Low power switching transistors Transistors de commutation - Schalttransistoren RATINGS (at Tamb = 25C, CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C, unless otherwise stated) P| o unless otherwise stated) ol u XN at at at at L T 0 % tle, le fvot ve ly 1. | 1, fe t rE, |to1{teail*) T TYPE |Ycgo| Yceo|Yepo| Te |Peot! 73) Ove cE wf | tT |ob|%ca} ce )pe | *c | *B [fon | ofe| *c |tBt|*BY IR] 1 re Vorr Vop i sat |sat t. r N 5 Vv Vv Vv mA | mw | c v mA | MHz [pF | V v v mA | mA [| ns | ns mA [wA [mA || max | max |max | max| max|max|min ~ max min |max max |max max _| max BSVI5 40 5 1000 ]5000/200} 40-100 ] 100 50 |30 }10 1 500] 25 }500 650 1100 5 5 [P] 112Bar6 40 5 1000/5000;200] 63-160 J 100 50 130 [10 ] 500] 25 }500 650 {100 5 5 {P] 112Ba-10 40 5 1000 | 5000 } 200| 100-250 1 100 50 |30 |10 1 500} 25 [500 650 | 100 5 5 |P) 112Ba-16 BSV16 60 5 1000]5000|200; 40-100 1 100 50 |30 j10 1 500] 25 1500 650 | 100 5 5 |P 112Ba-6 60 5 1000 |5000/200;] 63-160 1 100 50 )30 j10 1 500) 25 |500 650 | 100 5 5 |P 112Ba-10 60 5 1000 |5000]200/100-250 11 100 50 {30 j10 1 500} 25 {500 650 | 100 5 5 |P] 112Ba-16 BSV17 80 5 1000 |5000/200] 40-100 1 100 50 130 |10 1 500} 25 {500 650 }100 5 5 |P] 112Ba-6 80 5 1000 |5000/200] 63-160 1 100 50 1/30 |10 1 500} 25 {500 650 |100 5 5 }P] 112Ba-10 BSV21 12 12 5 200] 360/200; 40-150 0,5} 30 400 6 5 0,2 41,2 30 3 60 90 30 $1,5}1,5]/P] 110a BSV23 25 20 3 200] 300 20 1 10 200 6 5 0,6 10,9 | 10 1 10 3 [1,5] N|NS131 BSV24 20 15 5 200} 300 1 10 200 6 5 0,9 10 1 10 3 }1,5]/N|NS131 BSY25 30 12 5 500] 300 40 1 10 400 4 5 0,241/0,85 10 1 15 20 10 3 11,51 N|NS131 BSV26 40 15 5 500] 300 40-120 1 10 500 4 5 0,24/0,85 10 1 12 18 10 3 11,5] N|NS131 BSV27 40 15 5 500] 300 40-120 1 10 500 4 5 0,24/0,85 10 1 12 18 10 3 [1,5] NINSI31 BSV28 |100 }100 5 100] 300/125) 30 6 10 0,5 1 2) 0,1 NINS1I31 BSV29 |120 {120 5 100; 300)125! 30 6 10 0,5 1 2| 0,1 NINSI31 BSV33 12 12 4 200] 300 40-150 6 30 400 6 5 0,5 41,7 100} 10 60 60 30 ]1,5]1,5)P]NS131 BSV35 40 15"] 5 400 40-170 1 10 500 4 5 0,2410,85 10 1 12 18 10 3 1 [NINSI13 BSV35A| 25 20 5 500 20 1 10 300 6 5 0,6 |0,9 10 ] 40 75 10 3 1 TNINS113 BSV36 15 6" 4 50 30-150 0,4) 20 600 3 5 0,2510,9 10 1 20 15 10 3 1 | N]NS113 BSV37 12 12") 4 100 40-150 0,5; 30 400 6 5 0,154;0,98 10 ] 60 90 30 11,5)1,5]/P]NS113 BSV52 20 12 5 50] 150/125] 40-120 1 10 400 4 5 0,25/0,85 10 I 12 18 10 3 NjNS133a BSV52R] 20 12 5 100] 200})150) 40-120 1 10 400 4 5 0,25/0,85 10 1 12 18 10 3 N/|NS133b BSV57B/ Interbias voltage Vag = 35V ; cam = 1,5A ; Pot = 300mW at-Tamb = 25C (max) NS140c BSV59 60 30 5 500} 360/200] 30-120 {10 150[{ 250 1 1,6 500} 50 40 40 {150 [15 [15 IN| 1140a BSV60 45 40 5 3000} 800}]200} 50-150 2 2000 50 175 |10 0,9 11,3 [20001200 |500 {1000 |} 1000/50 ]10 |N| 112Ba BSV64 1100 60 3 2000! 5Wall75} 40 2 2000] 100/80 |10 1,0 11,8 |5000;500 |600 |1200 |5000]500|500/N] 112Ba BSV65FA 20 5 5 150] 150]150} 40-300 |0,35] 10 280 5 5 0,3 10,9 10 20 40 10 3 /1,5/N|NS133 BSV65FB 20 15 5 150} 1507150} 75-300 }0,35} 10 280 5 5 0,3 10,9 10 20 40 10 3 |1,5/N]NS133 BSV68 {110 100 6 100} 250;150;} 30 5 10 50 53 410 0,25;0,9 25; 2,5 P| 110a BSV69 45 40 6 1000} 800;200} 30 1 500 i0 110 0,7511,7 {10001100 35 60 |500 [50 |50 {N] 112Ba BSV77 40 40 800}200; 30 1 500 35 60 |500 {50 |50 {N} 112 BSV78 | See FET, page2?4 BSV79 | See FET, page214 BSV80 | See FET, page214 BSV8l | See FET, page214 BSV82 90 80 5 1000] 6Wb{175/ 30 0,5 4150 0,5 500 P] 112Ba BSV84 |120 70 7 10001 6Wb!175] 40 1 150 1 500 Ni 112Ba BSV89 25 10 5 360|200| 40 1 10 600 4 5 0,2 }0,85 10 1 12 18 10 3 /1,5|N 110a BSV90 30 13,51 5 360/200] 40 1 10 600 4 5 0,2 {0,85 10 1 12 18 10 3 {1,5]N 110a BSV91 40 15 5 3601200; 40 1 10 600 4 5 0,25;0,85 10 1 12 18 10 3 /1,51N 110a BSV92 40 15 5 360}200} 70 1 10 650 4 5 0,2 10,85 10 1 12 18 10 3 :11,5|N 110a BSV95 80 50 6 1000} 800}200} 40 1 100 400 (10 |10 0,5 71,2 500; 50 35 60 1500 [50 |50 |N| 112Ba () typical value (a) at Tcase = 50C (") minimum value (b) at Tcase = 25C (1!) maximum value