2N7000
2N7000
N-Channel Enhancement Mode FET
N-Kanal FET Anreicherungstyp
ID= 200 mA
RDS(on)1 < 5 Ω
Tjmax = 150°C
VDSS = 60 V
Ptot = 350 mW
Version 2017-08-16
TO-92 (10D3)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing, Logic level
converter, Drivers
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Pegel-
wandler, Treiberstufen
Standardausführung 1)
Features
Fast switching times
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Schnelle Schaltzeiten
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
(Raster 2.54) 4000 Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDSS 60 V
Drain-Gate-voltage – Drain-Gate-Spannung RGS ≤ 1 MΩ VDGR 60 V
Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung DC
tp < 50 µs VGSS ± 20 V
± 40 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 350 mW 3)
Drain current continuos – Drainstrom
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
ID
IDM
200 mA
500 mA
Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
150°C
-55…+150°C
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source Durchbruchspannung
ID = 10 µA V(BR)DSS 60 V
Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom
VDS = 48 V, VGS = 0 V
VDS = 48 V, VGS = 0 V, Tj = 125°C IDSS 1 µA
1 mA
Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom
VGS = ±15 V ±IGSS 10 nA
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
16
18
9
2 x 2.54
SG D
2N7000
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung
VGS = VDS, ID = 1 mA VGS(th) 0.8 V 3 V
Drain-Source on-voltage – Drain-Source-Spannung
VGS = 10 V, ID = 500 mA
VGS = 4.5 V, ID = 75 mA VDS(on) 2.5 V
0.45 V
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
VGS = 10 V, ID = 500 mA
VGS = 4.5 V, ID = 75 mA RDS(on) 5 Ω
6 Ω
Forward Transconductance – Übertragungssteilheit
VDS = 10 V, ID = 200 mA gFS 100 mS
Input Capacitance – Eingangskapazität
VDS = 25 V, f = 1 MHz Ciss 60 pF
Output Capacitance – Ausgangskapazität
VDS = 25 V, f = 1 MHz Coss 25 pF
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität
VDS = 25 V, f = 1 MHz Crss 5 pF
Turn-On Delay Time – Einschaltverzögerung
VDD= 15 V, RL= 30 Ω, ID= 0.5 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω ton 10 ns
Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung
VDD= 15 V, RL= 30 Ω, ID= 0.5 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω toff 10 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 357 K/W 1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG