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www.shindengen.co.jp/product/semi/
（THY-p
〈2014.02
〉）
Package：FB U
nit：mm
■外観図 OUTLINE
KC3FB40H
400V3A
単位
Unit
規格値
Ratings
条 件
Conditions
記号
Symbol
項 目
Item
℃－55～150Tstg
保存温度
StorageTemperature
℃－40～125Tj
接合部温度
O
peratingJunctionTemperature
V400R
GK
＝1kΩV
DRM
せん頭オフ電圧
RepetitivepeakOff-stateVoltage
V400R
GK
＝1kΩV
RRM
せん頭逆電圧
RepetitivepeakReverseVoltage
V500R
GK
＝1kΩV
DSM
非繰り返しせん頭オフ電圧
non-RepetitivepeakOff-stateVoltage
V500R
GK
＝1kΩV
RSM
非繰り返しせん頭逆電圧
n
on-RepetitivepeakReverseVoltage
A3
Tc＝111℃，50Hz正弦波，導通角 θ=180°
Tc=111˚C,50Hzsinewave,θ=180°
I
T
（AV）
平均オン電流
AverageOn-stateCurrent
A4
Tc＝113℃，50Hz正弦波，導通角 θ=180°
Tc=113˚C,50Hzsinewave,θ=180°
I
T（RMS）
実効オン電流
R.M.S.On-stateCurrent
A40
Tj＝25℃，50Hz正弦波，導通角 θ=180° 非繰り返し
Tj=25˚C,50Hzsinewave,θ=180°non-repetitive
I
TSM
サージオン電流
PeakSurgeOn-stateCurrent
A
2
s8
Tj＝25℃，1ms≦t＜10ms，非繰り返し
I
2
t
電流二乗時間積
CurrentSquaredTime
A/μs50di/dt
臨界オン電流上昇率
CriticalRateofRiseofOn-stateCurrent
W1
f≧50Hz，Duty≦ 10％
P
FGM
ピークゲート損失
PeakGateDissipation
W0.2P
FG（AV）
平均ゲート損失
AverageGateDissipation
A0.5f＝50Hz，Duty≦ 10％I
FGM
ピークゲート順電流
PeakForwardGateCurrent
V6V
RGM
ピークゲート逆電圧
PeakReverseGateVoltage
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合は Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合は Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
μA
MAX 50
V
D
=400V， RGK
=1kΩパルス測定
V
D
=400V,R
GK=1kΩPulsemeasurement
I
DRM
せん頭オフ電流
Off-stateCurrent
μA
MAX 50
V
R
=400V， RGK
=1kΩパルス測定
V
R
=400V,R
GK=1kΩPulsemeasurement
I
RRM
せん頭逆電流
ReverseCurrent
V
MAX 1.4
I
TM =4A パルス測定
I
TM
=4APulsemeasurement
V
TM
オン電圧
On-stateVoltage
V
MAX 0.8V
D
＝6V,R
L
＝100ΩV
GT
ゲートトリガ電圧
GatetriggerVoltage
V
MIN0.2Tj＝125℃,V
D
＝1/2V
DRM,R
GK
＝1kΩV
GD
ゲート非トリガ電圧
Gatenon-triggerVoltage
μA
MAX 100V
D
＝6V,R
L
＝100ΩI
GT
ゲートトリガ電流
GatetriggerCurrent
mA
MAX 5I
TM ＝5A,R
GK
＝1kΩI
H
保持電流
HoldingCurrent
V/μs
TYP 16Tj＝125℃,V
D
＝270V,R
GK
＝1kΩd
V
/dt
臨界オフ電圧上昇率
CriticalRateofRiseofOff-stateVoltage
μs
TYP 18
Tj=125℃，I
TM =2A， VR
≧25V， di
R
/dt=15A/μs，
V
D
=2/3V
DRM，R
GK
=1kΩ
tq
転流ターンオフ時間
Turn-offtime
℃/W
MAX 3
接合部・ケース間
Junctiontocase
θjc
熱抵抗
ThermalResistance
④
③
②
①
6.6 2.3
10.0
2.32.3
KC340H
000000
Type No.
品名略号
Date code
ロット記号（例）
①
③
②④
SMD Thyristor
特長
煙小型 S
MD
煙t
q保証
煙高感度品
Feature
煙SmallSMD
煙t
qGuarantee
煙HighSensitivity
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〈2014.02
〉）
＊Sinewaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsinewaveisusedformeasurements.
KC3FB40H
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
１cycle
ITSM
１０ms１０ms
Sine wave
Non-repetitive
RGK open
Tj＝２５℃
TYP
VD=6V
RL=100Ω
Ta=25℃
オン電圧−オン電流
On-state Voltage vs On-state Current
１０
３０
１
０.３
０．５1 １.５ ２.５２
On-state Current IT〔A〕
On-state Voltage VT〔V〕
２５℃（MAX）
１２５℃（MAX）
サージオン電流耐量
Surge On-state Current Capability
４０
３０
５０
２０
１０
０
Number of Cycles〔cycle〕
Surge On-state Current ITSM〔A〕
１ １００１０
オン電力損失曲線
On-state Power Dissipation
６
５
４
２
１
３
０
DC
D＝０．８
D＝０．５
D＝０．３
D＝０．２
D＝０．１
D＝０．０５
sine
Average On-state Current IＴ（AV）〔A〕
On-state Power Dissipation PT〔W〕
０１ ４５３２
Tj=125℃
０２５ ７５５０ １００ １２５ １５０
１
３
４
５
２
０
R-load
Case Temperature Tc〔℃〕
DC
D=0.8
D=0.5
D=0.3
D=0.2
D=0.1
D=0.05
sine
TYP
VD=6V
RL=100Ω
Ta=25℃
１０
０.１
１
VGT -tp 特性
Gate Trigger Voltage vs Pulse Width
１１０００１００１０
Pulse width tp〔μs〕
Gate trigger voltage VGT〔V〕
IGT -tp 特性
Gate Trigger Current vs Pulse Width
１
０００
１０
4
１
Pulse width tp〔μs〕
Gate Trigger Current IGT〔μA〕
１ １０００
１００
１０ １００
ゲート特性
１
１０
０.１
０.０１
１
０
-5
０
.０００１
VGT=0.8V
VFGM=6V
PGM=1W
VGD=0.2V
IFGM=0.5A
０
.００１ ０.０１ ０.１ １
Gate Current IG〔A〕
Gate Voltage VG〔V〕
Gate Characteristic
IGT=100μA
IGT -Tj 特性
５
３
４
２
１
０
−４０ ０ ２０−２０
TYP
Pulse measurement
４０ ６０ ８０ １００ １２０
Junction Temperature Tj〔℃〕
Gate Trigger Current Ratio of IGT（Tj℃）/IGT（25℃）
Gate Trigger Current vs Junction Temperature IH-Tj 特性
０ ２０−２０−４０
TYP
RGK1kΩ
Pulse Measurment
４０ ６０ ８０ １００ １２０
Junction Temperature Tj〔℃〕
Holding Current Ratio of IH（Tj℃）/IH（25℃）
Holding Current vs Junction Temperature
２.５
１.５
２
１
０.５
０
VGT -Tj 特性
０ ２０−２０−４０
TYP
Pulse Measurment
４０ ６０ ８０ １００ １２０
Junction Temperature Tj〔℃〕
Gate Trigger Voltage vs Junction Temperature
２.５
１.５
２
１
０.５
０
Gate Trigger Voltage Ratio of VGT（Tj℃）/VGT（25℃）
PGM（AV）=0.2W
ディレーティングカーブ Tc-IT（AV）
Derating Curve Tc-IT（AV）
Average On-state Current IT（AV）〔A〕
２５℃（TYP）
１２５℃（TYP）
ご注意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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