MPSA42 | MPSA44
MPSA42 | MPSA44
High Voltage NPN Transistors
Hochspannungs-NPN-Transistoren
IC= 500 | 300 mA
hFE1 > 40
Tjmax = 150°C
VCEO = 300 | 400 V
Ptot = 625 mW
Version 2017-12-07
TO-92 (10D3)
(1)
(2)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Features
High collector voltage
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Hohe Kollektorspannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
(1) Taped in ammo pack
(Raster 2.54)
(2) On request: in bulk
(Raster 1.27, suffix “BK”)
4000
5000
(1) Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
(2) Auf Anfrage: Schüttgut
(Raster 1.27, Suffix “BK”)
Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MPSA92
–
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
MPSA42 MPSA44
Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 300 V 400 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 300 V 500 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 3)
Collector current – Kollektorstrom DC IC500 mA 300 mA
Base current – Basisstrom IB100 mA –
Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj-55...+150°C
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C MPSA42 MPSA44
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0 VCB = 200 V
VCB = 400 V ICBO
< 100 nA
–
–
< 100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0 VEB = 6 V
VEB = 4 V IEBO
< 100 nA
–
–
< 100 nA
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2 x 1.27
EB C
4.6
±0.1
4.6
±0.1
min 12.5