<_ BC 635 - BC 637 - BC 639 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Kompiementare NF-Treiberstufen. Komplementartypen zu BC 636/BC 638/BC 640 Applications: For complementary AF driver stages. Complementary to BC 636/BC 638/BC 640 Besondere Merkmale: Features: @ Hohe Verlustleistung @ High power dissipation @ Gepaart lieferbar @ Matched pairs available Vorlaufige technische Daten - Preliminary specifications Abmessungen in mm Dimensions in mm Normgehause Case 10 A3 DIN 41868 JEDEC TO 92 Z Gewicht - Weight max. 0,3 g Absolute Grenzdaten BC 635 BC 637 BC 639 Absolute maximum ratings Kollektor-Emitter-Sperrspannung UcEO 45 60 80 v Collector-emitier voltage Kollektorstrom Io 1 A Collector current Kollektorspitzenstrom Iom 1,5 A Collector peak current Gesamtverlustleistung Total power dissipation lamb = 25C Prot 1 W Sperrschichttemperatur fj 150 C Junction temperature Lagerungstemperaturbereich stg -55 ... +150 C Storage temperature range B 2/V.2.494/0875 A1 137BC 635 - BC 637 - BC 639 \ 741548 Prot 08 Ringa = 125 "Cw 0,6 156 C/W 0,4 0,2 lamb" Warmewiderstande Min. Typ. Max. Thermal resistances Sperrschicht-Umgebung Junction ambient 7=3mm Rina 156 C/W Kupferkihlflache 10x10 mm, 35 um dick Rina 125 C/W Copper cooling area 10x10 mm, 35 um thickness Sperrschicht-Gehause Rihuc 55 C/W Junction case Statische KenngrdBen DC characteristics lamb = 25C, falls nicht anders angegeben unless otherwise specified Kollektorreststrom Collector cut-off current UcB = 30V, lamb = 125C IcBo 10 pABC 635 - BC 637 - BC 639 Min. Typ. Max. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung Collector-base breakdown voltage BC 637 UBR)CBO 60 Vv BC 639 UBR)CBO 80 Vv Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage Iq = 20 mA BC 635 UBR)yCEO ) 45 Vv BC 637 UpBrR)CEO P 60 Vv Emitter-Basis-Durchbruchspannung Emitter-base breakdown voltage Kollektor-Sattigungsspannung Collector saturation voltage To = 500 mA, Jp = 50 mA Ucksat 0,5 v Basis-Emitter-Spannung Base-emitter voitage Uce = 2V, Ig = 500 mA Upe') 1 v Kollektor-Basis-Gleichstromverhaltnis DC forward current transfer ratio Yop =2V, igo = 150mMA Gruppe 6 BC 635, BC 637, BC 639 hEE ') 40 95 Group Gruppe 10 BC 635, BC 637, BC 639 hee ) 67 150 Group Gruppe 16 BC 635 hee) 106 236 Group BC 635, BC 637, BC 639 hee ) 25 Fur Paare gilt das Ap--Verhaltnis Age matched pair ratio Uce = 1, Jg = 100 mA 1,4 Dynamische KenngrBen AC characteristics lamb = 25C Transitfrequenz Gain bandwidth product Uce = 5V, Ig = 50 mA, f = 30 MHz ST 50 MHz t ) ~ = 0,01, tp = 0,3 ms 139