LD 242
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrare d Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
2005-02-22 1
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Großer Öffnungskegel
• Gehäusegleich mit BP 10 3, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Lichtgitter
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Strahlstärkegruppierung 1) (IF = 100mA, tp = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping 1)
Ie (mW/sr)
1) gemessen bei eine m Raumwink el Ω = 0.01 sr
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
LD 242 Q62703Q0151 4 - 8
LD 242-2/3 Q62703Q4749 > 6.3
LD 242 E7800 Q62703Q3509 1 - 3.2
Features
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process
• Cathode is electrically connected to the case
• High reliability
• Wide beam
• Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• DIN humidity caregory in acc. with
DIN 40 040 GQG
Applications
• Photointerrupters
• Sensor technology
• Light-grille barrier
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LD 242
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 … + 80 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5 V
Durchlassstrom, TC = 25 °C
Forward current IF300 mA
Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0
Surge current IFSM 3 A
Verlustleistung, TC = 25 °C
Power dissipation Ptot 470 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA
RthJC
450
160 K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF = 100 m A, tp = 20 ms
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ± 40 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.25 mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area L × B
L × W0.5 × 0.5 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top H0.3 … 0.7 mm
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Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr, tf1µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V
Co40 pF
Durchlassspannung
Forward voltage
IF = 100 mA
IF = 1 A, tp = 100 µs
VF
VF
1.3 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5)
V
V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current IR0.01 (≤ 1) µA
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe16 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA TCλ0.3 nm/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
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LD 242
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter Symbol Werte
Values Einheit
Unit
-2 -3 78001)
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie
Ie typ.
4 … 8
50
> 6.3
75
1 … 3.2
–
mW/sr
mW/sr
1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass bei
der Stra hlstärk emess ung n ur d iejenige Strah lung in Ac hsricht ung be wert et wird, die d irekt von d er Ch ipoberf läche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexio nen s ind bes onders bei Abb ildungen der Ch ipoberf läch e über Zus atzopt iken stören d ( z.B. L ichtsch ranken
großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdr ück t. Du r ch die se s d er A nwen dun g en tsp r ec hende Messver fa hre n erg i bt si ch f ür d i e An wend er e i ne b ess er
verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the ape rture: 1.1 mm; distanc e of ap erture to cas e bac k sid e: 4.0 mm). This e nsure s that solely t he radi ation in
axial dire c tio n emitting directly from t he c hip surfac e w ill be ev aluated du ring measur ement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
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Relati ve Sp ectral Emi ssi o n
Irel = f (λ)
Forward Current
IF = f (VE)
Radiation Characteristics
Irel = f (ϕ)
OHR01938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01040
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10 -2
A
1.5 2 2.5 33.54 4.5
typ. max.
V
OHR01877
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
Radiant Intensity
Single pulse , tp = 20 µs
Permissible Pulse Handling
Capability IF = f (τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie 100 mA
= f (IF)
Ι
OHR01037
F
-1
10
10 0
1
10
2
10
10 -2 -1
10 0
10 A 10 1
Ι
e
Ι
e(100 mA)
τ
OHR01937
10
-5
s
10
2
Ι
F
mA
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
10
3
10
4
5
5
DC
0.5
0.05
0.02
0.01
0.005
D =
0.1
F
Ι
T
P
t
=D
P
t
T
0.2
Max. Permissible Forward Current
IF = f (TA)
T
OHR00971
A
0
F
Ι
020406080100
˚C
50
100
150
200
250
mA
300
,T
L
= 160 K/W
thJL
R
R
thJA
= 450 K/W
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Maßzeichnung
Package Outlines
Maße we rden wie folgt angegeben: m m (inch) / Dimen sio ns are s pecified as follo w s: m m (inc h).
Gehäuse
Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares Epoxy-Gießharz
18 A3 DIN 41876 (TO-18), transparent epoxy resin
Anschlussbelegung
pin configuration 1 = Anode/ anode
2 = Kathode/ cathode
ø4.3 (0.169)
ø4.1 (0.161)
Chip position
3.6 (0.142)
3.0 (0.118)
2.54 (0.100)
spacing
GETY6625
1
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
ø0.45 (0.018)
2.7 (0.106)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
ø5.5 (0.217)
ø5.2 (0.205)
2
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Lötbedingungen
Soldering Conditions
Wellenlöten (TTW) (nach CECC 00802)
TTW Soldering (acc. to CECC 00802)
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
www.osram-os.com
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The inform at ion describes the type of co m ponent and sha ll not be c ons idered as assured characteristics.
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dangerous subs ta nc es . For in fo rm at ion on the type s in qu es t ion please cont ac t our Sales Orga niz at ion.
Packing
Please use the recyc ling operat ors known t o you. We can also help y ou – get in touc h with your nearest sale s office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Compo nents use d in life-support de vices or syste ms must be express ly authorize d for such purp ose! Critical
components 1 , may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.
1 A critica l component is a co mponent usedin a l ife-support devi ce or system whose failure can re asonably be expec ted
to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.
2 Life sup port device s or syst ems ar e int ended (a ) to b e imp lanted in t he hu man body , or ( b) to supp ort a nd/or main tain
and sust ain human life. If th ey fail, it is reasonab le t o as sume that the health of the user m ay be endangered.
OHLY0598
0
050 100 150 200 250
50
100
150
200
250
300
T
t
C
s
235 C
10 s
C... 260
1. Welle
1. wave
2. Welle
2. wave
5 K/s 2 K/s
ca 200 K/s
CC... 130100
2 K/s Zwangskühlung
forced cooling
Normalkurve
standard curve
Grenzkurven
limit curves
