T60404-N4644-X111 - Vacuumschmelze

VACUUMSCHMELZE DATENBLATT / Specification Sach Nr.:

Item no.: T60404-N4644-X111

K-Nr.:

K-no.: 50 / 100 A - Stromsensor-Modul / Current Sensor Module Datum:

Date: 20.05.1999

Kunde:

Customer Ty penelement / Standard Type Kd. Sach Nr.:

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Schadenersatz. Alle Rechte für den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten

Maßbild siehe Blatt 2 (Mechanic al outlines page 2)

Anschlußschema:

Schematic diagram

+ UB

- UB

i1+

-Ra

Betriebsdaten/Charakteristische Daten (Richtwerte):

Operational dat a/ characteristi c data (nominal values):

Nennstrom i1Neff = 50 / 100 A

Rated current

Nennausgangsstrom iaNeff = 25 / 50 mA

Output current

Nennübersetzungsverhältnis KN= (1) : 2000

Transformation ratio

Überstrom (Ra< 25 Ω)) µ1max =±150 A

Over current (Ra < 25 Ω )

Versorgungsstrom im Leerlauf IBo <18 mA

supply cu rrent

Versorgungsspannung UB=± 15 V ±5%

Supply volt age

Maximale Versorgungsspannung (ohne Fkt.) UBtot =±18 V

Maximum supply voltage (without function)

Innenwiderstand Ri< 120 Ω

Interal resistance

Abschlußwiderstandsbereich Ra= 15...200 Ω

Load resistance

Umgebungstemperatur TU= -40...+70 °C

Ambi ent temperature für Ra ≥ 56 Ω oder i1eff ≤ 50 A TU= -40...+85 °C

for Ra ≥ 56 Ω or i1eff ≤ 50 A

Weitere Vorschriften:

Applic able documents: Siehe Seite 5

See page 5

Datum Name Index Änderung

20.05.99 Bd. 82 BE mit DIN EN50178 Vermerk ergänzt. Typprüfung M3024 und M3064 hinzugefügt . M3014: korrigiert.

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Maßbild (mm): Freimaßtoleranz DIN ISO 2768-c

Mechanical out l i ne General toleranc es

22,86 5,08 6,03

10,795

12,065

6,2

1,5

25,4

3,5-0,5

123

81,2

12,9

12,4

22,86

0,5

Toleranz der Stiftabstände ±0,2mm

( Tolerances grid distance )

+U B-U Bi a

DC=Date Code

F=Factory

3,2 1,6

4,8±0,5

22,86

1,0x0,5

Verschiebekraft

für Strombügel

größer 10 N

(Terminal tension

strength for current

winding more than 10 N)

F DC

Anschlüsse 1...3

Connections

Cu-Bügel 3,2 x 1,6 mm

Contact bow

4644X111 F DC

Beschriftung:

inscription

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Prüfung: (V:100% -Test; AQL...:DIN ISO 2859-Teil 1)

Inspection

1) (V) Ausgangsstrom (Ra = 50 Ω)i

a (50 A) = 25 mA ± 0,5 %

Output cu rrent (Ra = 50 Ω)

2) (V) Offsetstrom IO≤0,05 mA

Offset current

3) (V) M3014: Prüfspannung (50 Hz, 2 s), Up,eff =3,8kV,

Strombügel ( 21,22) gegen Stifte 1,2 und 3

Test voltage (50 Hz, 2 s) Contact bow ( 21,22) to Pins 1,2 and 3

Messungen nach Temperaturangleich der Prüflinge an Raumtemperatur

Measurement s after temperature balance of the samples at room temperature

Maximal meßbarer Strom î1 (Ra)

Maximum measurable current î1(Ra)

020

40 60 80 100 120 140 160 180

110

130

150

200

U B =±15V

Ω

ΩΩ

Ω

N1 i1

170

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Charakteristische Daten (Richtwerte) des Stromsensormoduls ermittelt durch eine Typprüfung

General data ascertained by type test

Meßgenauigkeit bei Raumtemperatur Fi<0,5%

Measuring acc uracy at room tem peratur

Linearität FLi <0,1%

Linearity

Temperaturdrift von Fi (-40...+70°C) FTi <0,1%

Temperature dri ft of Fi (-40...+70° C)

Frequenzbereich (bei eingeschränkter Amplitude) f = DC...100 kHz

Frequency range (with limited amplitude)

Ansprechzeit τ<3µs

Response t i me

Verzögerungszeit bei î1max bei einem Stromanstieg von di/dt = 100 A/µs∆t (î1max, 100 A/µs)<1µs

Delay time at î1max with a current rise of di/dt = 100 A/µs

Offsetstrom (beinhaltend Io, ∆Iot, ∆IoT)I

oges <0,05mA

Offset current (including Io, ∆Iot, ∆IoT)

Offsetstrom bei Raumtemperatur Io<0,05mA

Offs et current at room temperature

Drift von Io∆Iot <0,05mA

Offset current drift

Temperaturdrift von Io (-40...+70°C) ∆IoT <0,05mA

Offs et current temperat ure dri f t (-40...+70°C)

Hysterese von Io∆IoH < 0,075 mA

Hysteres i s of Io

Offsetripple (s.Blatt 6) ioss <1mA

Offs et ri ppl e (s. page 6)

Versorgungsspannungsdurchgriff auf Io∆Io/∆UB<0,01mA/V

Supply volt age rej ection ratio

Maximal mögliche Koppelkapazität primär - sekundär Ck<9pF

(bei nichti soliertem das Innenloch voll ausfüllendem Primärleiter)

Maxiimum possibble coupling capacitance (primary - secondary)

(with not isolated the the hole completely filling primary conductor)

Ausgangsstörgleichstrom IaSt <0,1mA

Interference output current

Kritischer Abstand bei einem Störimpuls aKrit <3cm

Critic al di stance with an interferenc e pul se current

Lagertemperaturbereich TL= -40 ... +85°C

Storage temperature range

Masse m < 30 g

Masse

Stromrichtung: Ein positiver Meßstrom erscheint am Anschluß ia, wenn der Primärstrom in Pfeilrichtung fließt.

Current direction: A positi v out put current appears at point i a by primary current in di rection of the arrow.

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Weitere Vorschriften:

Applic able documents:

Konstruiert, gefertigt und geprüft nach DIN EN 50178 (VDE 0160) und erfüllt die Vorschriften.

Parameter: Verstärkte Isolierung: Strombügel ( 21,22) gegen Stifte 1,2 und 3 Verschmutzungsgrad 2

Netznennspannung Ueff = 690 V Isolierstoffklasse 2

Construc ted, manufactured and tested in accordance with DIN EN 50178 (VDE 0160) and agrees with the standards.

Parameters: Reinforced insulation: Contac t bow ( 21,22) to P i ns 1,2 and 3 Pollution degree 2

Rated voltage Urms = 690 V Insulat i on material group 2

Gehäuse und Spulenkörperwerkstoff UL gelistet

Housing and bobbin material UL-list ed

Typprüfung:

Type test

1) Stoßspannungsprüfung in Anlehnung an M3064

HV transi ent test acc ordi ng to M3064

Strombügel ( 21,22) gegen Stifte 1,2 und 3

Contact bow ( 21,22) to Pins 1,2 and 3

Einstellwerte: 1,2 µs / 50 µs-Kurvenform (waveform)

Settings UP,max = 9,6 kV

Ri = 40 Ω

3 Impulse im Abstand t = 10 Sekunden mit wechselnder Polarität

3 pulses i n a cycle of t = 10 sec onds with c hangi ng pol ari t y

2) M3024: Up,eff = 3,8 kV, 60 s Strombügel ( 21,22) gegen Stifte 1,2 und 3

UTA, eff ≥0,9 kV Contact bow ( 21,22) t o Pins 1,2 and 3

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Mögliche Offsettripple-Verringerung durch Tiefpaß:

Avariable offset ripple reduction means of a low pass:

Der Offsettripple kann durch einen externen Tiefpaß verringert werden . Dazu muß parallel zu Ra eine Kapazität Ca geschaltet

werden. Die Abbildung zeigt den verbleibenden Wert des Offsetripples (ioss(Ra . Ca)) bezogen auf den Wert ohne externe Kapazität

(ioss). Hierbei wird allerdings die Ansprechzeit verlängert. Sie berechnet sich nach der Formel:

The offset ripple can be reduced by an external low pass. Therefore a capacitance C a must be switched paral l el to Ra. The diagram shows

the rem ai ni ng val ue of the offset ri ppl e (i oss(Ra . Ca)) relative t o the value wit hout external capacitance (ioss). In this case the response time

is lengt hened. It is calc ul ated from:

τa ≤ τ + 2,5 . Ra . Ca bzw. fg = --------------------

2π . Ra . Ca

Beispiel: ioss (Ra . Ca)

Example: -------------------- = 25%

ioss

Ra = 47 Ω;C

a = 100 nF

τa ≤ 21 µs; fg = 34 kHz

100

10,1 110 100

Ra * Ca

[µ

]

ioss (Ra ∗=

Ca)

ioss [%]

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Erläuterung einiger in den Tabellen verwendeter Größen (alphabetisch)

Explanation of s everal of the terms used in the tablets (i n al phabet i cal order)

aKrit: Abstand eines störstromführenden Leiters von der Gehäuseseitenflaäche, bei dem auch an ungünstiger Stelle die

zugeordnete Störgröße am Ausgang des Sensos 1% des Nennstroms nicht übersteigt. Den Angaben liegt ein

sinusförmiger Störimpuls mit einer Impulsbeite von 50 µs in Höhe des Nennstroms zugrunde.

Distance of a current carring conductor from the sides of the housing, where even at the most unfavourable spot the

applicable interference at the sensor output does not exeed 1% of rated current. The data is based on a sinusoidal

interference pulse current with a pulse width of 50 µs having the same magnitude as the rated current.

Fges(i1):Die Summe aller möglichen Fehler im gesamten Temperaturbereich bei der Messung eines Stroms i1:

The sum of all possible errors over t he temperature range when measuri ng a current i1:

 ia (i1) 

Fges = 100 •

••

•  ---------------- - 1 

 KN . i1 

Fi: In der Ausgangsprüfung zugelassener Meßfehler bei RT, definiert durch

Permi ssible meas urement error in the final i nspection at RT, def i ned by

 Ia 

Fi = 100 •

••

• ----------- - 1

 iaNeff 

wobei Ian der offsetbereinigte Ausgangsgleichstromwert für einen Eingangsgleichstrom in Höhe des (positiven)

Nennstroms ist (d.h. Io = 0 )

where Ian is the out put DC val ue of an input DC current of t he same magnitude as the (positi ve) rat ed current (Io = 0)

 I1 Ia 

FLi: Linearitätsfehler definiert durch FLi = 100 •

••

•--------- - --------- 

Linearity f aul t defined by  I1Neff Ian 

Dabei ist I1 beliebiger Eingangsgleichstrom und Ia die zugehörige offsetbereinigte Ausgangsgröße (d.h. Io = 0). Ian

s. Erläuterung zu Fi.

Where I1 is any input DC and Ia the corresponding output term. Ian see notes of Fi (Io = 0).

FTi: Temperaturdrift der nennwertbezogene Ausgangsgrößen Ian (vgl. Erläuterung zu Fi) im spezifischen

Temperaturbereich, gegeben durch.

Temperat ur dri f t of the rated value orientated output term. Ian (cf. Notes on Fi) in a spec i fied temperature range, obtained by:

Ian (TU2 ) - Ian (TU1)

FTi = 100 •

••

•------------------------------------- 

 iaNeff 

IaSt: Ausgangsgleichstrom hervorgerufen durch einen Störgleichstrom in Höhe des Nennstroms in einem Leiter in 1 cm

Abstand von der Gehäuseseitenfläche (ungünstige Lage).

Output DC c urrent caused by an interfering DC c urrent of the sam e magnitude as the rat ed current in a conductor 1 cm away from the

sides of the housing (unfavourable pos i t i on).

∆IoH: Nullpunktabweichung nach Übersteuerung mit Gleichstrom des 4-fachen Nennwerts. (Ra = RaN)

Zero variaton aft er overl oadi ng with a DC of fourfold the rated value. (Ra = RaN)

∆Iot: Langzeitdrift von Io nach 100 Temperaturwechseln im Bereich von -40 bis 85 °C.

Long term dri f t of Io after 100 temperature cycles i n the range -40 to 85 °C.

τ: Ansprechzeit, gemessen als Verzögerungszeit bei i1 = 0,9 . î1 zwischen einem eingespeisten Rechteckstrom und dem

dazugehörigen Ausgangsstrom.

Response t i me, measured as delay time at i 1 = 0, 9 . î1 between a rectangul ar current i1 and the output c urrent ia

∆t (î1max, 100 A/µs): Verzögerungszeit zwischen î1max und dem dazugehörigen Ausgangsstrom ia bei einem

Stromanstieg des Primärstroms von di1/dt = 100 A/µs.

Delay time between î1max and the output current ia with a prim ary current rise of di1/ dt = 100 A/µs.