BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group 348
Silizium-Differential-Fotodiode
Silicon Differential Photodiode
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (BPX 48)
und bei 920 nm (BPX 48 F)
●Hohe Fotoempfindlichkeit
●DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
●Doppeldiode mit extrem hoher
Gleichmäβigkeit
Anwendungen
●Nachlaufsteuerung
●Kantenführungen
●Weg- bzw. Winkelabtastungen
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (BPX 48) and of 920 nm
(BPX 48 F)
●High photosensitivity
●DIL plastic package with high packing
density
●Double diode with extremely high
homogeneousness
Application
●Follow-up control
●Edge control
●Path and angle scanning
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
BPX 48
BPX 48 F
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06638feof6638
10.95
BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group 349
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
BPX 48 Q62702-P17-S1
BPW 48 F Q62702-P305
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 80 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t≤ 3 s)
TS230 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR10 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 50 mW
Kennwerte (TA = 25 °C) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BPX 48 BPX 48 F
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2
S
S
24 (≥ 15)
–
–
7.5 (≥ 4.0)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 900 920 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ400 ... 1150 750 ... 1150 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A1.54 1.54 mm2
BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group 350
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
0.7 ×2.2 0.7 ×2.2 mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H0.5 0.5 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR10 (≤ 100) 10 (≤ 100) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
λ = 850 nm
λ = 950 nm Sλ
Sλ
0.55
––
0.65 A/W
Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit
der Systeme vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
∆S±5±5%
Quantenausbeute
Quantum yield
λ = 850 nm
λ = 950 nm η0.8
––
0.95
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
VO
VO
330 (≥ 280)
–
–
300 (≥ 280)
mV
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e = 0.5 mW/cm2, l = 950 nm
ISC
ISC
24
–
–
7
µA
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 20 µA
tr,tf500 500 ns
Durchlaßspannung, IF= 40 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kennwerte (TA = 25 °C) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BPX 48 BPX 48 F
BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group 351
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C025 25 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm TCI
TCI
0.18
––
0.2 %/K
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V, λ = 950 nm
NEP 1.0 ×10–13 1.0 ×10–13 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 10 V, λ = 950 nm
Detection limit D* 1.2 ×1012 1.2 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 °C) per single diode system
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BPX 48 BPX 48 F
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
BPX 48
BPX 48 F
Semiconductor Group 352
Relative spectral sensitivity BPX 48
Srel =f (λ)
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VO=f (Ee)
BPX 48 F
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Relative spectral sensitivity BPX 48 F
Srel =f (λ)
Total power dissipation
Ptot =f (TA)
Dark current
IR=f (TA), VR= 10 V
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VO=f (Ev)
BPX 48
Dark current
IR=f (VR), E = 0
