Hitachi IGBT Module / Silicon N-Channel IGBT
MBN1200GR12A
PDJ-N1200GR12A-0
[
定格
1200A/1200V, 1in1
パッケージタイプ
]
特長 外形寸法図
• 低飽和電圧特性、高速スイッチング
E
E
G
C
44
37
(8)
130
130
27.5
19.5
46.75
110
110
19
13 30 36
2-M4 4-φ6.5
2-M8
Unit in mm
重量：1300g
• 低ターンオフスイッチング損失
• 高速ソフトリカバリダイオード(USFD)採用
による低ノイズ化
• 高信頼性構造
• 絶縁型構造(主端子−ヒートシンク間)
回路構成
G
E
E C
絶対最大定格(TC=25°C)
項目記号単位定格値
コレクタ・エミッタ間電圧 VCES V 1200
ゲート・エミッタ間電圧 VGES V ±20
DC IC 1200
コレクタ電流 1ms ICP A 2400
DC IF 1200 *1
ダイオード順電流 1ms IFM A 2400
コレクタ損失 PC W 8330
接合温度 Tj °C -40 ~ +150
保存温度 Tstg °C -40 ~ +125
絶縁耐圧 Viso V
RMS 2500(AC 1 minute)
端子(M4/M8) 1.37/ 7.84
*2
締め付けトルク モジュール取り付け
-
N·m 2.94
*3
注）*1:ダイオード RMS 電流≤ 360 Arms
*2:推奨値1.18 / 7.35 N·m
*3:推奨値2.45 N·m
電気的特性(TC=25°C)
項目 記号単位Min. Typ. Max. 試験条件
コレクタ・エミッタ間遮断電流 ICES mA
- -
1.0 VCE=1200V, VGE=0V
ゲート・エミッタ間漏れ電流 IGES nA
-
-
±500 VGE=±20V, VCE=0V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) V
-
2.4 3.0 IC=1200A, VGE=15V
しきい値電圧 VGE(TO) V
-
-
10 VCE=5V, IC=1200mA
入力容量 Cies nF
-
108
-
V
CE=10V, VGE=0V, f=1MHz
上昇時間 tr
-
0.6 1.5
ターンオン時間 ton
-
0.8 2.1
下降時間 tf
-
0.2 0.4
スイッチング時間
ターンオフ時間 toff
µs
-
1.4 1.8
V
CC=600V、Ic=1200A
R
G=3.3Ω *4
Inductive Load
V
GE=±15V
ダイオード最大順電圧降下 VFM V
-
2.5
3.7 IF=1200A, VGE=0V
ダイオード逆回復時間 trr µs
- -
0.5 I
F=1200A, VGE=-10V, di/dt=1200A/µs
IGBT Rth(j-c) 0.015
熱抵抗 ダイオード Rth(j-c) °C/W
-
-
0.035 接合−ケース間
注）*4 : RG値は、スイッチング時間を規定するための試験条件であり推奨値ではありません。実機でのスイッチング波形（スパイク
電圧等）を確認の上、RG値の選定をお願い致します。
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VGE=15V 14V13V12V
2400
2200
1800
1400
1000
600
200
2000
1600
800
400
0246810
1200
0
2400
2200
1800
1400
1000
600
200
2000
1600
800
400
1200
0
11V
TYPICAL
10V
9V
Collector Current, Ic (A)
Collector Current, Ic (A)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector current vs. Collector to Emitter voltage
Ic=2400A
Ic=1200A
10
8
2
4
6
00 5 10 15 20
TYPICAL
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage, VGE (V)
Collector to Emitter voltage vs. Gate to Emitter voltage
20
15
10
5
0048002400 7200 9600 12000
TYPICAL TYPICAL
Vcc=600V
Ic =1200A
Tc=25°C
Gate to Emitter Voltage, V
GE
(V)
Forward Current, I
F
(A)
Gate Charge, QG (nC)
Gate charge characteristics
1200
2400
2200
1800
1400
1000
600
200
2000
1600
400
800
0012345
Forw ard V oltage , VF (V)
Forward voltage of free-wheeling diode
10
8
6
4
2
00 5 10 15 20
TYPICAL
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage, VGE (V)
Collector to Emitter voltage vs. Gate to Emitter voltage
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector current vs. Collector to Emitter voltage
PDJ-N1200GR12A-0
Tc=25°C
Ic=2400A
Ic=1200A
Pc=8330W
VGE=0V
Tc=25°C
Tc=125°C
Tc=25°C
VGE=15V 14V13V12V
0246 810
11V
TYPICAL
10V
9V
Tc=125°C
Tc=125°C
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TYPICAL
400
350
300
200
250
150
50
100
00 1000 1200600 800200 400 1400
Switching Loss, Et
on
,Et
off
, E
rr
(mJ/pulse)
Collector Current. IC (A)
Switching loss vs. Collector current
TYPICAL
1000
100
10
1110 100
Switching Loss, Et
on
, Et
off
, E
rr
(mJ/pulse)
Gate Resistance. RG (Ω)
Switching loss vs. Gate resistance
Err
10000
1000
100
10
10 200 400 600 800 1000 1200 1400
Collector Current, Ic (A)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Reverse biased safe operating area
Etoff
Eton
1
0.1
0.01
0.001
0.001 0.01 0.1 1 10
Transient Thermal Impedance, R
th(j-c)
(°C/W)
Time, t (s)
Transient thermal impedance
Diode
IGBT
VGE=±15V
RG=3.3Ω
TC≤125°C
PDJ-N1200GR12A-0
Vcc=600V
VGE=±15V
RG=3.3Ω
TC=125°C
Inductive Load
Vcc=600V
VGE=±15V
IC=1200A
TC=125°C
Inductive Load
Err
Eton
Etoff
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日立パワー半導体
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ライフサポート関連の医療機器、燃焼制御機器、各種安全機器など）に使用さ
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