SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA feof6645 feo06645 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203) und bei 880 nm (SFH 203 FA) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause Auch gegurtet lieferbar Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 203) and of 880 nm (SFH 203 FA) Short switching time (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package Also available on tape Anwendungen Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb LWL Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 203 (*SFH 2030) Q62702-P955 SFH 203 FA (*SFH 2030 F) Q62702-P956 Semiconductor Group Applications Industrial electronics For control and drive circuits Photointerrupters Fiber optic transmission systems 1 03.96 SFH 203 SFH 203 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 230 C Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 203 SFH 203 FA S 80 ( 50) - nA/Ix S - 50 ( 30) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 400 ... 1100 800 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 1x1 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm Semiconductor Group 2 Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 LxW SFH 203 SFH 203 FA Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 203 SFH 203 FA Einheit Unit Halbwinkel Half angle 20 20 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 ( 5) 1 ( 5) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm VO 420 ( 350) - mV VO - 370 ( 300) mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm ISC 80 - A ISC - 25 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 5 5 ns Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 - 2.6 mV/K TCI 0.18 - - 0.2 %/K Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, = 850 nm NEP 2.9 x 10- 14 2.9 x 10- 14 W Hz Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit D* 3.5 x 1012 cm * Hz W Semiconductor Group 3 Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 950 nm 3.5 x 1012 SFH 203 SFH 203 FA Relative spectral sensitivity SFH 203 Srel = f () Relative spectral sensitivity SFH 203 FA Srel = f () Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) SFH 203 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO= f (Ee) SFH 203 FA Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group 4