FHT8050G - N/A - Datasheet.Live

广东肇庆风华新谷微电子有限公司

广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼

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Low Frequency Power Amplifier Transistors 低频功率放大三极管

NPN Silicon (FHT8050)

FEATURES 特点

· Low Frequency Power Amplifier 低频功率放大

· Suitable for Driver Stage of Small Motor 小马达驱动

· Complementary to FHTA8550 与FHTA8550 互补

MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大额定值

CHARACTERISTIC 特性参数 Symbol 符号 Rating 额定值 Unit 单位

Collector -Base Voltage 集电极-基极电压 V CBO 40 Vdc

Collector -Em itter Voltage 集电极-发射极电压 V CEO 25 Vdc

Emitter-Base Voltage 发射极-基极电压 V EBO 5.0 Vdc

Collector Current—Continuous 集电极电流-连续 Ic 800 mAdc

Base Current 基极电流 IB 160 mAdc

Collector Power Dissipation 集电极耗散功率 PC 300 mW

Junction Temperature 结温 Tj 150 ℃

Storage Temperature Range 储存温度 Tstg -55～150 ℃

DEVICE MARKING 打标

hFE(1) FHT8050O=7O(85～200),FHT8050Y=7Y(160～300),FHT8050G=7G(280~360)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性

(TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃)

Characteristic 特性参数 Symbol

符号 Test Condition

测试条件 Min

最小值 TYP

典型 Max

最大值 Unit

单位

Collector Cutoff Current 集电极截止电流 ICBO VCB=30V,IE=0 — — 0.1

μA

Emitter Cutoff Current 发射极截止电流 IEBO VEB=5V,IC=0 — — 0.1

μA

Collector-Base Breakdown Voltage

集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO IC=100μA 40 — — V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO IC=10mA 25 — —

Emitter-Base Breakdown Voltage

发射极-基极击穿电压 V(BR)EBO IE=100μA 5 — —

DC Current Gain 直流电流增益 hFE (1) VCE=1V,IC=100mA 85 — 360

FE (2) VCE=1V,IC=800mA 40 — —

—

Collector-Emitter Saturation Voltage

集电极-发射极饱和压降 V

CE(sat) IC=500mA,IB=50mA — — 0.6 V

Base-Emitter Voltage 基极-发射极电压 VBE VCE=1V,IC=10mA — 0.8 1.0

Transition Frequency 特征频率 fT VCE=5V,IC=10mA 100 120 —

MHz

Collector Output Capacitance 输出电容 Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz — 13 30