QS043-402-（2/5）
00
日本インター株式会社
ＰＴＭＢ１００Ｅ６
ＩＧＢＴ
Ｍｏｄｕｌｅ－ Ｓｉｘ Ｐａｃｋ
１００Ａ，６００Ｖ
ＰＴＭＢ１００Ｅ６Ｃ
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ
ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm］
PＴMB100E6
PＴMB100E6C
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ ６００ Ｖ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ
ＤＣ ＩＣ １００
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ ２００ Ａ
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ４００ Ｗ
接 合 温 度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃
保 存 温 度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ）
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink ２（２０.４）２（２０.４）
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ PＴMB100E6 １.４
（
１
４
.３
）
PDMB100E6Ｃ
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ
ＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ
ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 100A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ
ＣＥ= 5V,ＩＣ= 100mA ４.０ － ８.０ Ｖ
入 力 容 量
Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ
ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 5,000 － ｐＦ
上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.１５
０.３０
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.２５
０.４０
下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.１０
０.３５
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 300V
ＲＬ= 3.0Ω
ＲＧ= 8.2Ω
ＶＧＥ= ±15V － ０.３５ ０.７０
μｓ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
ＤＣ Ｉ
Ｆ
１００ Ａ 順 電 流
Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ ２００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
順 電 圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ
Ｆ= 100A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 100A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 200A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
ＩＧＢＴ － － ０.３１ 熱 抵 抗
Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case
（Tc測定点チップ直下） － － ０.６５ ℃／Ｗ
4-Ø5.5
19.5
19.5
17.5
10 10 10 10 10 4.54.5
4.5
4.54.54.5
LABEL
94
80
7-M4
86
74
12-f ast en tab
#110
12
34
56 7
8
8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
18.5 18.5 18.5 18.5
34
17.5
25.5
7
118.11
15.50
119.60
17.00
7.00
13. 00 20.50
LABEL
8
9
12
13
10
11
14
15
1
3
56
16
17
18
19
7
4
2
1
2
5
6
3
4
7
8
21
20
19 17
9
10
11
12
15
14
13
PＴMB100E6 PＴMB100E6C
39.00
3.81 19. 05 12.62
4× 19. 05= 76.20
94.50
99.00
3.81 8. 01
15.24 110. 00
121.50
4× Ø 5. 50 CL
4× Ø 2.10
12.62
123456
57.50
78910
11 12
13
14
15
16
1718
19
20
21
3.81
CL
19.05
40.20
50.00
58.42
61.50
QS043-402-（3/5）
00
日本インター株式会社
ＰＴＭＢ１００Ｅ６
ＰＴＭＢ１００Ｅ６Ｃ
012345
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current I C (A)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25°C
11V
10V
VGE=20V
9V
8V
12V
15V
012345
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current I C (A)
Fig.2- Output Characteristics (Typical)
TC=125°C
11V
10V
VGE=20V
9V
8V
12V
15V
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
TC=25°C
IC=50A 200A
100A
0 4 8 121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Fig.4- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
IC=50A 200A
TC=125°C
100A
0 100 200 300 400
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE=300V
200V
100V
RL=3.0(
TC=25°C
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
100
300
1000
3000
10000
30000
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Capacitance C (pF)
Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
Cies
Coes
Cres
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25°C
QS043-402-（4/5）
00
日本インター株式会社
ＰＴＭＢ１００Ｅ６
ＰＴＭＢ１００Ｅ６Ｃ
0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Collector Current IC (A)
Switching Time t (µs)
Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
tOFF
tf
tr(VCE)
tON
VCC=300V
RG=8.2(
VGE=±15V
TC=25°C
Resistive Load
3 10 30 100
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Series Gate Impedance RG (()
Switching Time t (µs)
Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
VCC=300V
IC=100A
VGE=±15V
TC=25°C
Resistive Load
tf
tr(VCE)
ton
toff
3 10 30 100 300
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Series Gate Impedance RG (()
Switching Time t (µs)
Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time
VCC=300V
IC=100A
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
tf
tr(IC)
ton
toff
0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
Collector Current IC (A)
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss
EOFF
EON
VCC=300V
RG=8.2(
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
ERR
3 10 30 100
0.3
1
3
10
30
100
300
Series Gate Impedance RG (()
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss
EOFF
EON
VCC=300V
IC=100A
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
ERR
0 25 50 75 100 125 150
0.001
0.01
0.1
1
10
Collector Current IC (A)
Switching Time t (µs)
Fig.9- Collector Current vs. Switching Time
tOFF
tf
tr(Ic)
tON
VCC=300V
RG=8.2(
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
QS043-402-（5/5）
00
日本インター株式会社
ＰＴＭＢ１００Ｅ６
ＰＴＭＢ１００Ｅ６Ｃ
0 100 200 300 400 500 600
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
-di/dt (A/µs)
Peak Reverse Recovery Current I RrM (A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
IRrM
trr
IF=100A
TC=25°C
TC=125°C
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 110
1
1x10-3
3x10-3
1x10-2
3x10-2
1x10-1
3x10-1
1
3
Time t (s)
Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W)
Fig.16- Transient Thermal Impedance
TC=25°C
1 Shot Pulse
FRD
IGBT
0 200 400 600 800
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Collector Current I C (A)
Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area
RG=8.2(, VGE=±15V, TC<125°C
01234
0
40
80
120
160
200
Forward Voltage VF (V)
Forward Current I F (A)
Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
TC=25°C TC=125°C
