Semiconductor Group 1 11.96
VPL06926
Besondere Merkmale
●Gehäusefarbe: weiß
●als optischer Indikator einsetzbar
●zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
●für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
●gegurtet (12-mm-Filmgurt)
●Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
●color of package: white
●for use as optical indicator
●for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
●suitable for all SMT assembly and soldering methods
●available taped on reel (12 mm tape)
●load dump resistant acc. to DIN 40839
Mini TOPLED® RG LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Semiconductor Group 2
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤2.0.
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
Lichtstrom
Luminous
Flux
IF = 10 mA
ΦV (mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LS M770-HK
LS M770-J
LS M770-K
LS M770-JM
super-red colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 32.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
Q62703-Q3326
Q62703-Q3327
Q62703-Q3328
Q62703-Q3329
LO M770-HK
LO M770-J
LO M770-K
LO M770-JM
orange colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 32.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
Q62703-Q3330
Q62703-Q3331
Q62703-Q3332
Q62703-Q3333
LY M770-HK
LY M770-J
LY M770-K
LY M770-JM
yellow colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 32.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
Q62703-Q3334
Q62703-Q3336
Q62703-Q3335
Q62703-Q3337
LG M770-HK
LG M770-J
LG M770-K
LG M770-JM
green colorless clear 2.5 ... 12.5
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
4.0 ... 32.0
-
18 (typ.)
30 (typ.)
-
Q62703-Q3338
Q62703-Q3339
Q62703-Q3340
Q62703-Q3341
LP M770-FJ
LP M770-G
LP M770-H
LP M770-GK
pure green colorless clear 1.0 ... 8.0
1.6 ... 3.2
2.5 ... 5.0
1.6 ... 12.5
-
8 (typ.)
12 (typ.)
-
Q62703-Q3342
Q62703-Q3343
Q62703-Q3344
Q62703-Q3345
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Semiconductor Group 3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj + 100 ˚C
Durchlaßstrom
Forward current IF30 mA
Stoßstrom
Surge current
t≤10 µs, D = 0.005
IFM 0.5 A
Sperrspanung
Reverse voltage VR5V
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 100 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
Rth JA 530 K/W
*)PC-board: FR4
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Semiconductor Group 4
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS LO LY LG LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
IF= 10 mA
λpeak 635 610 586 565 557 nm
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
IF= 10 mA
λdom 628 605 590 570 560 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.)
Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.)
IF= 10 mA
∆λ45 40 45 25 22 nm
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
2ϕ120 120 120 120 120 Grad
deg.
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
IF= 10 mA
VF
VF
2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
VR= 5 V
IR
IR
0.01
10 0.01
10 0.01
10 0.01
10 0.01
10 µA
µA
Kapazität (typ.)
Capacitance
VR= 0 V, f = 1 MHz
C0128 101515pF
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 % (typ.)
IV from 90 % to 10 % (typ.)
IF= 100 mA, tp = 10 µs, RL= 50 Ω
tr
tf
300
150 300
150 300
150 450
200 450
200 ns
ns
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Semiconductor Group 5
Relative spektrale Emission Irel =f (λ),TA= 25 ˚C, IF= 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Semiconductor Group 6
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Zulässige ImpulsbelastbarkeitIF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Semiconductor Group 7
Wellenlänge der Strahlung λpeak =f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom =f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 ˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Semiconductor Group 8
LS M770, LO M770, LY M770
LG M770, LP M770
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge
GPL06926
