SFH 203 P
SFH 203 PFA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 203 P SFH 203 PFA
2000-01-01 1
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P) und bei
880 nm (SFH 203 PFA)
• Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
• 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
Anwendungen
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• LWL
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
SFH 203 P Q62702-P946
SFH 203 PFA Q62702-P947
Features
• Especially suitable for applications from
400 nmto1100 nm(SFH 203 P)andof880 nm
(SFH 203 PFA)
• Short switching time (typ. 5 ns)
• 5 mm LED plastic package
Applications
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
• Photointerrupters
• Fiber optic transmission systems
2000-01-01 2
SFH 203 P, SFH 203 PFA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 … + 100 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse
entfernt bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from case
bottom (t≤ 3 s)
TS300 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR50 V
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 100 mW
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 203 P SFH 203 PFA
Fotostrom
Photocurrent
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K, EV = 1000 lx
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2
IP
IP
9.5 (≥ 5)
–
–
6.2 (≥ 3.6)
µA
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ400 … 1100 750 … 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area L×B
L×W1×11×1mm×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface H0.4 … 0.7 0.4 … 0.7 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±75 ±75 Grad
deg.
SFH 203 P, SFH 203 PFA
2000-01-01 3
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current IR1 (≤ 10) 1 (≤ 10) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity Sλ0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield η0.89 0.86 Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
VO
VO
350 (≥ 300)
–
–
300 (≥ 250)
mV
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
ISC
ISC
9.3
–
–
3.0
µA
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf55 ns
Durchlaßspannung, IF= 80 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance C011 11 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
0.18
––
0.2
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 20 V, λ = 850 nm
NEP 2.9 ×10– 14 2.9 ×10– 14
Nachweisgrenze, VR= 20 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 3.5 ×1012 3.5 ×1012
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 203 P SFH 203 PFA
W
Hz
------------
cm Hz×
W
--------------------------
SFH 203 P, SFH 203 PFA
2000-01-01 4
Relative Spectral Sensitivity
SFH 203 P, Srel = f (λ)
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-Circuit Voltage VO = f (Ee)
SFH 203 PFA
Directional Characteristics
Srel = f (ϕ)
λ
OHF01129
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
E
OHF01765
e
0
10
P
Ι
-2
10 10
1
10
2
10
4
10
-1
10
0
10
1
10
24
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
2
W/cm
µ
Relative Spectr. Sensitivity
SFH 203 PFA, Srel = f (λ)
Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V
Open-Circuit Voltage VO = f (Ev)
SFH 203 P
λ
OHF01773
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
E
OHF01025
V
0
10
P
Ι
-1
10 10
1
10
2
10
4
10
0
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
10
3
lx
1
10
2
10 10
3
10
2
1
10
Total Power Dissipation
Ptot = f (TA)
Dark Current
IR = f (VR), E = 0
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
OHR00883
0
F
I
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
mA
˚C
T
A
R
thjA
= 450 K/W
V
OHF01026
R
R
Ι
0
4
10
3
10
2
10
10
1
pA
20 V 3010
SFH 203 P, SFH 203 PFA
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Maßzeichnung
Package Outlines
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
5.9 (0.232)
5.5 (0.217)
1.0 (0.039)
0.5 (0.020)
3.85 (0.152)
3.35 (0.132)
5.0 (0.197)
4.2 (0.165)
29 (1.142)
27 (1.063)
1.8 (0.071)
1.2 (0.047)
2.54 (0.100)
spacing
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0.8 (0.031)
0.4 (0.016)
ø5.1 (0.201)
ø4.8 (0.189)
Chip position
Area not flat
GEOY6648
Cathode
