NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA TRANSISTORS NPN SILICIUM, MESA DIF FUSES 2N 1208 2N 1209 - LF farge signal amplification Amplification BF grands signaux - High current switching Commutation fort courant Dissipation derating 60 V 2N 1208 hoqe (2 A) v CEO 45V- 2N 1209 lc 5A Prot 85 W Reh (j-c) 2,05C/W max. 15 min. 2N 1208 20 min. 2N 1209 Case TO-61 See outline drawing CB-69 on last pages Variation de dissipation Boitier Voir dessin cot CB-69 dernires pages 100 %/ . I C ! 75 4 ! | 50 +t B | 25 +. Top view Vue de dessus E 4 Weight : 14,4g Collector is connected to case 50 100 =150 , Masse Le collecteur est reli au boitier case! oc) ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t= 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Sauf indications contraires} 2N 1208 2N 1209 Collector-base voltage | Tension collecteur-base Vcgo 60 45 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension coilecteur-metteur cEO 60 45 v Emitter-base voltage Tension metteur-base V EBO 10 5 Vv Collector current ' Courant coliecteur c 5 5 A Power dissipation _ Dissipation de puissance toase 26C Prot 85 85 Ww Junction temperature . Temprature de jonction max. i 200 200 c Storage temperature min. t 65 65 oc Temprature de stockage max. stg +200 +200 C 73-11 V2 THOMSON - CSF 229 DniBlON SEMICONDUCTEURS, |2N 1208, 2N 1209 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions os Conditions de mesure Min. Typ. Max. ce = - Vv 10 mA E = Vop =60V 2N 1208 le =0 20 mA t = o Collector-base cut-off current case = 150 c i Courant rsiduel collecteur-base | 0 CBO E = 20 A Vog =45V " tease = 150C 2N 1209 le =0 20 mA Ves =45V Vep = 10V | EB =i 2N 1208 10 mA Emitter-base cut-off current c | Courant rsiduel metteur-hase Vv, =5V EBO EB 2N 1209 10 mA lo =0 Collector-emitter breakdown voltage Io = 100 mA Vv x | 2N 1208 60 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Ip =0 (BR)CEO 2N 1209 45 Collector-base breakdown voltage Ig = 20mA Vv * 60 Vv Tension de claquage collecteur-base l E = 0 (BR)CBO 45 Emitter-base breakdown voltage le =10mA Vipr ERO" 2N 1208 10 Vv Tension de claquage metteur-base Io =0 ) 2N 1209 5 Static forward current transfer ratio Vee =12V hore 2N 1208 15 30 Vv Valeur statique du rapport de transfert direct du courant le =2A 2N 1209 20 30 Collector-emitter saturation voltage le =2A Vv 2 Vv Tension de saturation collecteur-metteur Ip =0,25A CEsat Base-emitter voltage Vee = 12 v 3 Vv Tension base-metteur le =2A BE DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} Vee =30V Transition frequency i cE f. Frquence de transition lo =0,3A T 3 20 MHz t = 1 Mhz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance . Rsistance thermique (jonction-boitier) Renij-c) 2,05 c/w * Pulsed t, = 300 us impulsions p <2% 2/2 230