Silizium-Planar-Doppeldiode BAV 74 Die Silizium-Planar-Doppeldiode BAV 74 im Kunststoffgehduse SOT-23 eignet sich zum Einsatz als schnelle Schaltdiode in Schichtschaltungen. Die Diode wird mit den Codebuch- staben JA gekennzeichnet. Die angegebenen Daten gelten, sofern nicht anders angegeben fur jedes Diodensystem. 420,05 10, Typ | Stempel | _Bestellnummer af o* O.te0015 LA BAV74 | JA | 062702-A498 PITT g | 73 K [ey le | | D42003 im) 04.025 Rg "12035 Gewicht etwa 0,02 g Mafe in mm Grenzdaten (7y = 25C) Sperrspannung Up 50 Vv Richtstrom (t,, = 10 ms) Ig") 70 mA DurchlaRstrom Ip1) 150 mA Spitzenstrom (f = 15 ms) fem) 200 mA Sto&strom ( = 1 us) les 4,5 A Sperrschichttemperatur 7; 150 C Umgebungstemperatur Ty 55 bis +125 C Gesamtverlustleistung Prot?) 180 mw Warmewiderstand bei Aufbau auf Glassubstrat (7x 7x1 mm) Renu?) = 700 K/W Keramiksubstrat (30x12*1 mm) Rensu?) = 450 K/W Glasfasersubstrat (30x 12x 1,5 mm) Rens?) <= 450 K/W Ltstelle Renae <= 350 K/W 1) Summe beider Diodenstrme 2) Prot ist die gesamte Verlustleistung des Bauelementes, die zur Ersatzsperrschichttemperatur 7; fiihrt. Ay, gilt unab- hangig von der Aufteitung der elektrischen Belastung auf die beiden Diodensysteme. 495BAV 74 Statische Kenndaten (7y = 25C) Durchla&spannung (J; = 100 mA) Sperrstrom (Up = 50 V) Sperrstrom (Up = 50 V, 7y = 125C) Durchbruchspannung (Jp = 5 pA) Dynamische Kenndaten (7, = 25C) Kapazitat (Up, = 0V) Schaltzeit (I; = Ip = 10 mA, Erholung auf 1 mA) Schaltzeit (Zz = 10 mA; Up = 6 V; AL = 100 Q; bei Erholung auf 1 mA) Max. zuldssiger Durchla&strom Ie Temex fy to 150 I, Te max 100 s N \ N 0 50 100 150 C h Warmewiderstand: 1 Glassubstrat 7*7x1mm3, 700 KIW 2 Keramiksubstrat 3012 1mm}, 450 KiW Glasfasersubstrat 3012x15mm?, 450 KW 3 Sperrschicht - Ltstelle, alle AnschluBfahnen sind zu messen, bezogen auf die warmste, 350 K/W 496 10" Zulassiger Spitzenstrom als Funktion der Einschaltdauer Tp = F(t) 05 1o* o> 10? _-/ pF ns ns to" 10%s