1
MRF141MOTOROLA RF DEVICE DATA
The RF MOSFET Line
RFPowerField-EffectTransistor
N–Channel Enhancement–Mode MOSFET
Designed for broadband commercial and military applications at frequencies
to 175 MHz. The high power, high gain and broadband performance of this
device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel
frequency bands.
•Guaranteed Performance at 30 MHz, 28 V:
Output Power — 150 W
Gain — 18 dB (22 dB Typ)
Efficiency — 40%
•Typical Performance at 175 MHz, 50 V:
Output Power — 150 W
Gain — 13 dB
•Low Thermal Resistance
•Ruggedness Tested at Rated Output Power
•Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability
•S–Parameters Available for Download into Frequency Domain Simulators.
See http://motorola.com/sps/rf/designtds/
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Drain–Source Voltage VDSS 65 Vdc
Drain–Gate Voltage VDGO 65 Vdc
Gate–Source Voltage VGS ±40 Vdc
Drain Current — Continuous ID16 Adc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°CPD300
1.71 Watts
W/°C
Storage Temperature Range Tstg –65 to +150 °C
Operating Junction Temperature TJ200 °C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction to Case RθJC 0.6 °C/W
NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
Order this document
by MRF141/D
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MRF141
150 W, 28 V, 175 MHz
N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFET
CASE 211–11, STYLE 2
Motorola, Inc. 1998
D
G
S
REV 9
MRF141
2MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit
OFF CHARACTERISTICS (1)
Drain–Source Breakdown Voltage (VGS = 0, ID = 100 mA) V(BR)DSS 65 — — Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 28 V, VGS = 0) IDSS — — 5.0 mAdc
Gate–Body Leakage Current (VGS = 20 V, VDS = 0) IGSS — — 1.0 µAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
Gate Threshold Voltage (VDS = 10 V, ID = 100 mA) VGS(th) 1.0 3.0 5.0 Vdc
Drain–Source On–V oltage (VGS = 10 V, ID = 10 A) VDS(on) 0.1 0.9 1.5 Vdc
Forward T ransconductance (VDS = 10 V, ID = 5.0 A) gfs 5.0 7.0 — mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS (1)
Input Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Ciss — 350 — pF
Output Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Coss — 420 — pF
Reverse Transfer Capacitance (VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1.0 MHz) Crss — 35 — pF
FUNCTIONAL TESTS
Common Source Amplifier Power Gain, f = 30; 30.001 MHz
(VDD = 28 V, Pout = 150 W (PEP), IDQ = 250 mA) f = 175 MHz Gps 16
—20
10 —
—dB
Drain Efficiency
(VDD = 28 V, Pout = 150 W (PEP), f = 30; 30.001 MHz,
IDQ = 250 mA, ID (Max) = 5.95 A)
η40 45 — %
Intermodulation Distortion (1)
(VDD = 28 V, Pout = 150 W (PEP), f = 30 MHz,
f2 = 30.001 MHz, IDQ = 250 mA) IMD(d3)
IMD(d11) —
—–30
–60 –28
—
dB
Load Mismatch
(VDD = 28 V, Pout = 150 W (PEP), f1 = 30; 30.001 MHz,
IDQ = 250 mA, VSWR 30:1 at all Phase Angles)
ψNo Degradation in Output Power
CLASS A PERFORMANCE
Intermodulation Distortion (1) and Power Gain
(VDD = 28 V, Pout = 50 W (PEP), f1 = 30 MHz,
f2 = 30.001 MHz, IDQ = 4.0 A)
GPS
IMD(d3)
IMD(d9–13)
—
—
—
23
–50
–75
—
—
—
dB
NOTE:
1. To MIL–STD–1311 Version A, Test Method 2204B, Two Tone, Reference Each Tone.
Figure 1. 30 MHz Test Circuit (Class AB)
C2, C5, C6, C7, C8, C9 — 0.1 µF Ceramic Chip or
Monolythic with Short Leads
C3 — Arco 469
C4 — 820 pF Unencapsulated Mica or Dipped Mica
with Short Leads
C10 — 10 µF/100 V Electrolytic
C11 — 1 µF, 50 V, Tantalum
C12 — 330 pF, Dipped Mica (Short leads)
L1 — VK200/4B Ferrite Choke or Equivalent, 3.0 µH
L2 — Ferrite Bead(s), 2.0 µH
R1, R2 — 51 Ω/1.0 W Carbon
R3 — 1.0 Ω/1.0 W Carbon or Parallel Two 2 Ω, 1/2 W Resistors
R4 — 1 kΩ/1/2 W Carbon
T1 — 16:1 Broadband T ransformer
T2 — 1:25 Broadband T ransformer
Board Material — 0.062″ Fiberglass (G10),
1 oz. Copper Clad, 2 Sides,
e
r = 5
C7
+
–C5
R1 C4 T2
C3
R2
R3
RF INPUT
L1 C8
T1
C6 C9
D.U.T.
C10 28 V
+
–
RF
OUTPUT
L2 +
–
BIAS
0–12 V
C2
C11 R4
C12
3
MRF141MOTOROLA RF DEVICE DATA
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 2. DC Safe Operating Area Figure 3. Gate–Source Voltage versus
Case Temperature
Figure 4. Common Source Unity Gain Frequency
versus Drain Current Figure 5. Capacitance versus
Drain–Source Voltage
Figure 6. Power Gain versus Frequency Figure 7. Output Power versus Input Power
TYPICAL CHARACTERISTICS
30
25
20
15
10
52010 100 200 012345
200
0
0 5 10 15 20 25
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOL TS)
f, FREQUENCY (MHz) Pin, INPUT POWER (W ATTS)
200
20
2000
1000
0020
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
100
10
11 100
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
fT, UNITY GAIN FREQUENCY (MHz)
VDD = 28 V
IDQ = 250 mA
Pout = 150 W
VDS = 20 V
10 V
0 5 10 15 20 25
G
f = 175 MHz
VDD = 28 V
IDQ = 250 mA
f = 30 MHz
VDD = 28 V
IDQ = 250 mA
26812161814410
–25 100
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
25 50 750
300
100
200
0
300
100
200
PS, POWER GAIN (dB)
Coss
Ciss
Crss
TC = 25°C
1.04
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
0.9
C, CAPACITANCE (pF) VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (NORMALIZED)
ID = 5 A
0.25 A
0.5 A
2 A
4 A
1 A
MRF141
4MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 8. Output Power versus Supply Voltage Figure 9. Output Power versus Supply Voltage
Figure 10. IMD versus Pout (PEP)
TYPICAL CHARACTERISTICS
12
028
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
IDQ = 250 mA
120
40
80
55
25
45
35
f = 30 MHz
IDQ = 250 mA f = 175 MHz
IDQ = 250 mA
Pin = 20 W
14 W
8 W
240
160
200
320
280
14 16 18 20 22 24 26
Pin = 4 W
2 W
1 W
12
028
SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
120
40
80
240
160
200
320
280
14 16 18 20 22 24 26
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
0 40 80 120 160 200
55
25
45
35
20 60 100 140 180
VDD = 28, f = 30 MHz, TONE SEPARATION = 1 kHz
d3
d5
d3
d5IDQ = 500 mA
SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
IMD, INTERMODULA TION DISTOR TION (dB)
5
MRF141MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 11. Input and Output Impedances
Figure 12. 175 MHz Test Circuit (Class AB)
C1, C2, C8 — Arco 463 or equivalent
C3 — 25 pF, Unelco
C4 — 0.1 µF, Ceramic
C5 — 1.0 µF, 15 WV Tantalum
C6 — 25 pF, Unelco J101
C7 — 25 pF, Unelco J101
C9 — Arco 262 or equivalent
C10 — 0.05 µF, Ceramic
C11 — 15 µF, 35 WV Electrolytic
L1 — 3/4″, #18 A WG into Hairpin
L2 — Printed Line, 0.200″ x 0.500″
L3 — 7/8″, #16 A WG into Hairpin
L4 — 2 T urns, #16 AWG, 5/16 ID
RFC1 — 5.6 µH, Molded Choke
RFC2 — VK200–4B
R1 — 150 Ω, 1.0 W Carbon
R2 — 10 kΩ, 1/2 W Carbon
R3 — 120 Ω, 1/2 W Carbon
C7
+
R1
C4
R2
RF INPUT L1
C8
C9
DUT
+ 28 V
RF
OUTPUT
L3
BIAS
0–12 V C5
+
–C11
C10
RFC1
L2
C2 C3
L4
C1
C6
R3
150
15 30
7.5
2
100
f = 175 MHz
ZOL*
Zin
VDD = 28 V
IDQ = 250 mA
Pout = 150 W PEP
ZOL* = Conjugate of the optimum load impedance
ZOL* = into which the device output operates at a
ZOL* = given output power, voltage and frequency.
Zo = 10 Ω
f = 175 MHz
2
30
100
4
MRF141
6MOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 5 A)
f
S11 S21 S12 S22
f
MHz |S11|φ|S21|φ|S12|φ|S22|φ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.916
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
4.23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
83
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.008
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.876
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
40
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.919
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
3.23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
39
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.885
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
50
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.922
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2.55
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
72
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
45
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.914
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
60
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.923
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2.14
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
68
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
46
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.893
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.927
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
63
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.011
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
48
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.878
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.929
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.48
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
61
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.013
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
53
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.864
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
90
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.931
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.28
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
60
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.015
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
61
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.850
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
100
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.934
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
55
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.016
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
66
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.893
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
110
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.935
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.05
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
53
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.016
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
69
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.913
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
120
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.939
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.91
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
51
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.017
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
69
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.930
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
130
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.941
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.82
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
48
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.019
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
67
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.916
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
140
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.943
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
46
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.022
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
68
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.926
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
150
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.946
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.67
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
42
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.024
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.940
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
160
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.946
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.63
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
40
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.025
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
73
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.915
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.948
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.57
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
39
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.024
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.891
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.949
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.52
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
37
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.026
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
75
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.906
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
190
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.950
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.49
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
37
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.028
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
74
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.899
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
200
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.950
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.45
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
35
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.030
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.915
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
210
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.938
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.43
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
31
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.043
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
108
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.966
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
220
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.958
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.39
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
33
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.029
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
61
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.972
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
230
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.961
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.36
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.038
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.033
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
240
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.960
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.36
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
28
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.036
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.943
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
250
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.961
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.32
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.038
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.912
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
260
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.962
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.30
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
31
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.040
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.918
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
270
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.961
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.27
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.044
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.933
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
280
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.963
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.26
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.045
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
79
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.943
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
290
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.964
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.25
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
25
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.045
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.940
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
300
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.965
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.26
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.047
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.930
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
310
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.966
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.25
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.051
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.977
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
320
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.964
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.24
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
26
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.053
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
75
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.947
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
330
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.966
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.22
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
21
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.056
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
75
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.946
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
340
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.967
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
26
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.056
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
75
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.944
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
350
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.967
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.22
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
24
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.058
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.946
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
360
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.965
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.21
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
28
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.062
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
74
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.956
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
370
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.966
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
28
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.048
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
61
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.968
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
380
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.968
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.053
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
74
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.931
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
168
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
390
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.18
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
31
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.063
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
74
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.962
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
168
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
400
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
26
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.071
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
79
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.965
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
410
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
29
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.076
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
169
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
420
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.971
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.076
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.956
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
167
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
430
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
29
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.070
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.912
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
165
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
440
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.074
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.933
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
167
7
MRF141MOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 5 A) continued
f
S11 S21 S12 S22
f
MHz |S11|φ|S21|φ|S12|φ|S22|φ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
450
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
31
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.081
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.967
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
167
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
460
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.090
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
73
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.982
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
164
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
470
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.969
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.095
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.945
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
165
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
480
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.964
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
34
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.099
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.956
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
165
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
490
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.960
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
31
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.107
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
75
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.947
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
163
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
500
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.959
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
23
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.103
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
68
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.962
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
163
Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 5 A)
f
S11 S21 S12 S22
f
MHz |S11|φ|S21|φ|S12|φ|S22|φ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
30
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.914
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
4.60
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
82
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.007
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
25
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.874
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
40
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.915
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
3.51
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.008
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
26
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.879
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
50
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.918
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2.76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
71
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
34
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.888
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
60
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.920
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
2.32
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
67
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
45
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.881
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.924
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.92
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
62
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
56
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.887
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.927
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.61
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
60
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.009
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
62
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.899
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
90
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.930
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.39
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
58
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.010
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
61
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.874
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
100
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.933
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
53
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.012
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
57
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.875
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
110
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.934
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
–180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
1.13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
51
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.015
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
63
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.884
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
120
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.938
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.98
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
49
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.017
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
73
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.926
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
130
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.940
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.88
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
46
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.018
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
81
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.959
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
140
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.942
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.81
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
44
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.018
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
82
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.966
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
150
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.945
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.71
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
40
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.018
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.961
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
160
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.946
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.67
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
38
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.021
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
73
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.910
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.948
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.61
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
37
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.023
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
77
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.871
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
179
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
180
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.950
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.54
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
35
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.026
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.912
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
190
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.950
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.52
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
34
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.029
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.959
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
200
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.952
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.47
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
33
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.034
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
64
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.971
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
210
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.949
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.46
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
28
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.067
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.023
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
–178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
220
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.953
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
178
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.41
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
31
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.019
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
94
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.954
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
230
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.959
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.38
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
26
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.037
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.014
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
240
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.960
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.37
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
25
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.040
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
79
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.943
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
250
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.961
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
177
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.33
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.042
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
84
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.972
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
260
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.962
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.30
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.041
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
86
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.969
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
270
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.961
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.29
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.041
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
83
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.951
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
280
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.963
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
176
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.27
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.042
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.929
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
290
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.964
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.26
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
23
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.045
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
79
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.930
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
300
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.965
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.27
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
25
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.051
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
81
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.963
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
310
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.966
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.26
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
24
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.052
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
83
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.012
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
320
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.965
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
175
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.25
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
23
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.053
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
81
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.984
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
330
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.966
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.23
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
19
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.055
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
78
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.955
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
340
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.967
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.24
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
25
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.054
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
76
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.929
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
350
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.967
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.22
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
22
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.057
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
79
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.917
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
MRF141
8MOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 5 A) continued
f
S11 S21 S12 S22
f
MHz |S11|φ|S21|φ|S12|φ|S22|φ
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
360
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.967
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.21
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
26
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.060
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
91
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.978
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
169
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
370
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.967
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
174
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
26
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.084
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
89
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
1.030
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
167
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
380
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.969
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.20
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
23
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.081
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
82
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.994
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
390
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.19
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
29
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.072
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.963
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
400
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
173
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
25
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.069
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
80
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.951
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
410
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.17
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.072
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
71
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.985
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
167
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
420
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.972
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
28
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.078
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
68
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
165
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
430
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.971
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
172
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
27
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.084
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
70
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.953
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
165
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
440
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.971
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.13
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
29
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.086
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
74
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.949
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
168
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
450
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.971
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
29
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.087
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
79
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.962
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
167
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
460
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.970
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
171
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.081
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
72
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.976
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
164
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
470
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.969
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
29
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.079
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
65
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.969
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
164
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
480
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.964
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.16
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
32
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.081
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
57
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.972
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
165
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
490
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.959
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
29
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.081
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
54
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.976
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
165
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
500
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.958
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
170
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.15
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
21
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
0.086
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
58
ÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ
0.953
ÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ
167
RF POWER MOSFET CONSIDERATIONS
MOSFET CAPACITANCES
The physical structure of a MOSFET results in capacitors
between the terminals. The metal anode gate structure de-
termines the capacitors from gate–to–drain (Cgd), and gate–
to–source (Cgs). The PN junction formed during the
fabrication of the MOSFET results in a junction capacitance
from drain–to–source (Cds).
These capacitances are characterized as input (Ciss), out-
put (Coss) and reverse transfer (Crss) capacitances on data
sheets. The relationships between the inter–terminal capaci-
tances and those given on data sheets are shown below . The
Ciss can be specified in two ways:
1. Drain shorted to source and positive voltage at the gate.
2. Positive voltage of the drain in respect to source and zero
volts at the gate. In the latter case the numbers are lower.
However, neither method represents the actual operat-
ing conditions in RF applications.
Cgd
GATE
SOURCE
Cgs
DRAIN
Cds Ciss = Cgd = Cgs
Coss = Cgd = Cds
Crss = Cgd
LINEARITY AND GAIN CHARACTERISTICS
In addition to the typical IMD and power gain data pres-
ented, Figure 4 may give the designer additional information
on the capabilities of this device. The graph represents the
small signal unity current gain frequency at a given drain cur-
rent level. This is equivalent to fT for bipolar transistors.
Since this test is performed at a fast sweep speed, heating of
the device does not occur. Thus, in normal use, the higher
temperatures may degrade these characteristics to some ex-
tent.
DRAIN CHARACTERISTICS
One figure of merit for a FET is its static resistance in the
full–on condition. This on–resistance, VDS(on), occurs in the
linear region of the output characteristic and is specified un-
der specific test conditions for gate–source voltage and drain
current. For MOSFETs, VDS(on) has a positive temperature
coefficient and constitutes an important design consideration
at high temperatures, because it contributes to the power
dissipation within the device.
GATE CHARACTERISTICS
The gate of the MOSFET is a polysilicon material, and is
electrically isolated from the source by a layer of oxide. The
input resistance is very high — on the order of 109 ohms —
resulting in a leakage current of a few nanoamperes.
Gate control is achieved by applying a positive voltage
slightly in excess of the gate–to–source threshold voltage,
VGS(th).
Gate Voltage Rating — Never exceed the gate voltage
rating. Exceeding the rated VGS can result in permanent
damage to the oxide layer in the gate region.
Gate Termination — The gate of this device is essentially
capacitor . Circuits that leave the gate open–circuited or float-
ing should be avoided. These conditions can result in turn–
on of the device due to voltage build–up on the input
capacitor due to leakage currents or pickup.
Gate Protection — This device does not have an internal
monolithic zener diode from gate–to–source. If gate protec-
tion is required, an external zener diode is recommended.
9
MRF141MOTOROLA RF DEVICE DATA
Using a resistor to keep the gate–to–source impedance
low also helps damp transients and serves another important
function. Voltage transients on the drain can be coupled to
the gate through the parasitic gate–drain capacitance. If the
gate–to–source impedance and the rate of voltage change
on the drain are both high, then the signal coupled to the gate
may be large enough to exceed the gate–threshold voltage
and turn the device on.
HANDLING CONSIDERATIONS
When shipping, the devices should be transported only in
antistatic bags or conductive foam. Upon removal from the
packaging, careful handling procedures should be adhered
to. Those handling the devices should wear grounding straps
and devices not in the antistatic packaging should be kept in
metal tote bins. MOSFETs should be handled by the case
and not by the leads, and when testing the device, all leads
should make good electrical contact before voltage is ap-
plied. As a final note, when placing the FET into the system it
is designed for, soldering should be done with a grounded
iron.
DESIGN CONSIDERATIONS
The MRF141 is an RF Power, MOS, N–channel enhance-
ment mode field–effect transistor (FET) designed for HF and
VHF power amplifier applications.
Motorola Application Note AN211A, FETs in Theory and
Practice, is suggested reading for those not familiar with the
construction and characteristics of FETs.
The major advantages of RF power MOSFETs include
high gain, low noise, simple bias systems, relative immunity
from thermal runaway, and the ability to withstand severely
mismatched loads without suffering damage. Power output
can be varied over a wide range with a low power dc control
signal.
DC BIAS
The MRF141 is an enhancement mode FET and, there-
fore, does not conduct when drain voltage is applied. Drain
current flows when a positive voltage is applied to the gate.
RF power FETs require forward bias for optimum perfor-
mance. The value of quiescent drain current (IDQ) is not criti-
cal for many applications. The MRF141 was characterized at
IDQ = 250 mA, each side, which is the suggested minimum
value of IDQ. For special applications such as linear amplifi-
cation, IDQ may have to be selected to optimize the critical
parameters.
The gate is a dc open circuit and draws no current. There-
fore, the gate bias circuit may be just a simple resistive divid-
er network. Some applications may require a more elaborate
bias sytem.
GAIN CONTROL
Power output of the MRF141 may be controlled from its
rated value down to zero (negative gain) by varying the dc
gate voltage. This feature facilitates the design of manual
gain control, AGC/ALC and modulation systems.
MRF141
10 MOTOROLA RF DEVICE DATA
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 211–11
ISSUE N
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
A
UM
M
Q
RB
1
4
32
D
K
ESEATING
PLANE
C
J
H
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.960 0.990 24.39 25.14
B0.465 0.510 11.82 12.95
C0.229 0.275 5.82 6.98
D0.216 0.235 5.49 5.96
E0.084 0.110 2.14 2.79
H0.144 0.178 3.66 4.52
J0.003 0.007 0.08 0.17
K0.435 ––– 11.05 –––
M45 NOM 45 NOM
Q0.115 0.130 2.93 3.30
R0.246 0.255 6.25 6.47
U0.720 0.730 18.29 18.54
__
STYLE 2:
PIN 1. SOURCE
2. GATE
3. SOURCE
4. DRAIN
Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding
the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and
specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in Motorola
data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals”
must be validated for each customer application by customer’s technical experts. Motorola does not convey any license under its patent rights nor the rights of
others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other
applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the Motorola product could create a situation where personal injury
or death may occur. Should Buyer purchase or use Motorola products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold Motorola
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
Motorola was negligent regarding the design or manufacture of the part. Motorola and are registered trademarks of Motorola, Inc. Motorola, Inc. is an Equal
Opportunity/Af firmative Action Employer .
Mfax is a trademark of Motorola, Inc.
How to reach us:
USA/EUROPE/Locations Not Listed: Motorola Literature Distribution; JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; SPD, Strategic Planning Office, 141,
P.O. Box 5405, Denver, Colorado 80217. 1–303–675–2140 or 1–800–441–2447 4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan. 81–3–5487–8488
Customer Focus Center: 1–800–521–6274
Mfax: RMFAX0@email.sps.mot.com – T O UCHT ONE 1–602–244–6609 ASIA/PACIFIC: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park,
Motorol a Fax Bac k System – US & Canada ONLY 1–800–774–1848 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298
– http://sps.motorola.com/mfax/
HOME PAGE: http://motorola.com/sps/
MRF141/D
◊
