Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 P SFH 203 PFA SFH 203 P SFH 203 PFA Wesentliche Merkmale * Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P) und bei 880 nm (SFH 203 PFA) * Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) * 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause Features * Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and of 880 nm (SFH 203 PFA) * Short switching time (typ. 5 ns) * 5 mm LED plastic package Anwendungen * Industrieelektronik * Messen/Steuern/Regeln" * Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb * LWL Applications * Industrial electronics * For control and drive circuits * Photointerrupters * Fiber optic transmission systems Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 203 P Q62702-P946 SFH 203 PFA Q62702-P947 2000-01-01 1 SFH 203 P, SFH 203 PFA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 100 C 300 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause TS entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 203 P SFH 203 PFA IP 9.5 ( 5) - A IP - 6.2 ( 3.6) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax 400 ... 1100 750 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 1 1 mm2 1x1 1x1 mm x mm Fotostrom Photocurrent VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, EV = 1000 lx VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache L x B Dimensions of radiant sensitive area LxW Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 0.4 ... 0.7 0.4 ... 0.7 mm Halbwinkel Half angle 75 75 Grad deg. 2000-01-01 2 SFH 203 P, SFH 203 PFA Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value SFH 203 P SFH 203 PFA Einheit Unit Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 ( 10) 1 ( 10) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm VO 350 ( 300) - mV VO - 300 ( 250) mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm ISC 9.3 - A ISC - 3.0 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 5 5 ns Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 950 nm TCI Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit 2000-01-01 3 %/K 0.18 - - 0.2 NEP 2.9 x 10- 14 2.9 x 10- 14 D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 W -----------Hz cm x Hz -------------------------W SFH 203 P, SFH 203 PFA Relative Spectral Sensitivity SFH 203 P, Srel = f () Relative Spectr. Sensitivity SFH 203 PFA, Srel = f () OHF01129 100 OHF01773 100 S rel % S rel % 80 80 60 60 40 40 Total Power Dissipation Ptot = f (TA) OHR00883 120 I F mA 100 80 RthjA = 450 K/W 60 40 20 20 0 400 600 800 0 400 1000 nm 1200 P 600 800 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-Circuit Voltage VO = f (Ee) SFH 203 PFA OHF01765 10 2 A 20 10 4 mV VO 10 1 P OHF01025 10 2 A 0 20 40 60 80 100 C 120 TA Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-Circuit Voltage VO = f (Ev) SFH 203 P 10 3 mV VO VO 10 1 10 0 10 2 Dark Current IR = f (VR), E = 0 R OHF01026 10 4 pA 10 0 -1 10 10 1 10 2 W/cm 2 10 3 10 1 10 2 10 0 10 3 lx 10 4 EV 10 1 1 10 0 10 4 10 -1 10 0 10 1 10 2 Ee Directional Characteristics Srel = f () 2000-01-01 10 2 P P 10 -2 10 0 10 3 VO 10 0 1000 nm 1200 0 10 20 V VR Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 4 30 SFH 203 P, SFH 203 PFA Mazeichnung Package Outlines 1.8 (0.071) 1.2 (0.047) 29 (1.142) 27 (1.063) Cathode o5.1 (0.201) o4.8 (0.189) 1.0 (0.039) 0.5 (0.020) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 0.8 (0.031) 0.4 (0.016) 2.54 (0.100) spacing Area not flat 3.85 (0.152) 3.35 (0.132) 5.0 (0.197) 4.2 (0.165) Chip position 5.9 (0.232) 5.5 (0.217) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) GEOY6648 Mae werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). 2000-01-01 5