DAN601 / DAP601 (200 mW)
DAN601 / DAP601 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Diodensätze mit Allzweckdioden
Version 2008-04-15
Dimensions - Maße [mm]
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
80 V
7-pin Plastic case
7-Pin Kunststoffgehäuse
18 x 3.5 x 6.6 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca. 0.6 g
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
“DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden “DAP” common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
DAN601 80 80
DAP601 80 80
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
TA = 25°C
IFAV
IFAV
100 mA 2)
33 mA 2)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
TA = 25°C
IFAV
IFAV
100 mA 2)
33 mA 2)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 500 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Ø 0.5
6 x 2.54
3.5
6.6
±0.2
3.5
±0.2
18
±0.2
Type
Typ