2007-03-29 1
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Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.0
BPX 38
Features: Besondere Merkmale:
Spectral range of sensitivity: 450 ... 1120 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
450 ... 1120 nm
Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed Gehäuse: Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch
dicht
Special: Base connection Besonderheit: Basisanschluss
Suitable up to 125 °C Geeignet bis 125 °C
High linearity Hohe Linearität
Available in groups Gruppiert lieferbar
Applications Anwendungen
Photointerrupters Lichtschranken
Industrial electronics Industrieelektronik
For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln
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Version 1.0 BPX 38
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Type: Photocurrent Ordering Code
Typ: Fotostrom Bestellnummer
λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE [µA]
BPX 38 200 Q62702P0015
BPX 38-2/3 200 ... 630 Q62702P3578
BPX 38-3 320 ... 630 Q62702P0015S003
BPX 38-4 500 ... 1000 Q62702P0015S004
Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 125 °C
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
VCE 50 V
Collector current
Kollektorstrom
IC50 mA
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
ICS 200 mA
Emitter-base voltage
Emitter-Basis-Spannung
VEB 7V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 220 mW
Thermal resistance
Wärmewiderstand
RthJA 450 K / W
Version 1.0 BPX 38
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Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λS max 880 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10% 450 ... 1120 nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A 0.675 mm2
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
L x W 1.02 x 1.02 mm x
mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 40 °
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V)
IPCB 1.8 μA
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(EV = 1000 lx, Std. Light A, VCB = 5 V)
IPCB 5.5 μA
Capacitance
Kapazität
(VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCE 23 pF
Capacitance
Kapazität
(VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCB 39 pF
Capacitance
Kapazität
(VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CEB 47 pF
Dark current
Dunkelstrom
(VCE = 25 V, E = 0)
ICE0 20 ( 100) nA
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Version 1.0 BPX 38
Grouping (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Gruppierung
Group Min Photocurrent Max
Photocurrent
Typ Photocurrent Rise and fall time
Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Anstiegs- und
Abfallzeit
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
EV = 1000 lx, Std.
Light A, VCE = 5 V
IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 k
IPCE, min [µA] IPCE, max [µA] IPCE [µA] tr, tf [µs]
BPX 38-2 200 400 950 9
BPX 38-3 320 630 1500 12
BPX 38-4 500 1000 2300 15
BPX 38-5 800 3600 18
Group Collector-emitter saturation
voltage
Current gain
Gruppe Kollektor-Emitter
Sättigungsspannung
Stromverstärkung
IC = IPCEmin x 0.3,
Ee= 0.5 mW/cm2
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
VCEsat [mV] IPCE / IPCB
BPX 38-2 200 170
BPX 38-3 200 280
BPX 38-4 200 420
BPX 38-5 200 650
Note.: IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.: IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
Version 1.0 BPX 38
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Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
Photocurrent
Fotostrom
IPCE = f(Ee), VCE = 5 V
Collector Current
Kollektorstrom
IC = f(VCE), IB = Parameter
Collector Current
Kollektorstrom
IC = f(VCE), IB = Parameter
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Version 1.0 BPX 38
Photocurrent
Fotostrom
IPCE / IPCE(25°C)= f(TA), VCE = 5 V
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(VCE), E = 0
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO/ICEO(25°) = f(TA), VCE = 25 V, E = 0
Collector-Base Capacitance
Kollektor-Basis Kapazität
CCB = f(VCB), f = 1 MHz, E = 0
Version 1.0 BPX 38
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Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter Kapazität
CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0
Emitter-Base Capacitance
Emitter-Basis Kapazität
CEB = f(VEB), f = 1 MHz, E = 0
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
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Version 1.0 BPX 38
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
ø5.6 (0.220)
ø5.3 (0.209)
2.54 (0.100)
spacing
ø4.8 (0.189)
E C B
(2.7 (0.106))
5.3 (0.209)
5.0 (0.197)
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
ø0.45 (0.018)
Radiant
GMOY6018
Approx. weight 1.0 g
ø4.6 (0.181)
5.0 (0.197)
5.5 (0.217)
Chip position sensitive area
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
Version 1.0 BPX 38
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TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
OHLY0598
0
0
50 100 150 200 250
50
100
150
200
250
300
T
t
C
s
235 C
10 s
C... 260
1. Welle
1. wave
2. Welle
2. wave
5 K/s 2 K/s
ca 200 K/s
CC... 130100
2 K/s Zwangskühlung
forced cooling
Normalkurve
standard curve
Grenzkurven
limit curves
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Version 1.0 BPX 38
Disclaimer Disclaimer
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The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
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Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
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bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
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annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
Version 1.0 BPX 38
2007-03-29 11
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