BC327-40 - DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

BC327 ... BC328

General Purpose PNP Transistors

Universal-PNP-Transistoren

IC= -800 mA

hFE ~ 160/250/400

Tjmax = 150°C

VCEO = -25 ... -45 V

Ptot = 625 mW

Version 2018-02-02

TO-92 (10D3)

(1)

(2)

Dimensions - Maße [mm]

Typical Applications

Signal processing,

Switching, Amplification

Commercial grade 1)

Typische Anwendungen

Signalverarbeitung,

Schalten, Verstärken

Standardausführung 1)

Features

General Purpose

Three current gain groups

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals 1)

Besonderheiten

Universell anwendbar

Drei Stromverstärkungsklassen

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien 1)

Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)

(1) Taped in ammo pack

(Raster 2.54)

(2) On request: in bulk

(Raster 1.27, suffix “BK”)

4000

5000

(1) Gegurtet in Ammo-Pack

(Raster 2.54)

(2) Auf Anfrage: Schüttgut

(Raster 1.27, Suffix “BK”)

Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.

Case material UL 94V-0 Gehäusematerial

Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen

MSL N/A

Current gain groups

Stromverstärkungsgruppen

Recommended complementary NPN transistors

Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren

BC327-16

BC327-25

BC327-40

BC328-16

BC328-25

BC328-40

BC337 ... BC338

Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)

BC327 BC328

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - VCES 50 V 30 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 45 V 25 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5 V

Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 3)

Collector current – Kollektorstrom DC - IC800 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - ICM 1 A

Base current – Basisstrom - IB100 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben

3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 x 2.54

CB E

2 x 1.27

CB E

4.6

±0.1

4.6

±0.1

min 12.5

BC327 ... BC328

Characteristics Kennwerte

Tj = 25°C Min. Typ. Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 1)

- VCE = 1 V - IC = 100 mA Group -16

Group -25

Group -40

hFE

100

160

250

160

250

400

250

400

630

- IC = 300 mA Group -16

Group -25

Group -40

hFE

100

170

130

200

320

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 1)

- IC = 500 mA - IB = 50 mA - VCEsat – – 0.7 V

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1)

- VCE = 1 V - IC = 300 mA - VBE – – 1.2 V

Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom

- VCE = 45 V

- VCE = 25 V B-E short BC327

BC328 - ICES – 2 nA 100 nA

- VCE = 45 V

- VCE = 25 V B-E short Tj = 125°C BC327

BC328 - ICES – – 10 µA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

- VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 50 MHz fT– 100 MHz –

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

- VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO – 12 pF –

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 200 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden