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MRF141GMOTOROLA RF DEVICE DATA
The RF MOSFET Line
RFPowerField-EffectTransistor
N–Channel Enhancement–Mode MOSFET
Designed for broadband commercial and military applications at frequencies
to 175 MHz. The high power, high gain and broadband performance of this
device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel
frequency bands.
•Guaranteed Performance at 175 MHz, 28 V:
Output Power — 300 W
Gain — 12 dB (14 dB Typ)
Efficiency — 50%
•Low Thermal Resistance — 0.35°C/W
•Ruggedness Tested at Rated Output Power
•Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability
•S–Parameters Available for Download into Frequency Domain Simulators.
See http://motorola.com/sps/rf/designtds/
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Drain–Source Voltage VDSS 65 Vdc
Drain–Gate Voltage VDGO 65 Vdc
Gate–Source Voltage VGS ±40 Vdc
Drain Current — Continuous ID32 Adc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°CPD500
2.85 Watts
W/°C
Storage Temperature Range Tstg –65 to +150 °C
Operating Junction Temperature TJ200 °C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 0.35 °C/W
NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
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by MRF141G/D
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MRF141G
300 W, 28 V, 175 MHz
N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFET
CASE 375–04, STYLE 2
Motorola, Inc. 1998
D
GS
(FLANGE)
D
G
REV 3
MRF141G
2MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
OFF CHARACTERISTICS (1)
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0, ID = 100 mA) V(BR)DSS 65 — — Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 28 V, VGS = 0) IDSS — — 5.0 mAdc
Gate–Body Leakage Current
(VGS = 20 V, VDS = 0) IGSS — — 1.0 µAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
Gate Threshold Voltage
(VDS = 10 V, ID = 100 mA) VGS(th) 1.0 3.0 5.0 Vdc
Drain–Source On–V oltage
(VGS = 10 V, ID = 10 A) VDS(on) 0.1 0.9 1.5 Vdc
Forward T ransconductance
(VDS = 10 V, ID = 5.0 A) gfs 5.0 7.0 — mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS (1)
Input Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Ciss — 350 — pF
Output Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Coss — 420 — pF
Reverse T ransfer Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Crss — 35 — pF
FUNCTIONAL TESTS (2)
Common Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 V, Pout = 300 W, IDQ = 500 mA, f = 175 MHz) Gps 12 14 — dB
Drain Efficiency
(VDD = 28 V, Pout = 300 W, f = 175 MHz, ID (Max) = 21.4 A) η45 55 — %
Load Mismatch
(VDD = 28 V, Pout = 300 W, IDQ = 500 mA, f = 175 MHz,
VSWR 5:1 at all Phase Angles)
ψNo Degradation in Output Power
NOTES:
1. Each side measured separately.
2. Measured in push–pull configuration.
3
MRF141GMOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 1. 175 MHz Test Circuit
C1 — Arco 402, 1.5–20 pF
C2 — Arco 406, 15–115 pF
C3, C4, C8, C9, C10 — 1000 pF Chip
C5, C11 — 0.1 µF Chip
C6 — 330 pF Chip
C7 — 200 pF and 180 pF Chips in Parallel
C12 — 0.47 µF Ceramic Chip, Kemet 1215 or Equivalent
C13 — Arco 403, 3.0–35 pF
L1 — 10 T urns AWG #16 Enameled Wire,
L1 — Close Wound, 1/4″ I.D.
L2 — Ferrite Beads of Suitable Material for
L2 — 1.5–2.0 µH Total Inductance
R1 — 100 Ohms, 1/2 W
R2 — 1.0 kOhm, 1/2 W
Unless Otherwise Noted, All Chip Capacitors are ATC Type 100 or Equivalent.
T1 — 9:1 RF T ransformer. Can be made of 15–18 Ohms
T1 — Semirigid Co–Ax, 62–90 Mils O.D.
T2 — 1:9 RF T ransformer. Can be made of 15–18 Ohms
T2 — Semirigid Co–Ax, 70–90 Mils O.D.
Board Material — 0.062″ Fiberglass (G10),
1 oz. Copper Clad, 2 Sides, εr = 5
NOTE: For stability, the input transformer T1 must be loaded
NOTE: with ferrite toroids or beads to increase the common
NOTE: mode inductance. For operation below 100 MHz. The
NOTE: same is required for the output transformer.
See pictures for construction details.
Figure 2. DC Safe Operating Area Figure 3. Gate–Source Voltage versus
Case Temperature
TYPICAL CHARACTERISTICS
R1
C4 C5
+
–
BIAS 0–6 V
C2
INPUT
C1
C3
T1
C6 C7
T2
C8 C9
L1
C10 C11 L2 C12 +
–
28 V
OUTPUT
C13
100
10
11 10 100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
TC = 25°C
VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (NORMALIZED)
1.04
–25 TC, CASE TEMPERATURE (°C)
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
0.9 0 25 50 75 100
ID = 5 A
4 A
2 A
1 A
0.5 A 0.25 A
DUT
HIGH
IMPEDANCE
WINDINGS
CENTER
TAP
4:1
IMPEDANCE
RATIO
9:1
IMPEDANCE
RATIO
CONNECTIONS
TO LOW
IMPEDANCE
WINDINGS
CENTER
TAP
MRF141G
4MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 4. Common Source Unity Gain Frequency
versus Drain Current Figure 5. Capacitance versus
Drain–Source Voltage
Figure 6. Power Gain versus Frequency
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Output Power versus Supply Voltage
2000
0ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 10 2051525
1000
0
2000
200
20
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VDS = 20 V
10 V
NOTE: Data shown applies to each half of MRF141G.
f , UNITY GAIN FREQUENCY (MHz)
T
C, CAPACITANCE (pF)
NOTE: Data shown applies to each half of MRF141G.
Coss
Ciss
Crss
GPS, POWER GAIN (dB)
30
f, FREQUENCY (MHz)
2
25
20
15
10
55 10 30 100 200
VDD = 28 V
IDQ = 2 x 250 mA
Pout = 300 W
400
SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
12
P , OUTPUT POWER (WATTS)
out
350
300
250
200
150
100
50
014 16 18 20 22 24 26 28
Figure 8. Input and Output Impedances
f = 175 MHz
IDQ = 250 mA x 2
Pin = 30 W
20 W
10 W
Zo = 10 Ω
f = 175 MHz
INPUT, Zin
(GATE TO GATE)
30
100
150
125
30
f = 175 MHz
150
125
100
OUTPUT, ZOL*
(DRAIN TO DRAIN)
ZOL* = Conjugate of the optimum load impedance
ZOL* = into which the device output operates at a
ZOL* = given output power, voltage and frequency.
5
MRF141GMOTOROLA RF DEVICE DATA
NOTE: S–Parameter data represents measurements taken from one chip only.
Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 0.57 A)
f
S11 S21 S12 S22
f
MHz |S11|φ|S21|φ|S12|φ|S22|φ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.845
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
4.88
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.014
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.939
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
40
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.867
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
3.23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
66
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–14
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.856
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
50
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.876
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2.62
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
62
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.868
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
60
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.883
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2.12
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
59
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.012
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.938
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.890
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.85
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
58
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.012
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–12
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.036
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.899
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.57
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
56
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.011
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.110
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
90
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.909
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.36
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
50
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–11
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.190
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
100
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.920
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
43
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.160
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
110
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.930
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.95
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
37
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.007
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.100
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
120
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.938
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
33
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.007
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–11
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
130
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.944
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.67
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
31
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.006
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–3
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.954
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
140
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.948
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.60
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
31
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.006
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.964
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
150
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.951
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.56
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.005
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.023
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
160
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.954
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.52
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.005
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
31
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.130
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.958
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.48
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
29
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.006
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
37
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.190
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.962
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.45
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
24
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.006
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
39
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.260
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
190
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.965
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.40
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
17
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.007
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
41
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.200
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
200
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.968
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.34
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.008
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
49
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.090
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
210
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.30
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.008
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
60
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.980
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
220
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.972
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.27
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.008
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
68
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.960
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
230
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.973
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.25
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
17
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.008
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
68
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.045
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
240
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.974
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.24
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
20
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
67
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.030
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
250
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.975
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.24
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
19
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.011
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
68
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.100
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
260
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.977
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.21
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
17
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.012
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
69
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.200
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
270
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.978
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.22
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
13
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
72
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.210
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
280
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.979
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.19
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
13
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.012
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
72
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
290
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.979
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.012
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
68
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.040
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
300
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.980
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
8
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
65
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.998
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
310
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.980
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
13
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.015
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.977
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
320
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.981
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.017
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.979
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
330
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.017
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
83
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.033
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
340
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
19
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.016
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
81
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.110
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
350
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
16
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.016
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
73
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.140
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
360
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
8
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.020
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
63
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.150
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
370
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
6
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.023
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
65
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.120
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
380
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
7
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.023
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
72
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.050
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
390
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.021
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
81
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.993
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
400
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
14
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.018
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
83
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.959
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
410
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
12
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.020
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
71
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.040
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
420
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.09
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
16
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.025
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
65
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.090
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
430
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.09
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.028
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.100
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
MRF141G
6MOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 0.57 A) continued
f
S11 S21 S12 S22
f
MHz |S11|φ|S21|φ|S12|φ|S22|φ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
440
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.09
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
12
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.028
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.100
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
450
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.09
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
13
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.025
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
82
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.090
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
460
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.07
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
14
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.022
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
66
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.080
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
470
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.07
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
13
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.024
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
56
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.992
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
480
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.07
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
16
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.032
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
60
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
490
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.984
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.07
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
13
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.036
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
74
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.996
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
500
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.984
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.07
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
18
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.035
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
85
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.040
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 0.65 A)
f
S11 S21 S12 S22
f
MHz |S11|φ|S21|φ|S12|φ|S22|φ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.849
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
5.41
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
79
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–6
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.934
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
40
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.869
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
3.59
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
67
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.849
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
50
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.878
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2.91
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
62
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.012
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.859
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
60
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.884
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2.36
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
60
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.011
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.928
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.890
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2.06
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
59
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–11
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.029
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.899
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.75
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
56
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–14
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.110
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
90
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.910
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.52
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
51
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–18
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.190
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
100
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.920
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.26
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
43
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–19
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.150
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
110
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.929
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.07
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
37
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.008
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.100
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
120
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.937
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.88
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
34
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.006
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–4
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.000
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
130
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.943
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.75
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.004
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
5
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.953
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
140
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.947
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.67
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.003
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
6
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.966
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
150
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.950
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.63
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.004
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
6
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.030
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
160
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.953
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.58
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.005
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
18
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.120
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.957
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.54
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
29
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.006
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
36
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.961
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.51
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
24
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.006
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
53
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.250
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
190
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.964
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.45
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
18
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.006
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
65
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.200
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
200
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.967
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.39
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.005
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
69
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.110
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
210
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.969
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.35
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.005
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
63
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.030
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
220
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.971
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.31
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.006
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
59
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.975
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
230
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.972
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.28
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
17
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
66
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.040
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
240
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.973
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.27
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
20
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.030
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
250
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.974
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.27
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
19
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
88
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.090
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
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ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.976
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ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.24
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
17
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
85
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.200
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
270
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.977
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.24
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
12
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
73
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.220
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
280
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.978
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.21
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
12
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.011
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
66
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
290
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.979
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.19
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
2
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.040
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
300
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.979
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.18
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
8
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.000
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
310
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.979
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
13
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
89
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.975
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
320
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.980
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
14
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.012
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
88
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.988
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
330
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.981
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.14
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
9
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.050
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
340
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
17
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.015
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
75
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.110
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
7
MRF141GMOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 0.65 A) continued
f
S11 S21 S12 S22
f
MHz |S11|φ|S21|φ|S12|φ|S22|φ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
350
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
14
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.018
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.130
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
360
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.14
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
8
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.018
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
82
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.160
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
370
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.12
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
6
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.017
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
82
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.120
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
380
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.12
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
6
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.015
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.060
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
390
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.11
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
9
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.016
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
72
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.992
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
400
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
13
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.018
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.958
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
410
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.11
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
11
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.021
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
83
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.050
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
420
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.021
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
87
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.070
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
430
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
14
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.019
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
85
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.090
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
440
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.018
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.130
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
450
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.10
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
9
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.021
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
71
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.130
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
460
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.08
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
10
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.024
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.080
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
470
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.08
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
11
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.023
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
82
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.996
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
480
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.08
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
15
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.021
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
90
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.974
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
490
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.08
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
12
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.019
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
87
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.971
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
500
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.983
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.08
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
17
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.021
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
MRF141G
8MOTOROLA RF DEVICE DATA
RF POWER MOSFET CONSIDERATIONS
MOSFET CAPACITANCES
The physical structure of a MOSFET results in capacitors
between the terminals. The metal anode gate structure de-
termines the capacitors from gate–to–drain (Cgd), and gate–
to–source (Cgs). The PN junction formed during the
fabrication of the MOSFET results in a junction capacitance
from drain–to–source (Cds).
These capacitances are characterized as input (Ciss), out-
put (Coss) and reverse transfer (Crss) capacitances on data
sheets. The relationships between the inter–terminal capaci-
tances and those given on data sheets are shown below . The
Ciss can be specified in two ways:
1. Drain shorted to source and positive voltage at the gate.
2. Positive voltage of the drain in respect to source and zero
volts at the gate. In the latter case the numbers are lower.
However, neither method represents the actual operat-
ing conditions in RF applications.
Cgd
GATE
SOURCE
Cgs
DRAIN
Cds Ciss = Cgd = Cgs
Coss = Cgd = Cds
Crss = Cgd
LINEARITY AND GAIN CHARACTERISTICS
In addition to the typical IMD and power gain data pres-
ented, Figure 4 may give the designer additional information
on the capabilities of this device. The graph represents the
small signal unity current gain frequency at a given drain cur-
rent level. This is equivalent to fT for bipolar transistors.
Since this test is performed at a fast sweep speed, heating of
the device does not occur. Thus, in normal use, the higher
temperatures may degrade these characteristics to some ex-
tent.
DRAIN CHARACTERISTICS
One figure of merit for a FET is its static resistance in the
full–on condition. This on–resistance, VDS(on), occurs in the
linear region of the output characteristic and is specified un-
der specific test conditions for gate–source voltage and drain
current. For MOSFETs, VDS(on) has a positive temperature
coefficient and constitutes an important design consideration
at high temperatures, because it contributes to the power
dissipation within the device.
GATE CHARACTERISTICS
The gate of the MOSFET is a polysilicon material, and is
electrically isolated from the source by a layer of oxide. The
input resistance is very high — on the order of 109 ohms —
resulting in a leakage current of a few nanoamperes.
Gate control is achieved by applying a positive voltage
slightly in excess of the gate–to–source threshold voltage,
VGS(th).
Gate Voltage Rating — Never exceed the gate voltage
rating. Exceeding the rated VGS can result in permanent
damage to the oxide layer in the gate region.
Gate Termination — The gate of this device is essentially
capacitor . Circuits that leave the gate open–circuited or float-
ing should be avoided. These conditions can result in turn–
on of the device due to voltage build–up on the input
capacitor due to leakage currents or pickup.
Gate Protection — This device does not have an internal
monolithic zener diode from gate–to–source. If gate protec-
tion is required, an external zener diode is recommended.
Using a resistor to keep the gate–to–source impedance
low also helps damp transients and serves another important
function. Voltage transients on the drain can be coupled to
the gate through the parasitic gate–drain capacitance. If the
gate–to–source impedance and the rate of voltage change
on the drain are both high, then the signal coupled to the gate
may be large enough to exceed the gate–threshold voltage
and turn the device on.
HANDLING CONSIDERATIONS
When shipping, the devices should be transported only in
antistatic bags or conductive foam. Upon removal from the
packaging, careful handling procedures should be adhered
to. Those handling the devices should wear grounding straps
and devices not in the antistatic packaging should be kept in
metal tote bins. MOSFETs should be handled by the case
and not by the leads, and when testing the device, all leads
should make good electrical contact before voltage is ap-
plied. As a final note, when placing the FET into the system it
is designed for, soldering should be done with a grounded
iron.
DESIGN CONSIDERATIONS
The MRF141G is an RF Power, MOS, N–channel en-
hancement mode field–effect transistor (FET) designed for
HF and VHF power amplifier applications.
Motorola Application Note AN211A, FETs in Theory and
Practice, is suggested reading for those not familiar with the
construction and characteristics of FETs.
The major advantages of RF power MOSFETs include
high gain, low noise, simple bias systems, relative immunity
from thermal runaway, and the ability to withstand severely
mismatched loads without suffering damage. Power output
can be varied over a wide range with a low power dc control
signal.
DC BIAS
The MRF141G is an enhancement mode FET and, there-
fore, does not conduct when drain voltage is applied. Drain
current flows when a positive voltage is applied to the gate.
RF power FETs require forward bias for optimum perfor-
mance. The value of quiescent drain current (IDQ) is not criti-
cal for many applications. The MRF141G was characterized
at IDQ = 250 mA, each side, which is the suggested minimum
value of IDQ. For special applications such as linear amplifi-
cation, IDQ may have to be selected to optimize the critical
parameters.
The gate is a dc open circuit and draws no current. There-
fore, the gate bias circuit may be just a simple resistive divid-
er network. Some applications may require a more elaborate
bias system.
GAIN CONTROL
Power output of the MRF141G may be controlled from its
rated value down to zero (negative gain) by varying the dc
gate voltage. This feature facilitates the design of manual
gain control, AGC/ALC and modulation systems.
MRF141G
10 MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375–04
ISSUE D
STYLE 2:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
12
34
5
D
Q
U
G
R
K
RADIUS 2 PL
–B–
–T–
E
H
J
C
SEATING
PLANE
N
M
A
M
0.25 (0.010) B M
T
–A–
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A1.330 1.350 33.79 34.29
B0.370 0.410 9.40 10.41
C0.190 0.230 4.83 5.84
D0.215 0.235 5.47 5.96
E0.050 0.070 1.27 1.77
G0.430 0.440 10.92 11.18
H0.102 0.112 2.59 2.84
J0.004 0.006 0.11 0.15
K0.185 0.215 4.83 5.33
N0.845 0.875 21.46 22.23
Q0.060 0.070 1.52 1.78
R0.390 0.410 9.91 10.41
U1.100 BSC 27.94 BSC
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding
the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and
specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in Motorola
data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals”
must be validated for each customer application by customer’s technical experts. Motorola does not convey any license under its patent rights nor the rights of
others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other
applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the Motorola product could create a situation where personal injury
or death may occur. Should Buyer purchase or use Motorola products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold Motorola
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
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