Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 400 N 26 KOF N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts- und Ruckwarts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages T vj = - 40C...Tvj max VDRM, VRRM 2600 V V Vorwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage T vj = - 40C...Tvj max VDSM 2600 V V Ruckwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage T vj = + 25C...Tvj max VRSM 2700 V V ITRMSM 800 A ITAVM 400 510 A 13000 11000 A A Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current T C = 85C T C = 71C Stostrom-Grenzwert surge current ITSM T vj = 25C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms Grenzlastintegral It-value T vj = 25C, tp = 10ms Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 It T vj = Tvj max, tp = 10ms 845000 605000 (diT/dt)cr As As 150 A/s 1000 V/s 1,88 V f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage T vj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 6. Kennbuchstabe / 6th letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage T vj = Tvj max, iT = 1500A vT Schleusenspannung threshold voltage T vj = Tvj max V(TO) 1,00 V Ersatzwiderstand slope resistance T vj = Tvj max rT 0,50 m Zundstrom gate trigger current T vj = 25C, vD = 6V IGT max. 250 mA Zundspannung gate trigger voltage T vj = 25C, vD = 6V VGT max. 2,2 V Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current T vj = Tvj max, vD = 6V IGD max. max. 10 5 mA mA Nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage T vj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V Haltestrom holding current T vj = 25C, vD = 6V, RA = 5 IH max. 300 mA Einraststrom latching current T vj = 25C, vD = 6V, RGK 10 IL max. 1500 mA iD, iR max. 100 mA tgd max. 4 s typ. 300 s 3 3,6 kV kV T vj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM max. iGM = 1A, diG/dt = 1A/s, tG = 20s Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents T vj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM Zundverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time T vj = Tvj max, iTM = ITAVM T vj = 25C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s tq vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/s, -di T/dt = 10A/s 5. Kennbuchstabe / 5th letter O Isolations-Prufspannung insulation test voltage SZ M ; K.-A. Ruther VISOL RMS, f = 50Hz, t = 1min RMS, f = 50Hz, t = 1sec 31. Mai 95 A 116/95 Seite/page 1(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 400 N 26 KOF N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per module, = 180sin pro Zweig / per arm, = 180sin RthJC max. max. max. max. RthCK max. max. pro Modul / per module, DC pro Zweig / per arm, DC Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module pro Zweig / per arm 0,0325 0,0650 0,0310 0,0620 C/W C/W C/W C/W 0,01 C/W 0,02 C/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max 125 C Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+125 C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+130 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment fur mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance 15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment fur elektrische Anschlusse terminal connection torque Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 12 Nm Gewicht weight G typ. 1500 g Kriechstrecke creepage distance 19 mm Schwingfestigkeit vibration resistance 50 m/s f = 50Hz Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ M ; K.-A. Ruther 31. Mai 95 Seite/page 2(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module SZ M ; K.-A. Ruther TT 400 N 26 KOF 31. Mai 95 N Seite/page 3(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 400 N 26 KOF N Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes Z thJC fur DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 R thn [ C / W ] 0,00137 0,00486 0,0114 0,0223 0,0221 n [ s] 0,00076 0,0086 0,101 0,56 3,12 Analytische Funktion: SZ M ; K.-A. Ruther Z thJC 6 7 t - n = R thn 1 - e n =1 nmax 31. Mai 95 Seite/page 4(4)