MR820 ... MR828
MR820 ... MR828
Fast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit schnellem Sperrverzug
IFAV = 5 A
VF< 1.2 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50...800 V
IFSM = 300/220 A
trr < 300 ns
Version 2015-11-19
Ø 8 x 7.5 (~P600)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Application
Rectification of medium frequencies,
Snubber or Bootstrap diodes
Commercial grade 1)
Typische Anwendung
Gleichrichtung mittlerer Frequenzen
Beschaltungs- oder Bootstrapdioden
Standardausführung 1)
Features
High forward surge current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheit
Hohe Stoßstromfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack 500 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 1.7 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
MR820 50 50
MR821 100 100
MR822 200 200
MR824 400 400
MR826 600 600
MR828 800 800
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C IFAV 5 A 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 60 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 300/330 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 450 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø
±0.05
1.2
Ø
±0.1
8
7,5
±0.1
62.5
±0.5
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
MR820 ... MR828
Characteristics Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A VF< 1.2 V
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 10 µA
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V Cj15 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr < 300 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 16 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 5 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
300a-(5a-1.2v)
