Transistors NPN silicium 111 12 Planar pitaxiaux 111 T2/18 NPN silicon transistors Epitaxial planar *K Dispositif recommand Prefered device - Commutation trs rapide, en rgime Donnes principales davalanche Principal features High speed switching in the avalanche mode Vces 60 \ hat_e (150 mA) 30 - 120 t, 1 ns max, Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot mae w) Boitiers - ases o75F TO-38 TO- 18 i Xe 0,50) | 2 SS Ter Or 77 \ B } >: de 2 > \ 8 i | 11 T2 Tit 72/18 0 L 50 100 150 200: temb(C) Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation @ tamp= 25C Absolute ratings (limiting values} Fa Tz | m4 rare Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage Voces 60 60 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage Vena 4 4 v Dissipation de puissance P 08 0 Power dissipation tot F 5 Ww Temprature de jonction t Junction tempers ture max, J 178 175 c Temprature de stockage min. t 65 65 Storage temperature max stg +200 +200 c 1970-10 1/2 SeooMesenr111 T2 111 T2/18 Caractristiques gnrales & tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Courant rsiduei collecteur-base t Collector-bese cut-off current Vop = 30 V cBo . Vee =0 Tension de claquage collecteur-metteur B Collectornemiter Seskdown voltage Ie = 10pA ViBRICES 60 90 v Tension de claquage metteur-base Io =0 Emittar-base breakdown voltage Ip = 100uA VipReBo| 4 Vv le = 10mA Valeur statique du rapport du transfert Vee = 10V direct ducourant cE hore 30 120 Static forward current transfer ratio Ico = 150 mA Vee = 10V . . I = 150 mA Tension de saturation collecteur-metteur c Collector-emitter saturation voltage 'B 15 mA VoEsat 0.45 v Tension de saturation base-metteur Ig = 150 mA Vv wily Base-emitter saturation voltage Ig = 15mA BEsat * Caractristiques de commutation Switching characteristics Retard a la croissance Delay time ta 5 ns Temps de croissance Rise Rime . * 1 ns Temps de dcroi Figure 1. ie dcroissance Fall vime y 4 ns Tension de sortie Output voltage Va 15 Vv Fi 2: 1 . : gure Schma de mesure des temps de commutation Switching time test circuit Gnrateur z = 502 Generator 400 pF wm Voc = 200V vVio=2Vv t <15ns Ligne coaxiale GR - 874 - LAL; Z =502; L = 58em r Coaxial line tr S20 ns V2 O Tektronix (N z =502 Tektronix ou quivalent or equivalent 2/2