NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICIUM, EPITAXIAUX *2N 2368 *2N 2369 - HF small signal amplification Amplification HF petits signaux - Low current fast switching Commutation rapide faible courant Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale 2 Preferred device Dispositif recommand VcEo 15V Ie 200 mA hoa (10 mA) {20 -60 2N2368 21e 40-120 2N2369 ' {400 MHz 2N 2368 T 500MHz 2N 2369 Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-6 dernires pages Prot {w) i | (OE I | N\ B ord N (2) | NS Bottom view 0,4 T a) \ Vue de dessous 1 > Tamnp(2C) (1) Q t ne Weight : 0,329 Collector is connected to case o 60 150 100 case(C) (2) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T,,, = +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION am! (Sauf indications contraires} Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base cBo 40 v Collector-emitter voltage Vces 40 V Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur CEO 15 Vv Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 45 v I Collector current c 200 mA Courant collecteur ty = 10 us | cM 500 T = 25 Power dissipation amb = 25C (1) Prot 0,36 Ww Dissipation de puissance Tease = 25C (2) 1,2 Junction temperature . Temprature de jonction max Tj 200 Cc Storage temperature min T 65 c Temprature de stockage max stg +200 C 76-01 (1/7 THOMSON-CSF 187 DIVISION SEMICONDUCTEURS. Seswse>n2N 2369, 2N 2369 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. vce = 0 v 04 Collector-base cut-off current Ee \cBo HA Courant rsiduel collecteur-bese vcs = O v 5 30 TE ap = 160C Collector-base breakdown voltage le =0 Vv Tension de claquage collecteur-base le =10nA (BRICBO 40 Vv Collector-emitter breakdown voltage VBE =0 Vv Tension de claquage collecteur-metteur le =10pnA (BR)CES 40 v Collector-emitter breakdown voitage Ip = 0 Vipriceo* 15 Tension de claquage collecteur-6metteur le =10mA : I =0 Emitter-base breakdown voltage Cc Vv Tension de claquage metteur-base Ip =10pA (BR)EBO 4,5 Vv Vop =1V 2N 2368 | 20 60 Ig =10mA 2iN 2369 | 40 120 Static forward current transfer ratio Voge =2V hoe ok 2N 2368 | 10 Valeur statique du rapport de transfert _ 21E direct du courant le =100mA 2N 2369 | 20 VcE=1V 2N 2368] 10 le =10mA T amb = 55C 2N 2369 | 20 Collector-emitter saturation voltage lo =10mA Vv Tension de saturation collecteur-metteur lg =1mA CEsat 0,16 0,25 Vv Base-emitter saturation voltage Ig = 10mA Vv Tension de saturation base-metteur lg =1tmA BEsat 0,7 0,85 Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) a: Vog =10V 2N 2368) 400 600 Fransition frequency Io = 10 mA fr MHz quence ransition f = 100 MHz 2N 23691 500 700 O | Vop =5V utput capacitance = c. Capacit de sortie le 22b 25 4 pF ft = 1 MHz SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION urn-on time + & A este bi (fig. 1) B m ty+t 8 12 ns Temps total dtablissement Io =10mA r I =10mA . Cc 17.16 Turn-off time . ~ 2N 2368 Temps total de coupure (fig. 1) B41 3mA t + t ns Igo ~-1.5mA 2N 2369 14 18 I = 10mA Carrier storage time . c ~ 2N 2368 5 10 Retard Is dcroissance (fig. 2) Ip, *10mA t, oN 2369 6 13 ns 'go ~10mA Pulsed ty =300us 8 < 2% impulsions 2/7 1882N 2368, 2N 2369 SWITCHING TIMES TESTS CIRCUITS SCHEMAS DE MESURES DES TEMPS DE COMMUTATION Figure 1 300 8 0.1 uF V2 Generator vy Oscilloscope Gnrateur Oscilloscope z = 502 Z = 502 t, < Ins t, < Ins ty = 300 ns & 2% x Ven = -3V V, = +15V0 etd tt bee ty + tp oy Veg = +12V 4 410 % Vv, = -15V V4 Vy op of* \ j P30 % Vv. 90 %| 2 K Figure 2 AY 390 2 OT UF 4K 0,1 V2 Generator v4 Oscilloscope Gnrateur 912 Oscilloscope Z = 502 ze oe t. S 1ns t, & Ins 56 Q t, = 300 ns < 2% + 10 uF 10 pF 10 V WV oF H 7 A Signal at point <A y Signal au point A +6V N10 % Input signal Signal dertre 0 0 Lowy t -4V v1 t -10V i Output signa! Signal de sortie $ az Vo af 10 % 3/7 1892N 2368, 2N 2369 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES one Jeo one eer | 2N 2368 Tamb = 25C am so 0266 Jae 92m 0,16 > LAM \\ 5 0,1 mA nl 14 =70,05 mA ennl Ae i 10 15 Vog (V) le (mA) 5% on | 2n 2369 a Ty mb = 25C oami L~ Yo ase at 10 /- 0,4 ma | 5 LZ 1g 70.08 mA easel 0,02 mA 0 5 10 15 Vogtv) c yr (mA) 2N 2368 Tamb = 26C 200 ema BmA 150 La ee emer | nooner) 1001 At _| 3mA | 2mA | | 50 1 mA '3 =0,5 mA 0 1 2 3 4 VoelV) Ic 2N 2369 Tamb, = 25C 200 5mA 4amA 100 1 2 3 4 Vogtv) 1902N 2368, 2N 2369 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES at v hone BE (Vv) | 2N 2368 Vap =5V 80 0,8 40 0,6 20 0,4 0,2 102 10"! 10 10" igima) 10? 10" 10 10" Igima) hore 2N 2369 (Vv) | 2N 2369 150 + Vpe =5 V- Vog =5V 0,8 0,6 50 0,4 0,2 2 5 2 102 107! 2 5 2 2 2 Igimal 10? 10! 10 10! tela) 1912N 2368, 2N 2369 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 2N 2369 | jE =10 8 6/7 1922N 2368, 2N 2369 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES tat (ns) Vee clamping = 1,5 V. Vp blocage = 1,5 V 1071 40 10! Ig (mA) BE clamping = 1,5 V as) blocage = 1,5 V 2N 2369 50 a1 = B2 20 10 1 10 Ig (mA) 101 1 101 Ig (ma) WW? 193