SENSOR / CAPTEUR
ABB Entrelec
10, Rue Ampère
69680 Chassieu, FRANCE
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Commercial reference
référence commerciale
ESM1000F
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Référence de commande
1SBT191000R0001
Issued: 2002.04.12
Emis le :
Modification : 1
Date : 2002.11.27
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CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES
Nominal primary current (IPN)Courant primaire nominal (IPN)A r.m.s. (A eff.) : 1000
Measuring range (IP max) Plage de mesure (IP max) A peak (A crête) : ±1500
Max. measuring resistance (RM max) Résistance de mesure max. (RM max) Ω
ΩΩ
Ω: 25 (@IPmax / ±24V (±5%))
Min. measuring resistance (RM min) Résistance de mesure min. (RM min) Ω
ΩΩ
Ω: 0(@I
PN / ±24V (±5%))
Not measurable overload Surcharge non mesurable A peak (A crête) : ≤ 10000 (10ms/h)
Turn ratio (NP/NS)Rapport de transformation (NP/NS): 1/5000
Secondary current (IS) at IPN Courant secondaire (IS) à IPN mA : 200
Accuracy at IPN Précision à IPN %: ≤ ±0.5 (@ +25°C)
Accuracy at IPN Précision à IPN %: ≤ ±1 (-20°C … +70°C)
Offset current (IS0)Courant résiduel (IS0)mA : ≤ ±0.25 (@ +25°C)
Linearity Linéarité %: ≤ 0.1
Thermal drift coefficient Coefficient de dérive thermique mA/°C : ≤ 0.01 (-20°C … +70°C)
Delay time Temps de retard µ
µµ
µS: ≤ 1
di/dt correctly followed di/dt correctement suivi A/µ
µµ
µs: ≤ 100
Bandwidth Bande passante kHz : 0 … 100 (-1dB)
No-load consumption current (IA0)
(Consumption = IA0 + I S)
Courant de consommation à vide (IA0)
(Consommation = IA0 + IS)mA : ≤ 15
Voltage drop (e) Tension de déchet (e) V: ≤ 2
Secondary resistance (RS)Résistance secondaire (RS)Ω
ΩΩ
Ω: ≤ 44 (@ +70°C)
Dieletric strength Rigidité diélectrique
Primary / Secondary Primaire / Secondaire kVr.m.s. (kV eff.) : 3 (50Hz, 1min)
Supply voltage Tension d'alimentation V d.c. : ±15 … ±24 (±5%)
Mass Masse Kg : 0.600
Operating temperature Température de service °C : -20 … +70
Storage temperature Température de stockage °C : -40 … +85
Temperature of primary conductor
in contact with the sensor
Température du conducteur primaire
en contact avec le capteur °C : ≤ 100
Particularities
High magnetic immunity
Particularités
Immunité magnétique élevée
C_ES_7.doc