NPN-Leistungstransistoren 2N 2 N 4347 2 N 3442 und 2 N 4347 sind einfachdiffundierte NPN-Silizium-Transistoren im Gehause 3 A2 DIN 41872 (TO-3). Der Kollektor ist mit dem Gehduse elektrisch verbunden. Die Transistoren sind besonders fiir den Einsatz bei hohen Betriebsspannungen in NF-Endstufen, als Leistungs- schalter und in der Regeltechnik geeignet. Fur die isolierte Befestigung dieser Transistoren auf einem Chassis sind je 1 Glimmerscheibe und je 2 Isoliernippel vorgesehen. Diese sind zusatzlich zu bestelien. Typ | Bestellnummer Typ | Bestellnummer 2 N 4347 Q62702U38-F100 Glimmerscheibe | Q62901-B11-A 2N 3442 Q62702U59-F100 lsoliernippet Q62901-B13C (Teflon) Gewicht etwa 16,5 g Glimmerscheibe lsoliernippel Mabe in mm Ma&stab 2:1 Grenzdaten | 2N 4347 2 N 3442 Kollektor-Basis-Spannung Ucso 140 160 Vv Kollektor-Emitter-Spannung (Use = 1,5 V) Ucev 140 160 Vv Kollektor-Emitter-Spannung Ucto 120 140 Vv Emitter-Basis-Spannung Veso 7 7 Vv Kollektorstrom Ie 10 10 A Kollektor-Spitzenstrom Tow 15 15 A Basisstrom Is 7 7 A Sperrschichttemperatur 7; 200 200 C Lagertemperatur Ts -65 bis +200 -65 bis +200 C Gesamtverlustleistung (7g S 25C) Prot 117 117 WwW Warmewiderstand Kollektorsperrschicht Transistorgehduse Renas | 31,5 { S1,5 | K/W 4512 N 3442 2 N 4347 Statische Kenndaten (7, = 25C) Kollektor-Basis-Reststrom (Ucto = 140 V) Kollektor-Emitter-Reststrom (Ucey = 120 Vv; -Use = 1,5 V) Kollektor-Emitter-Reststrom (Ucev =140V; Use = 1,5 Vv) Kollektor-Emitter-Reststrom (Ucey =120V; Usge =1,5V; Tg = 150C) Kollektor-Emitter-Reststrom (Uce =140V; ~Use =1.5V; Tg = 180C) Emitter-Basis-Reststrom (Uggo = 7 V) Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (I, = 200 mA) Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (I_ = 100 mA; Uge = 1,5 V) Basis-Emitter-Spannung (Ie = 3A; Uce = 4V) Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung (Ig = 3A; Ip = 0,3 A) Statische Stromverstarkung (Ig = 3A; Uce = 4V) Dynamische Kenndaten (7, = 25C) Transitfrequenz (Ie = 300 mA; Uce = 2 V) Dynamische Stromverstarkung (Ic = 2 A; Uce = 4V) AQL = 0,65% 452 2 N 4347 2N 3442 Iceo Icev Icev Tcev Icev Tego Uveryceo Uverycev Use Uce sat B i Bo <2 > 120 > 140 <1,7 <1 20 bis 70 0,8 > 12 <1 <1 <10 <5 > 140 > 160 <1,7 <1 20 bis 70 0,8 > 12 mA* mA mA* mA mA mA* vr Vv" MHz2 N 3442 2 N 4347 Temperaturabhangigkeit der zulassigen Gesamtverlustleistung Proy = F (Ta) Ww 150 Prat 100 50 0 100 200C * fi Zuldssige Impulsbelastbarkeit WwW fue =F (t 10' > owt 3 0? 607 6 tls ~ I 453Zulassiger Betriebsbereich A Io = (Uce): Tg = 80C; = 0,01 le 10? 5 10) 5 D 10 W 630 5 480 320 200 1 120 0 80 109 10! 102 10y > lee Sattigungsspannung Ucesar = f (Ic) A 2 N 3442, 2N 4347 10! in 5 102 5 Mittelwert 107 ~~ Streuwert bei J, = 25C 5 10? > Veesat 454 Zulassiger Betriebsbereich g fem F (ce): Te = 80C; = 01 102 5 10! 109 250 210 160 16 08 10! 10? 10V lee Sattigungsspannung Ugesat =f (Ic) 2 N 3442, 2 N 4347 10! 5 Mittelwerte 0? > Ue2 N 3442 2 N 4347 Stromverstarkung B = f (Jc) 2 N 3442, 2 N 4347 103 5 5 wwe Mittelwert Streuwerte bei =25C 455