106

0,0138

°C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

therm al resistanc e, case to heatsink beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided RthCK 0,0015

0,003 °C/W

°C/W

Höchst zul ässige Sperrschicht temperatur

max. junction tem perature Tvj max +120 °C

Betriebstemperatur

operating temperature Tc op -40...+120 °C

Lagertemperatur

storage t emperature Tstg -40...+150 °C

Mechanische E i genschaften / Mechanical properti es

Gehäuse, s i ehe A nl age

case, see appendix Seite 4

Si-Element mit Druckkontakt, Licht zündung

Si-pellet with pressure cont act, ligt triggered Silizium Tablette

silicon wafer 101LTN80

Anpreßkraft

clampig force F 63...91 kN

Gewicht

weight Gtyp. 3200 g

Kriechstrecke

creepage distance 49 mm

Feuchteklasse

humidity classification DIN 40040 C

Schwingfestigkeit

vibration res i stance f = 50Hz 50 m/s2

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical Information speci fies semiconductor devices but promises no characteristics. It is vali d in combination with the belonging technical notes.

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Maßbild / Outline

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Durchlaßkennlinien iT = f ( vT )

Limiting and typical on-state characteristic

Tvj = 120°

°°

°C

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

4500

0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5

VT [V]

[A]

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Transienter innerer Wärmewiderstand

Transient thermal impedance Zth JC = f (t)

beidseitige Kühlung /

double sided cooling kathodenseitige Kühlung /

cathod sided cooling anodenseitige Kühlung /

anode sided cooling

th n [K/W] τn [s] Rth n [K/W] τn [s] Rth n [K/W] τn [s]

1 0,00238 2,06 0,0102 9,62 0,00662 11,6

2 0,00202 0,301 0,00224 0,268 0,00043 0,946

3 0,00110 0,0674 0,00092 0,0532 0,00248 0,219

4 0,0005 0,0122 0,00044 0,0107 0,00081 0,0310

501010,00026 0,00761

ΣΣ

Σ0,006 - 0,0138 - 0,0106 -

(

)

−

−⋅= n

nthJCth n

eRtZ

1)(

0,000

0,005

0,010

0,015

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [s]

Zth [K/W]

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Sperrverz ögerungsladung Qr = f ( - di/dt )

recovered charge

Nebenbedingungen: Tvj = 120°C, ITM = 4000A, vR = 0,5⋅VRRM, vRM = 0,8⋅VRRM

302010987654321

di /dt [A/µs]

Qrr [m As]

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Rückstromspitze / reverse recovery current

(typische Abhängigkeit / typical dependence)

IRM = f (di/dt)

Tvj = 120°C, ITM = 2500A, vR = 0,5⋅VRRM, vRM = 0,8⋅VRRM

100

200

300

400

500

600

700

0 5 10 15 20 25

d i/d t [A / µ s]

IRM [A ]