eo DO7 DO 35 - (CB 26) {CB 102) Silicon signal diodes - High current switching Diodes de signal au silicium - Commutation fort courant Type Case Vra-VRM lo VF ip ir VR IR VR Cc ter Ip DRS 75 Boitier | (Vv) (may | (v) 7 ima) | (nal / (v) tow, (Vv) | (pF) | (ns) (mA) | page Tamb 25 OC max max max max Tamb 150 C | max max max 1N 3600 007 50-75 200 1 200 100 50 100 50 2,5 6 400 277 BAY 41 DO7 40-40 22511) 1 200 s000 40 30 40 5 16 200 # BAY 42 DO7 6060 225(1) 1 200 $000 60 30 60(2) 5 15 200 387 BAY 74 DO 7(3)35 - 0 200 11 300 100 35 100 35 3 4 200 399 SF.D 79 DO 7(3)25 - 30 200 11 10 1000 25 50(2) 10 4 4 10, #*# SF.D185 007 30-50 200 1 100 100 30 2,5 10 200 $23 1N 4150 F80 50-75 200 1 200 400 50 100 50 2,5 6 ___ 400 277 37 DP4 F8O 60-75 200 41 400 100 60 100 6014) 3 6 400 431 BAW 55 F80 60-75 300(4) 1 200 400 60 4 6 10, 365 SFID145 F880 30-50 200 1 100 100 30 2.5 1000 200, 823 (WHE (2) Tamb 100C (4) Tamb 125 C con signal diodes - Very high speed switching _ ~~ ~ ~ ~ Diodes de signal au silicium - Commutation ultra-rapide__ 1N 4244 DO7 15-20 10287 Silicon signal diodes - High voltage switching Diodes de signal au silicium - Commutation haute tension Tamb 25 C IN 463 DO? 175-2000 75 Nt 0175 1N 660 007 100-12 75 1 6 5011) 300 iwao6g 007 50-65 75 1 50 yoo so. 1N3070 DO? 175-200 100 1 100 1N3071 007 150-200 100 1 100 1 100-100-120 | 1200) 64 BA 224-150 DO7 120-150 __ BA 0 D 20 100 100-180 180(1) 6 _ BA 224-300 )- 300 1 100 100 240~=10S 24011) BS BAY45 DO? 150-150 100 1,1 100 200 150 10 150 | SF.D86 DO7 150-150 too 1 80 10 8 DO7 200-220 100 1 10 6 75 __ BBA DO? 150-150 100 1 100 10000 200 10 20/3) 6 007 200-220 100 13 30 10000. 180 SF.095 907 250-300 100 12 10 4000 26000 BAVI9 F80 120 #200. 1 100. 100 100 (1) Tamb 100 C (2) Tamb 125C (3) Tam 60C # To be published later Sera publie ultrieurement 76