E> wy BU 204 - BU 205 - BU 206 Silizium-NPN-Leistungstransistoren Silicon NPN Power Transistors Anwendung: Horizontal-Ablenk-Endstufen in Schwarz-WeiB-Fernsehempfangern Application: Horizontal deflection circuits in black and white TV-receivers Besondere Merkmale: Features: @ Hohe Sperrspannung @ High reverse voltage @ Hohe Spitzenleistung @ High peak power @ Verlustleistung 10 W @ Power dissipation 10 W Abmessungen in mm Dimensions in mm #1 Kollektor mit Gehaduse verbunden Collector connected with case ne 9 ee 15 Normgehause Zubehr Case Accessories 3B 2 DIN 41872 JEDEC TO 3 Isolierscheiben Best. Nr. 515390 Gewicht - Weight Isolating washers Best. Nr. 562 897 max. 20g Absolute Grenzdaten BU 204 BU205 BU 206 Absolute maximum ratings Kollektor-Emitter-Sperrspannung UcEO 600 700 800 Vv Collector-emitter voltage UCESM 'y 1300 1500 1700 V 1) StoBspitzenspg. bei BildrShren-Uberschlagen BU 204 max. 1430 V Flash-over voltage, non-repetitive BU 205 max. 1650 V BU 206 max. 1800 V B 2/V.2.439/0477A2 129BU 204 - BU 205 - BU 206 Kollektorstrom, Mittelwert Collector current, average Kollektorspitzenstrom Collector peak current Basisspitzenstrom Base peak current Negativer Basisspitzenstrom Negative base peak current Negativer Basisstrom, Mittelwert Negative base current, average lay = 20ms Gesamtverlustieistung Total power dissipation tease = 90C Sperrschichttemperatur Junction temperature Lagerungstemperaturbereich Storage temperature range BU 204/BU 205 tense 4 90C t P 7 = 0,01 p = 5 us VENA 10 us 50 ps 100 us 1 10 100 1000 V Use 2) StoBspitzenstr. bei Bildrohren-Uberschlagen Flash-over current, non-repetitive max. 5A 130 Toav iow?) 0,1 0,01 0,001 1 BU 204 10 BU 205 BU 206 25 A 3,0 A 25 A 15 A 0,1 A 10 Ww 115 c 65...+115 C tease 90 C fp F = 0,01 \ ip= 5 ps 10 ps he Rpg 1000 f Pp +< T 0,25 fp 220 us 100 1000 VBU 204 - BU 205 - BU 206 10 C/W 0,1 0,01 0,001 0,01 0,1 10 Warmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht-Gehause Junction case KenngrBen Characteristics lease = 25C Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage Ic=1mA BU 204 BU 205 BU 206 Emitter-Basis-Durchbruchspannung Emitter-base breakdown voltage Ig = 100 mA Dynamische Restspannung Fig. 1 Collector-emitter saturation voltage Ip =2A;1p=0,8A Basis-Emitter-Sattigungsspannung Base-emitter saturation voltage Tom 2A TBHiA, BU 204, BU 205 IQ=2ATpait1a, BU 206 t %) 2 =0,01, p= 0,3 ms Rthuc UBr)CEs UBR)CES U(BR)CES UBR)EBO URest dyn Upesat 2 U BEsat ) 731419 Thk 1000 ms p Min. Typ. Max. 25 CIW 1300 Vv 1500 Vv 1700 Vv 5 Vv 7,5 Vv 1,5 Vv 1,5 Vv 131BU 204 - BU 205 - BU 206 Min. Typ. Max. Kollektorreststrom Collector cutoff current Ucesm: Upe = OV ICES 1 mA Transitfrequenz Gain bandwidth product UceE= 5V, Io= 100 mA JS = 5 MHz ST 7,5 MHz Kollektor-Basis-Kapazitat Collector-base capacitance Ucp = 10V, t = 1 MHz Ccpo 80 pF Abfallzeit Fall time . Ig=2A,Ip=1A') te 0,75 us MAD J & Ue 50V Sca90%loy U. ' Dyn. R 9 $s \ / Saturation voltage e | 2 se a 172088 i Fig. 1 Definition von URest dyn Definition from URest dyn ) Die Induktivitat im Basiskreis und die rechteckfrmige Ansteuerspannung sind so zu wahlen, daB sich eine Speicherzeit tg ~ 10 us ergibt. The inductance in base circuit and rectangular drive voltage pulse should be so selected that a storage time tg is approximately 10 ys. 132BU 204 - BU 205 - BU 206 133