2013-08-08 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4250S Features: Besondere Merkmale: * Double Stack emitter * High Power Infrared LED * Short switching times * 2- fach Stack Emitter * Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung * Kurze Schaltzeiten Applications Anwendungen * * * * Infrared Illumination for cameras IR data transmission Sensor technology Automotive technology * * * * Infrarotbeleuchtung fur Kameras IR Datenubertragung Sensorik Automobiltechnik Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefahrlich fur das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, mussen gema den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2013-08-08 1 Version 1.2 SFH 4250S Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstarke Bestellnummer IF=70 mA, tp=20 ms Ie [mW/sr] SFH 4250S 22 ( 12.5) Note: Measured at a solid angle of = 0.01 sr Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Q65111A0128 Maximum Ratings (TA = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Symbol Werte Einheit Top; Tstg -40 ... 100 C Reverse voltage Sperrspannung VR 5 V Forward current Durchlassstrom IF 70 mA Surge current Stostrom (tp = 100 s, D = 0) IFSM 0.7 A Total power dissipation Verlustleistung Ptot 245 mW Electrostatic discharge (HBM) Elektrostatische Entladung (HBM) ESD 2 Thermal resistance junction - ambient 1) page 12 Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthJA 300 K/W Thermal resistance junction - soldering point RthJS 140 K/W kV 1) Seite 12 2) page 12 Wamewiderstand Sperrschicht - Lotstelle 2) Seite 12 2013-08-08 2 Version 1.2 SFH 4250S Characteristics (TA = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlange (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) peak 860 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlange der Strahlung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) centroid 850 nm Spectral bandwidth at 50% of Imax Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) 30 nm Half angle Halbwinkel (typ) 60 Active chip area Aktive Chipflache (typ) A 0.09 mm2 Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipflache (typ) LxW 0.3 x 0.3 mm x mm Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max) Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 70 mA, RL = 50 ) (typ) tr, tf Forward voltage Durchlassspannung (IF = 70 mA, tp = 20 ms) 15 ns (typ (max)) VF 3 ( 3.5) V Forward voltage Durchlassspannung (IF = 700 mA, tp = 100 s) (typ (max)) VF 4 ( 5.2) V Reverse current Sperrstrom (VR = 5 V) (typ (max)) IR Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (IF=70 mA, tp=20 ms) (typ) 2013-08-08 3 e not designed for A reverse operation 70 mW Version 1.2 SFH 4250S Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of Ie or e Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCI -0.5 Temperature coefficient of VF Temperaturkoeffizient von VF (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TCV -2 mV / K Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlange (IF = 70 mA, tp = 20 ms) (typ) TC 0.3 nm / K %/K Grouping (TA = 25 C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstarke Max Strahlstarke Typ Strahlstarke IF=70 mA, tp=20 ms IF=70 mA, tp=20 ms IF = 700 mA, tp = 25 s SFH 4250S-R2 Ie, min [mW / sr] Ie, max [mW / sr] Ie, typ [mW / sr] 12.5 20 125 SFH 4250S-S 16 32 185 SFH 4250S-T 25 50 290 Note: measured at a solid angle of = 0.01 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). Anm.: gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1). 2013-08-08 4 Version 1.2 SFH 4250S Relative Spectral Emission 3) page 12 Relative spektrale Emission 3) Seite 12 Radiant Intensity 3) page 12 Strahlstarke 3) Seite 12 Irel = f(), TA = 25C Ie / Ie(70 mA) = f(IF), single pulse, tp = 25 s, TA = 25C OHF04132 100 OHF05585 101 e e (70 mA) I rel % 80 100 60 10-1 40 10-2 20 0 700 750 800 Max. Permissible Forward Current Max. zulassiger Durchlassstrom IF, max = f(TA), RthJA = 300 K / W IF 10-3 0 10 nm 950 850 102 mA 103 IF Forward Current Durchlassstrom 3) Seite 12 3) page 12 IF = f(VF), single pulse, tp = 100 s, TA= 25C OHF04489 80 mA 101 IF 70 OHF05579 103 mA 60 102 50 5 40 30 101 20 5 10 0 0 20 40 60 100 80 C 100 TA 2013-08-08 2 3 4 V 5 VF 5 Version 1.2 SFH 4250S Permissible Pulse Handling Capability Zulassige Pulsbelastbarkeit Permissible Pulse Handling Capability Zulassige Pulsbelastbarkeit IF = f(tp), TA = 25 C, duty cycle D = parameter IF = f (), TA = 85 C, duty cycle D = parameter OHF04490 0.75 IF A tP D= T OHF04491 0.75 IF A tP IF t D = TP T 0.60 0.55 0.50 D= 0.45 0.005 0.01 0.40 0.02 0.35 0.05 0.30 0.1 0.2 0.25 0.5 0.20 1 0.15 0.10 0.05 0 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 tP IF T 0.60 0.55 0.50 D= 0.45 0.005 0.01 0.40 0.02 0.35 0.05 0.30 0.1 0.2 0.25 0.5 0.20 1 0.15 0.10 0.05 0 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102 tp tp Radiation Characteristics 3) page 12 Abstrahlcharakteristik 3) Seite 12 Irel = f() 40 30 20 10 0 50 OHL01660 1.0 0.8 0.6 60 0.4 70 0.2 80 0 90 100 1.0 2013-08-08 0.8 0.6 0.4 0 20 6 40 60 80 100 120 Version 1.2 SFH 4250S Package Outline Mazeichnung Dimensions in mm (inch). / Mae in mm (inch). Pinning Anschlussbelegung Pin Description Anschluss Beschreibung 1 cathode / Kathode 2 anode / Anode 3 anode / Anode 4 anode / Anode Package Power TOPLED, cathode marking: bevelled edge, clear resin Gehause Power TOPLED, Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke, klarer Verguss 2013-08-08 7 Version 1.2 SFH 4250S Method of Taping Gurtung 2.9 (0.114) 4 (0.157) Dimensions in mm (inch). / Mae in mm (inch). 2013-08-08 8 8 (0.315) Cathode/Collector Marking 1.75 (0.069) 2 (0.079) 3.5 (0.138) 4 (0.157) 3.6 (0.142) 1.5 (0.059) OHAY0536 Version 1.2 SFH 4250S Recommended Solder Pad Empfohlenes Lotpaddesign Reflow Soldering / Reflow Loten Padgeometrie fur verbesserte Warmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 3.3 (0.130) 3.3 (0.130) 2.3 (0.091) 11.1 (0.437) 1.5 (0.059) 1.1 (0.043) 3.7 (0.146) 0.8 (0.031) 0.7 (0.028) Cu Flache / <_ 16 mm 2 per pad Cu-area Lotstoplack Solder resist Dimensions in mm (inch). / Mae in mm (inch). 2013-08-08 9 OHFP3021 Version 1.2 SFH 4250S Reflow Soldering Profile Reflow-Lotprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 OHA04525 300 C T 250 Tp 245 C 240 C tP 217 C 200 tL 150 tS 100 50 25 C 0 0 50 100 150 200 s 300 250 t OHA04612 Profile Feature Profil-Charakteristik Symbol Symbol Pb-Free (SnAgCu) Assembly Minimum Ramp-up rate to preheat*) 25 C to 150 C Time tS TSmin to TSmax tS 60 Ramp-up rate to peak*) TSmax to TP Recommendation Maximum 2 3 100 120 2 3 Unit Einheit K/s s K/s Liquidus temperature TL 217 Time above liquidus temperature tL 80 100 s Peak temperature TP 245 260 C Time within 5 C of the specified peak temperature TP - 5 K tP 20 30 s 3 6 K/s 10 Ramp-down rate* TP to 100 C 480 Time 25 C to TP All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 2013-08-08 C 10 s Version 1.2 SFH 4250S Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you - get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Anderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen konnen die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Fur weitere Informationen zu gewunschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nachstgelegene Vertriebsburo. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zuruck, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Fur Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zuruckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mussen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, mussen fur diese Zwecke ausdrucklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* durfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverstandnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems fuhren wird oder die Sicherheit oder Effektivitat dieses Apparates oder Systems beeintrachtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind fur (a) die Implantierung in den menschlichen Korper oder (b) fur die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2013-08-08 11 Version 1.2 SFH 4250S Glossary Glossar 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each 1) Warmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgroe je 16 mm2 2) Thermal resistance: junction mounted on metal block point, 2) Warmewiderstand: Sperrschicht Montage auf Metall-Block 3) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 3) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED konnen typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes uberein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden konnen. Falls erforderlich, z.B. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankundigung geandert. 2013-08-08 -soldering 12 -Lotstelle, bei Version 1.2 SFH 4250S Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstrae 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com (c) All Rights Reserved. 2013-08-08 13