EGL1A ... EGL1M
EGL1A ... EGL1M
Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes
SMD-Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug
IFAV = 1.0 A
VF1 < 1.25 V
Tjmax = 175°C
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 25/30 A
trr < 50...75 ns
Version 2015-10-21
~ DO-213AA
Plastic MiniMELF
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
Features
Package compatible to SOD-87
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Gehäuse kompatibel zu SOD-87
Hohe Leistungsabgabe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 2500 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.04 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Marking: 1. green ring denotes “cathode” and “superfast switching rectifier family”
2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below)
Kennzeichnung: 1. grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “superschnelle Gleichrichter”
2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten)
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
2. Cathode ring
2. Kathodenring
EGL1A 50 50 gray / grau
EGL1B 100 100 red / rot
EGL1D 200 200 orange / orange
EGL1G 400 400 yellow / gelb
EGL1J 600 600 green / grün
EGL1K 800 800 blue / blau
EGL1M 1000 1000 violett / violet
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
EGL1A...EGL1G TA = 75°C IFAV 1 A 3)
EGL1J...EGL1M TA = 50°C IFAV 1 A 3)
Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 8 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 25/30 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
0.4 0.4
1.6
3.5
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
EGL1A ... EGL1M
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C trr [ns] 1) VF [V] at / bei IF [A]
EGL1A ... EGL1D < 50 < 1.25 1
EGL1G < 50 < 1.35 1
EGL1J ... EGL1M < 75 < 1.8 1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V Cj4 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 75 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT < 40 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
EGL1A...EGL1G
EGL1J...EGL1M
EGL1A...D
EGL1G
EGL1J...M
T = 25°C
j
10
1
10
10
10
-1
-2
-3
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
