“Step Forward, Raise Value”
富士電機半導体
FUJI SEMICONDUCTORS
総合カタログ
●パワー MOSFET Power MOSFETs
●パワーデバイス Power devices ●集積回路 Integrated circuits
圧力センサ Pressure sensors
●整流ダイオード Rectifier diodes ●
RH011h
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外形図 Dimensions ...............................................................................................................................42
注文単位 Order Quantity ........................................................................................................................54
形式索引 Type Number Index ..............................................................................................................55
保守移行機種 For maintenance products only .....................................................................................58
廃型製品 Discontinued Products .......................................................................................................59
CONTENTS
定格と特性 Ratings and CharacteristicsPage
1.パワー MOSFET/PowerMOSFETs
SuperFAP-E3シリーズ Super FAP-E3 series ......................................................................... 2
SuperFAP-G シリーズ Super FAP-G series .......................................................................... 4
中耐圧トレンチシリーズ Trench Power MOSFET .................................................................... 9
FAP-IIIシリーズ（P チャネル） FAP-III series (P channel) ............................................................... 10
FAP-IIIBシリーズ FAP-IIIB series ................................................................................ 10
スイッチング電源用マルチチップパワーデバイス
Multi-chip Power Device for Switching Power Supply ..................... 11
自動車用トレンチ MOSFET Automotive Trench Power MOSFET ............................................... 12
自動車用高機能パワー MOSFET Automotive Intelligent Power MOSFET .......................................... 12
自動車用IPSシリーズ
Automotive IPS series (Intelligent Power Switches) ....................... 12
2.パワーデバイス /PowerDevices(IGBT)
IGBT モールドタイプ  Molded Package Type IGBTs ........................................................ 13
IGBT 用高速ダイオード  Fast Recovery Diodes for IGBT ...................................................... 14
U-IPM シリーズ  U-IPM series(Intelligent Power Modules) ...................................... 15
EconoIPM シリーズ  Econo IPM series (Intelligent Power Modules) ............................... 15
R-IPM3 シリーズ  R-IPM3 series (Intelligent Power Modules) .................................... 15
R-IPM シリーズ  R-IPM series (Intelligent Power Modules) ...................................... 16
IGBT モジュールU シリーズ  IGBT Modules, U series ................................................................. 17
IGBT モジュールT シリーズ  IGBT Modules, T series .................................................................. 19
IGBT モジュールS シリーズ  IGBT Modules, S series .................................................................. 19
IGBT モジュールP シリーズ  IGBT Modules, P series .................................................................. 21
3.整流ダイオード /RectifierDiodes
ショットキーバリアダイオード  Schottky-Barrier Diodes(SBD) ........................................................ 22
低 IR ショットキーバリアダイオード 
Low IR Schottky-Barrier Diodes ..................................................... 24
スーパー LLDI(PFC 回路用 ) Super LLD I (Continuous mode PFC) ............................................. 26
スーパー LLDII(PFC 回路用 ) Super LLD II (Discontinuous mode PFC) ....................................... 26
スーパー LLDIII(PFC 回路用 ) Super LLD III (Discontinuous mode PFC) ...................................... 27
低損失超高速ダイオード  Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) .......................................... 28
低損失超高速低ノイズダイオード  Low-Loss FastSoft Recovery Diodes (LLD) .................................. 29
4.集積回路 /IntegratedCircuits
電源制御用 IC（AC/DC 制御用 IC） Control ICs for Power Supply .......................................................... 31
電
源制御用 IC
（インダクタ内蔵 DC/DC 制御用 IC）
Control ICs with inductor for Power Supply .................................... 35
リチウムイオンバッテリー保護 IC Lithium-ion Battery Protection IC .................................................... 35
電源制御用 IC（DC/DC 制御用 IC） Control ICs for Power Supply .......................................................... 36
5.圧力センサ /PressureSensors
圧力センサ  Pressure Sensors ........................................................................... 41
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2
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
■SuperFAP-E3シリーズSuperFAP-E3series
低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts nC Grams
500 5 20 1.5 60 30 3±0.5 TBD TO-220AB 2.0
500 5 20 1.5 21 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
500 5 20 1.5 60 30 3±0.5 TBD T-Pack(L) 1.6
500 5 20 1.5 60 30 3±0.5 TBD T-Pack(S) 1.6
500 6.5 26 0.85 90 30 3±0.5 TBD TO-220AB 2.0
500 6.5 26 0.85 32 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
500 6.5 26 0.85 90 30 3±0.5 TBD T-Pack(L) 1.6
500 6.5 26 0.85 90 30 3±0.5 TBD T-Pack(S) 1.6
500 7.5 30 0.79 105 30 3±0.5 TBD TO-220AB 2.0
500 7.5 30 0.79 37 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
500 12 48 0.52 165 30 3±0.5 TBD TO-220AB 2.0
500 12 48 0.52 60 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
500 12 48 0.52 165 30 3±0.5 TBD T-Pack(L) 1.6
500 12 48 0.52 165 30 3±0.5 TBD T-Pack(S) 1.6
500 16 64 0.38 225 30 3±0.5 60 TO-220AB 2.0
500 16 64 0.38 80 30 3±0.5 60 TO-220F 2.0
500 16 64 0.38 225 30 3±0.5 60 T-Pack(L) 1.6
500 16 64 0.38 225 30 3±0.5 60 T-Pack(S) 1.6
500 20 80 0.31 270 30 3±0.5 77 TO-220AB 2.0
500 20 80 0.31 95 30 3±0.5 77 TO-220F 2.0
500 20 80 0.31 270 30 3±0.5 77 T-Pack(L) 1.6
500 20 80 0.31 270 30 3±0.5 77 T-Pack(S) 1.6
500 23 92 0.245 130 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
500 23 92 0.245 315 30 3±0.5 TBD TO-3P(Q) 5.0
500 23 92 0.245 150 30 3±0.5 TBD TO-3PF 6.0
500 28 112 0.19 400 30 3±0.5 TBD TO-3P(Q) 5.0
500 28 112 0.19 200 30 3±0.5 TBD TO-3PF 6.0
FMP05N50E
FMA05N50E
FMI05N50E
FMC05N50E
FMP07N50E
FMA07N50E
FMI07N50E
FMC07N50E
FMP08N50E
FMA08N50E
FMP12N50E
FMA12N50E
FMI12N50E
FMC12N50E
FMP16N50E
FMA16N50E
FMI16N50E
FMC16N50E
FMP20N50E
FMA20N50E
FMI20N50E
FMC20N50E
FMA23N50E
FMH23N50E
FMR23N50E
FMH28N50E
FMR28N50E
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
記号 Letter symbols
VDSS: ドレイン・ソース電圧 Drain-source voltage
ID : ドレイン電流 Continuous drain current
ID(pulse):パルスドレイン電流 Pulsed drain current
RDS(on):ドレイン・ソース オン抵抗 Drain-source on-state resistance
PD:許容損失電力 Maximum power dissipation
VGS:ゲート・ソース電圧 Gate-source voltage
VGS(th): ゲートしきい値電圧 Gate threshold voltage
Qg:
トータルゲートチャージ量
Total gate charge
 開発中 Under development
▲
SuperFAP-E3シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
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The Super FAP-E3 series is a product satisfying the quality assurance level of general consumer use.
If you intend to use the product for equipment requiring higher reliability, such as equipment for vehicles and medical equipment, please contact Fuji Electric Device
Technology.Do not use the product for the equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
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3
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
■SuperFAP-E3シリーズSuperFAP-E3series
低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise（Continued）
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts nC Grams
600 3 12 2.3 60 30 3±0.5 TBD TO-220AB 2.0
600 3 12 2.3 21 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
600 3 12 2.3 60 30 3±0.5 TBD T-Pack(L) 1.6
600 3 12 2.3 60 30 3±0.5 TBD T-Pack(S) 1.6
600 5.5 22 1.3 90 30 3±0.5 TBD TO-220AB 2.0
600 5.5 22 1.3 32 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
600 5.5 22 1.3 90 30 3±0.5 TBD T-Pack(L) 1.6
600 5.5 22 1.3 90 30 3±0.5 TBD T-Pack(S) 1.6
600 6 24 1.2 105 30 3±0.5 TBD TO-220AB 2.0
600 6 24 1.2 37 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
600 10 40 0.79 165 30 3±0.5 TBD TO-220AB 2.0
600 10 40 0.79 60 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
600 10 40 0.79 165 30 3±0.5 TBD T-Pack(L) 1.6
600 10 40 0.79 165 30 3±0.5 TBD T-Pack(S) 1.6
600 11 44 0.75 180 30 3±0.5 TBD TO-220AB 2.0
600 11 44 0.75 65 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
600 11 44 0.75 180 30 3±0.5 TBD T-Pack(L) 1.6
600 11 44 0.75 180 30 3±0.5 TBD T-Pack(S) 1.6
600 13 52 0.58 225 30 3±0.5 60 TO-220AB 2.0
600 13 52 0.58 80 30 3±0.5 60 TO-220F 2.0
600 13 52 0.58 225 30 3±0.5 60 T-Pack(L) 1.6
600 13 52 0.58 225 30 3±0.5 60 T-Pack(S) 1.6
600 16 64 0.47 270 30 3±0.5 76 TO-220AB 2.0
600 16 64 0.47 95 30 3±0.5 76 TO-220F 2.0
600 16 64 0.47 270 30 3±0.5 76 T-Pack(L) 1.6
600 16 64 0.47 270 30 3±0.5 76 T-Pack(S) 1.6
600 19 76 0.365 130 30 3±0.5 TBD TO-220F 2.0
600 19 76 0.365 315 30 3±0.5 TBD TO-3P(Q) 5.0
600 19 76 0.365 150 30 3±0.5 TBD TO-3PF 6.0
600 23 92 0.28 400 30 3±0.5 TBD TO-3P(Q) 5.0
600 23 92 0.28 200 30 3±0.5 TBD TO-3PF 6.0
FMP03N60E
FMA03N60E
FMI03N60E
FMC03N60E
FMP05N60E
FMA05N60E
FMI05N60E
FMC05N60E
FMP06N60E
FMA06N60E
FMP10N60E
FMA10N60E
FMI10N60E
FMC10N60E
FMP11N60E
FMA11N60E
FMI11N60E
FMC11N60E
FMP13N60E
FMA13N60E
FMI13N60E
FMC13N60E
FMP16N60E
FMA16N60E
FMI16N60E
FMC16N60E
FMA19N60E
FMH19N60E
FMR19N60E
FMH23N60E
FMR23N60E
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
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パワーMOSFET/PowerMOSFETs
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) Qg パッケージ 質 量 
Device type Max. ＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts nC Grams
100 29 116 0.062 105 ±30 3 to5 22 TO-220AB 2.0
100 29 116 0.062 37 ±30 3 to5 22 TO-220F 2.0
100 29 116 0.062 105 ±30 3 to5 22 T-pack 1.6
100 29 116 0.062 105 ±30 3 to5 22 TFP 0.8
100 29 116 0.059 37 ±30 3 to5 23 TO-220F 2.0
100 41 164 0.044 150 ±30 3 to5 32 TO-220AB 2.0
100 41 164 0.044 53 ±30 3 to5 32 TO-220F 2.0
100 41 164 0.044 150 ±30 3 to5 32 T-pack 1.6
100 41 164 0.044 150 ±30 3 to5 32 TFP 0.8
100 73 292 0.025 270 ±30 3 to5 52 TO-220AB 2.0
100 73 292 0.025 95 ±30 3 to5 52 TO-220F 2.0
100 73 292 0.025 270 ±30 3 to5 52 T-pack 1.6
100 73 292 0.025 270 ±30 3 to5 52 TFP 0.8
120 26 104 0.078 37 ±30 3 to5 26 TO-220F 2.0
120 67 268 0.03 270 ±30 3 to5 52 TO-220AB 2.0
120 67 268 0.03 95 ±30 3 to5 52 TO-220F 2.0
120 67 268 0.03 270 ±30 3 to5 52 T-pack 1.6
120 67 268 0.03 270 ±30 3 to5 52 TFP 0.8
150 23 92 0.105 105 ±30 3 to5 21 TO-220AB 2.0
150 23 92 0.105 37 ±30 3 to5 21 TO-220F 2.0
150 23 92 0.105 105 ±30 3 to5 21 T-pack 1.6
150 23 92 0.105 105 ±30 3 to5 21 TFP 0.8
150 23 92 0.1 37 ±30 3 to5 23 TO-220F 2.0
150 33 132 0.07 150 ±30 3 to5 34 TO-220AB 2.0
150 33 132 0.07 53 ±30 3 to5 34 TO-220F 2.0
150 33 132 0.07 150 ±30 3 to5 34 T-pack 1.6
150 33 132 0.07 150 ±30 3 to5 34 TFP 0.8
150 33 132 0.07 53 ±20 1 to2.5 46 TO-220F 2.0
150 57 228 0.041 270 ±30 3 to5 52 TO-220AB 2.0
150 57 228 0.041 95 ±30 3 to5 52 TO-220F 2.0
150 57 228 0.041 270 ±30 3 to5 52 T-pack 1.6
150 57 228 0.041 270 ±30 3 to5 52 TFP 0.8
150 92 368 0.026 410 ±30 3 to 5 80 TO-247-K1 6.0
150 92 368 0.026 410 ±30 3 to5 80 TO-247 5.5
150 92 368 0.026 210 ±30 3 to5 80 TO-3PF 6.0
150 100 400 0.016 600 ±30 3 to5 140 TO-247 5.5
200 18 72 0.17 105 ±30 3 to5 21 TO-220AB 2.0
200 18 72 0.17 37 ±30 3 to5 21 TO-220F 2.0
200 18 72 0.17 105 ±30 3 to5 21 T-pack 1.6
200 18 72 0.17 105 ±30 3 to5 21 TFP 0.8
200 45 180 0.066 270 ±30 3 to5 51 TO-220AB 2.0
200 45 180 0.066 95 ±30 3 to5 51 TO-220F 2.0
200 45 180 0.066 270 ±30 3 to5 51 T-pack 1.6
200 45 180 0.066 270 ±30 3 to5 51 TFP 0.8
200 73 292 0.036 410 ±30 3 to 5 80 TO-247-K1 6.0
200 73 292 0.036 410 ±30 3 to5 80 TO-247 5.5
200 73 292 0.036 210 ±30 3 to5 80 TO-3PF 6.0
200 100 400 0.02 600 ±30 3 to5 140 TO-247 5.5
2SK3598-01
2SK3599-01MR
2SK3600-01L, S, SJ
2SK3601-01
2SK3771-01MR
2SK3644-01
2SK3645-01MR
2SK3646-01L, S, SJ
2SK3647-01
2SK3586-01
2SK3587-01MR
2SK3588-01L, S, SJ
2SK3589-01
2SK3770-01MR
2SK3920-01
2SK3886-01MR
2SK3921-01L, S, SJ
2SK3922-01
2SK3602-01
2SK3603-01MR
2SK3604-01L, S, SJ
2SK3605-01
2SK3769-01MR
2SK3648-01
2SK3649-01MR
2SK3650-01L, S, SJ
2SK3474-01
2SK3537-01MR
2SK3590-01
2SK3591-01MR
2SK3592-01L, S, SJ
2SK3593-01
FMW92N15G
2SK3788-01
2SK3789-01R
2SK3882-01
2SK3606-01
2SK3607-01MR
2SK3608-01L, S, SJ
2SK3609-01
2SK3594-01
2SK3595-01MR
2SK3596-01L, S, SJ
2SK3597-01
FMW73N20G
2SK3780-01
2SK3781-01R
2SK3883-01
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
SuperFAP-G シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い
合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
The Super FAP-G series is a product satisfying the quality assurance level of general consumer use.
If you intend to use the product for equipment requiring higher reliability, such as equipment for vehicles and medical equipment, please contact Fuji Electric Device
Technology.Do not use the product for the equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
http://store.iiic.cc/
5
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
230 40 160 0.076 270 ±30 3 to5 42 TO-220AB 2.0
230 40 160 0.076 270 ±30 3 to5 42 TO-220F 2.0
230 40 160 0.076 270 ±30 3 to5 42 T-pack 1.6
250 14 56 0.26 105 ±30 3 to5 21 TO-220AB 2.0
250 14 56 0.26 37 ±30 3 to5 21 TO-220F 2.0
250 14 56 0.26 105 ±30 3 to5 21 T-pack 1.6
250 14 56 0.26 105 ±30 3 to5 21 TFP 0.8
250 18 72 0.19 48 ±30 3 to 5 26 TO-220F 2.0
250 37 148 0.1 270 ±30 3 to5 44 TO-220AB 2.0
250 37 148 0.1 95 ±30 3 to5 44 TO-220F 2.0
250 37 148 0.1 270 ±30 3 to5 44 T-pack 1.6
250 37 148 0.1 270 ±30 3 to5 44 TFP 0.8
250 37 148 0.1 115 ±30 3 to5 44 TO-3PF 6.0
250 59 236 0.053 410 ±30 3 to 5 80 TO-247-K1 6.0
250 59 236 0.053 410 ±30 3 to5 80 TO-247 5.5
250 59 236 0.053 210 ±30 3 to5 80 TO-3PF 6.0
250 96 400 0.03 600 ±30 3 to5 140 TO-247 5.5
280 56 224 0.061 410 ±30 3 to 5 80 TO-247-K1 6.0
280 56 224 0.061 410 ±30 3 to5 80 TO-247 5.5
280 56 224 0.061 210 ±30 3 to5 80 TO-3PF 6.0
300 15 60 0.28 48 ±30 3.5 to4.5 23 TO-220F 2.0
300 32 128 0.13 270 ±30 3 to 5 44.5 TO-220AB 2.0
300 32 128 0.13 95 ±30 3 to5 44.5 TO-220F 2.0
300 32 128 0.13 270 ±30 3 to5 44.5 T-pack 1.6
300 32 128 0.13 270 ±30 3 to5 44.5 TFP 0.8
300 53 212 0.072 410 ±30 3 to 5 80 TO-247-K1 6.0
300 53 212 0.072 410 ±30 3 to5 80 TO-247 5.5
300 53 212 0.072 210 ±30 3 to5 80 TO-3PF 6.0
300 86 344 0.04 600 ±30 3 to5 140 TO-247 5.5
450 3 12 2.5 50 ±30 3 to 5 10.5 TO-220AB 2.0
450 3 12 2.5 17 ±30 3 to 5 10.5 TO-220F 2.0
450 3 12 2.5 65 ±30 3 to 5 10.5 K-pack(L)-C2 0.6
450 3 12 2.5 65 ±30 3 to 5 10.5 K-pack(S)-C2 0.6
450 4.3 17.2 1.6 21 ±30 3 to 5 13 TO-220AB 2.0
450 4.3 17.2 1.6 21 ±30 3 to 5 13 TO-220F 2.0
450 4.3 17.2 1.6 90 ±30 3 to 5 13 K-pack(L)-C2 0.6
450 4.3 17.2 1.6 90 ±30 3 to 5 13 K-pack(S)-C2 0.6
450 6 24 1.2 90 ±30 3 to 5 15.5 TO-220AB 2.0
450 6 24 1.2 32 ±30 3 to 5 15.5 TO-220F 2.0
450 6 24 1.2 105 ±30 3 to 5 15.5 K-pack(L)-C2 0.6
450 6 24 1.2 105 ±30 3 to 5 15.5 K-pack(S)-C2 0.6
450 10 40 0.65 135 ±30 3 to5 22 TO-220AB 2.0
450 10 40 0.65 48 ±30 3 to5 22 TO-220F 2.0
450 10 40 0.65 135 ±30 3 to5 22 T-pack 1.6
450 17 68 0.38 225 ±30 3 to 5 33 TO-220AB 2.0
450 17 68 0.38 80 ±30 3 to 5 33 TO-220F 2.0
450 17 68 0.38 225 ±30 3 to 5 33 T-pack 1.6
450 17 68 0.38 225 ±30 3 to 5 33 TFP 0.8
2SK3870-01
2SK3871-01MR
2SK3872-01L, S, SJ
2SK3610-01
2SK3611-01MR
2SK3612-01L, S
2SK3613-01
FMA18N25G
2SK3554-01
2SK3555-01MR
2SK3556-01L, S, SJ
2SK3535-01
2SK3651-01R
FMW59N25G
2SK3778-01
2SK3779-01R
2SK3884-01
FMW56N28G
2SK3873-01
2SK3874-01R
2SK3580-01MR
2SK3772-01
2SK3773-01MR
2SK3774-01L, S, SJ
2SK3775-01
FMW53N30G
2SK3776-01
2SK3777-01R
2SK3885-01
2SK3725-01
2SK3726-01MR
FMU03N45G
FMD03N45G
2SK3916-01
2SK3917-01MR
FMU04N45G
FMD04N45G
2SK3914-01
2SK3915-01MR
FMU06N45G
FMD06N45G
2SK3514-01
2SK3515-01MR
2SK3516-01L, S
2SK3692-01
2SK3693-01MR
2SK3694-01L, S, SJ
2SK4040-01
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued）
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) Qg パッケージ 質 量
Device type Max. ＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts nC Grams
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
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6
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) Qg パッケージ 質 量
Device type Max. ＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts nC Grams
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued）
500 3.6 14.4 2.3 60 ±30 3 to 5 13 TO-220AB 2.0
500 3.6 14.4 2.3 21 ±30 3 to 5 13 TO-220F 2.0
500 3.6 14.4 2.3 60 ±30 3 to 5 13 T-pack 1.6
500 3.6 14.4 2.0 90 ±30 3 to 5 13 K-pack(L)-C2 0.6
500 3.6 14.4 2.0 90 ±30 3 to 5 13 K-pack(S)-C2 0.6
500 6 24 1.5 90 ±30 3 to5 15 TO-220AB 2.0
500 6 24 1.5 32 ±30 3 to5 15 TO-220F 2.0
500 6 24 1.5 105 ±30 3 to 5 15 K-pack(L)-C2 0.6
500 6 24 1.5 105 ±30 3 to 5 15 K-pack(S)-C2 0.6
500 9 36 0.85 135 ±30 3 to5 20 TO-220AB 2.0
500 9 36 0.85 48 ±30 3 to5 20 TO-220F 2.0
500 9 36 0.85 48 ±30 2.5 to 3.5 24 TO-220F 2.0
500 9 36 0.85 135 ±30 3 to5 20 T-pack 1.6
500 9 36 0.85 135 ±30 3 to 5 20 TFP 0.8
500 11 44 0.70 165 ±30 3 to5 25 TO-220AB 2.0
500 11 44 0.70 60 ±30 3 to5 25 TO-220F 2.0
500 11 44 0.70 165 ±30 3 to5 25 T-pack 1.6
500 14 56 0.52 195 ±30 3 to5 30 TO-220AB 2.0
500 14 56 0.52 70 ±30 3 to5 30 TO-220F 2.0
500 14 56 0.52 195 ±30 3 to5 30 T-pack 1.6
500 16 64 0.46 225 ±30 3 to5 33 TO-220AB 2.0
500 16 64 0.46 80 ±30 3 to5 33 TO-220F 2.0
500 16 64 0.46 225 ±30 3 to5 33 T-pack 1.6
500 19 76 0.38 270 ±30 3 to5 32 TO-220AB 2.0
500 19 76 0.38 95 ±30 3 to5 32 TO-220F 2.0
500 19 76 0.38 270 ±30 3 to5 32 T-pack 1.6
500 19 76 0.38 235 ±30 3 to5 32 TO-247 5.5
500 19 76 0.38 270 ±30 3 to 5 32 TFP 0.8
500 25 100 0.26 335 ±30 3 to 5 54 TO-247-K1 6.0
500 25 100 0.26 335 ±30 3 to5 54 TO-247 5.5
500 25 100 0.26 160 ±30 3 to5 54 TO-3PF 6.0
500 51 208 0.11 600 ±30 3 to5 118 TO-247 5.5
600 1 2 12 30 ±30 3 to5 8 K-pack(L)-C2 0.6
600 1 2 12 30 ±30 3 to5 8 K-pack(S)-C2 0.6
600 3 12 3.3 60 ±30 3 to 5 13 TO-220AB 2.0
600 3 12 3.3 21 ±30 3 to 5 13 TO-220F 2.0
600 3 12 3.3 60 ±30 3 to 5 13 T-pack 1.6
600 3 12 2.8 90 ±30 3 to 5 13 K-pack(L)-C2 0.6
600 3 12 2.8 90 ±30 3 to 5 13 K-pack(S)-C2 0.6
2SK3985-01
2SK3986-01MR
2SK3987-01L, S, SJ
FMU04N50G
FMD04N50G
2SK3517-01
2SK3518-01MR
FMU06N50G
FMD06N50G
2SK3519-01
2SK3520-01MR
2SK4004-01MR
2SK3521-01L, S
2SK4007-01
2SK3931-01
2SK3932-01MR
2SK3933-01L, S, SJ
2SK3468-01
2SK3469-01MR
2SK3512-01L, S
2SK3504-01
2SK3505-01MR
2SK3581-01L, S
2SK3682-01
2SK3683-01MR
2SK3684-01L, S
2SK3685-01
FML19N50G
FMW25N50G
2SK3522-01
2SK3523-01R
2SK3680-01
2SK3974-01L
2SK3974-01S
2SK3988-01
2SK3989-01MR
2SK3990-01L, S, SJ
FMU03N60G
FMD03N60G
http://store.iiic.cc/
7
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) Qg パッケージ 質 量
Device type Max. ＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts nC Grams
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued）
600 4.5 18 2.3 105 ±30 3 to 5 15 K-pack(L)-C2 0.6
600 4.5 18 2.3 105 ±30 3 to 5 15 K-pack(S)-C2 0.6
600 4.5 18 2.3 80 ±30 3 to5 15 TO-220AB 2.0
600 4.5 18 2.3 28 ±30 3 to5 15 TO-220F 2.0
600 8 32 1.2 135 ±30 3 to5 20 TO-220AB 2.0
600 8 32 1.2 48 ±30 3 to5 20 TO-220F 2.0
600 8 32 1.2 135 ±30 3 to5 20 T-pack 1.6
600 9 36 1.0 165 ±30 3 to5 25 TO-220AB 2.0
600 9 36 1.0 60 ±30 3 to5 25 TO-220F 2.0
600 9 36 1.0 165 ±30 3 to5 25 T-pack 1.6
600 12 48 0.75 195 ±30 3 to5 30 TO-220AB 2.0
600 12 48 0.75 70 ±30 3 to5 30 TO-220F 2.0
600 12 48 0.75 195 ±30 3 to5 30 T-pack 1.6
600 13 52 0.65 225 ±30 3 to5 34 TO-220AB 2.0
600 13 52 0.65 80 ±30 3 to5 34 TO-220F 2.0
600 13 52 0.65 95 ±30 3 to5 34 TO-3PF 6.0
600 16 64 0.57 270 ±30 3 to5 33 TO-220AB 2.0
600 16 64 0.57 97 ±30 3 to5 33 TO-220F 2.0
600 16 64 0.57 270 ±30 3 to5 33 T-pack 1.6
600 16 64 0.57 235 ±30 3 to 5 33 TO-247-K1 6.0
600 16 64 0.57 235 ±30 3 to5 33 TO-247 5.5
600 21 84 0.37 335 ±30 3 to 5 54 TO-247-K1 6.0
600 21 84 0.37 335 ±30 3 to5 54 TO-247 5.5
600 21 84 0.37 160 ±30 3 to5 54 TO-3PF 6.0
600 43 172 0.16 600 ±30 3 to5 118 TO-247 5.5
700 10 40 1.18 80 ±30 3 to5 25 TO-220F 2.0
700 12 48 0.93 95 ±30 3 to5 31 TO-220F 2.0
700 17 68 0.6 170 ±30 3 to5 46 TO-3PF 6.0
700 17 68 0.6 170 ±30 3 to 5 46 TO-247-K1 6.0
800 7 28 1.9 195 ±30 3 to5 21.5 TO-220AB 2.0
800 7 28 1.9 70 ±30 3 to5 21.5 TO-220F 2.0
FMU05N60G
FMD05N60G
2SK3690-01
2SK3691-01MR
2SK3524-01
2SK3525-01MR
2SK3526-01L, S
2SK3887-01
2SK3888-01MR
2SK3889-01L, S, SJ
2SK3501-01
2SK3502-01MR
2SK3513-01L, S
2SK3450-01
2SK3451-01MR
2SK3753-01R
2SK3686-01
2SK3687-01MR
2SK3688-01L, S
FMW16N60G
2SK3689-01
FMW21N60G
2SK3527-01
2SK3528-01R
2SK3681-01
2SK3673-01MR
2SK3677-01MR
2SK3891-01R
FMW17N70G
2SK3529-01
2SK3530-01MR
http://store.iiic.cc/
8
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge
（Continued）
■SuperFAP-GシリーズSuperFAP-Gseries
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) Qg パッケージ 質 量
Device type Max. ＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts nC Grams
900 2.2 8.8 8.0 75 ±30 3.5 to4.5 8.3 TO-220AB 2.0
900 2.2 8.8 8.0 26 ±30 3.5 to4.5 8 TO-220F 2.0
900 2.6 10.4 6.4 90 ±30 3 to 5 13 TO-220AB 2.0
900 2.6 10.4 6.4 32 ±30 3 to 5 13 TO-220F 2.0
900 2.6 10.4 6.4 90 ±30 3 to 5 13 T-pack 1.6
900 3.7 14.8 4.3 120 ±30 3.5 to4.5 13 TO-220AB 2.0
900 3.7 14.8 4.3 43 ±30 3.5 to4.5 13 TO-220F 2.0
900 6 24 2.5 195 ±30 3 to5 21.5 TO-220AB 2.0
900 6 24 2.5 70 ±30 3 to5 21.5 TO-220F 2.0
900 6 24 2.5 195 ±30 3 to5 21.5 T-pack 1.6
900 6 24 2.5 70 ±30 2.5 to 3.5 25 TO-220F 2.0
900 7 28 2.0 225 ±30 3 to5 25 TO-220AB 2.0
900 7 28 2.0 80 ±30 3 to5 25 TO-220F 2.0
900 7 28 2.0 225 ±30 3 to5 25 T-pack 1.6
900 7 28 2.0 195 ±30 3 to 5 25 TO-247-K1 6.0
900 7 28 2.0 195 ±30 3 to5 25 TO-247 5.5
900 9 36 1.58 270 ±30 3 to5 31 TO-220AB 2.0
900 9 36 1.58 95 ±30 3 to5 31 TO-220F 2.0
900 9 36 1.58 270 ±30 3 to 5 31 T-pack 1.6
900 10 40 1.4 270 ±30 3 to 5 34.5 TO-247-K1 6.0
900 10 40 1.4 270 ±30 3 to5 34.5 TO-247 5.5
900 10 40 1.4 130 ±30 3 to5 37 TO-3PF 6.0
900 13 52 1.0 355 ±30 3 to 5 46 TO-247-K1 6.0
900 13 52 1.0 355 ±30 3 to5 46 TO-247 5.5
900 13 52 1.0 170 ±30 3 to5 46 TO-3PF 6.0
2SK3727-01
2SK3728-01MR
2SK3981-01
2SK3982-01MR
2SK3983-01L, S, SJ
2SK3698-01
2SK3699-01MR
2SK3531-01
2SK3532-01MR
2SK3676-01L, S
2SK4005-01MR
2SK3533-01
2SK3534-01MR
2SK3674-01L, S
FMW07N90G
2SK3675-01
2SK3678-01
2SK3679-01MR
2SK4006-01L, S, SJ
FMW10N90G
2SK3549-01
2SK3550-01R
FMW13N90G
2SK3875-01
2SK3876-01R
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
高速ダイオード内蔵 Built-in FRED
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) Qg パッケージ 質 量
Device type Max. ＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts nC Grams
250 14 56 0.28 37 ±30 3 to5 22 TO-220F 2.0
250 14 56 0.28 105 ±30 3 to5 22 TO-220AB 2.0
250 14 56 0.28 105 ±30 3 to5 22 T-pack 1.6
250 34 136 0.11 270 ±30 3 to5 56 TO-220AB 2.0
250 34 136 0.11 95 ±30 3 to5 56 TO-220F 2.0
250 34 136 0.11 270 ±30 3 to5 56 T-pack 1.6
500 13 52 0.55 195 ±30 3 to5 28 TO-220AB 2.0
500 13 52 0.55 70 ±30 3 to5 28 TO-220F 2.0
600 11 44 0.8 195 ±30 3 to5 30 TO-220AB 2.0
600 11 44 0.8 70 ±30 3 to5 30 TO-220F 2.0
600 11 44 0.8 195 ±30 3 to5 30 T-pack 1.6
600 42 168 0.17 600 ±30 3 to5 105 TO-247 5.5
2SK3913-01MR
2SK3923-01
2SK3924-01L, S
2SK3925-01
2SK3926-01MR
2SK3927-01L, S
2SK3695-01
2SK3696-01MR
2SK3928-01
2SK3929-01MR
2SK3930-01L, S
2SK3697-01
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9
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
■中耐圧トレンチシリーズTrenchPowerMOSFET
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
低オン抵抗、高ゲート耐圧 Low-on resistance and high gate capability
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) パッケージ 質 量
Device type Max.
＊1 Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts Grams
FMP80N10T2
FMA80N10T2
FMI80N10T2
FMC80N10T2
FMB80N10T2
FMP65N15T2
FMA65N15T2
FMI65N15T2
FMC65N15T2
FMB65N15T2
FMP49N20T2
FMA49N20T2
FMI49N20T2
FMC49N20T2
FMB49N20T2
100 80 320 0.0128 270 +30/-20 2 to 4 TO-220AB 2.0
100 80 320 0.0128 95 +30/-20 2 to 4 TO-220F 2.0
100 80 320 0.0128 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(L) 1.6
100 80 320 0.0128 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(S) 1.6
100 80 320 0.0128 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(SJ) 1.6
150 65 260 0.0245 270 +30/-20 2 to 4 TO-220AB 2.0
150 65 260 0.0245 95 +30/-20 2 to 4 TO-220F 2.0
150 65 260 0.0245 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(L) 1.6
150 65 260 0.0245 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(S) 1.6
150 65 260 0.0245 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(SJ) 1.6
200 49 196 0.047 270 +30/-20 2 to 4 TO-220AB 2.0
200 49 196 0.047 95 +30/-20 2 to 4 TO-220F 2.0
200 49 196 0.047 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(L) 1.6
200 49 196 0.047 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(S) 1.6
200 49 196 0.047 270 +30/-20 2 to 4 T-pack(SJ) 1.6
中耐圧トレンチシリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問
い合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。
The Trench Power MOSFET series is a product satisfying the quality assurance level of general consumer use.
If you intend to use the product for equipment requiring higher reliability, such as equipment for vehicles and medical equipment, please contact Fuji Electric Device
Technology.Do not use the product for the equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment.
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10
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
アバランシェ耐量保証 Avalanche rated
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) パッケージ 質 量
Device type Max.
＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts Grams
-30 -5 -20 0.4 15 ±16 -1.5 K-pack 0.6
-60 -5 -20 0.3 20 ±20 -1.5 K-pack 0.6
-60 -7 -28 0.2 20 ±20 -1.5 K-pack 0.6
-60 -7 -28 0.2 20 ±20 -1.5 T-pack 1.6
-60 -25 -100 0.06 50 ±20 -1.5 TO-220AB 2.0
-60 -25 -100 0.06 50 ±20 -1.5 T-pack 1.6
-60 -25 -100 0.06 40 ±20 -1.5 TO-220F 2.0
2SJ472-01L, S
2SJ314-01L, S
2SJ473-01L, S
2SJ474-01L, S
2SJ475-01
2SJ476-01L, S
2SJ477-01MR
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
■FAP-IIIシリーズ（Pチャネル）FAP-IIIseries(Pchannel)
■FAP-IIIBシリーズFAP-IIIBseries
超低オン抵抗・高アバランシェ耐量 Ultra low on-state resistance
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD ＊2 V
GS V
GS (th) パッケージ 質 量
Device type Max.
＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts Grams
＊1 R
DS (on): VGS=10V, ＊2 P
D: TC=25°C
30 35 140 0.02 60 ±16 1.5 TO-220AB 2.0
30 35 140 0.02 60 ±16 1.5 T-pack 1.6
30 35 140 0.02 40 ±16 1.5 TO-220F 2.0
30 50 200 0.01 60 ±16 1.5 TO-220AB 2.0
30 50 200 0.01 60 ±16 1.5 T-pack 1.6
30 50 200 0.01 40 ±16 1.5 TO-220F 2.0
30 50 200 0.0068 80 ±20 1.5 TO-220AB 2.0
30 50 200 0.0068 80 ±16 1.5 TO-220F 2.0
30 90 360 0.0055 100 ±16 1.5 TO-3PF 6.0
30 100 400 0.0055 125 ±16 1.5 TO-3P 5.5
30 100 400 0.004 150 ±16 1.5 TO-3P 5.5
30 100 400 0.004 125 ±16 1.5 TO-3PF 6.0
60 45 180 0.012 60 ±20 1.5 TO-220AB 2.0
60 45 180 0.012 60 ±20 1.5 T-pack 1.6
60 45 180 0.012 40 ±20 1.5 TO-220F 2.0
60 45 180 0.015 60 ±30 3.0 TO-220AB 2.0
60 45 180 0.015 60 ±30 3.0 T-pack 1.6
60 45 180 0.015 40 ±30 3.0 TO-220F 2.0
60 50 200 0.01 80 ±20 1.5 TO-220AB 2.0
60 50 200 0.01 50 ±20 1.5 TO-220F 2.0
60 50 200 0.012 80 ±30 3.0 TO-220AB 2.0
60 50 200 0.012 80 ±30 3.0 TO-220F 2.0
60 70 280 0.012 100 ±30 3.0 TO-3PF 6.0
60 70 280 0.01 100 ±20 1.5 TO-3PF 6.0
60 80 320 0.01 125 ±20 1.5 TO-3P 5.5
60 80 400 0.012 125 ±30 3.0 TO-3P 5.5
60 100 400 0.007 150 ±20 1.5 TO-3P 5.5
60 100 400 0.007 125 ±20 1.5 TO-3PF 6.0
60 100 400 0.008 150 ±30 3.0 TO-3P 5.5
60 100 400 0.008 125 ±30 3.0 TO-3PF 6.0
2SK2806-01
2SK2807-01L, S
2SK2808-01MR
2SK2687-01
2SK2688-01L, S
2SK2689-01MR
2SK3363-01
2SK2890-01MR
2SK2892-01R
2SK2891-01
2SK2893-01
2SK2894-01R
2SK2895-01
2SK2896-01L, S
2SK2897-01MR
2SK2900-01
2SK2901-01L, S
2SK2902-01MR
2SK3362-01
2SK2809-01MR
2SK3364-01
2SK2903-01MR
2SK2905-01R
2SK2691-01R
2SK2690-01
2SK2904-01
2SK2898-01
2SK2899-01R
2SK2906-01
2SK2907-01R
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11
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
■
スイッチング電源用マルチチップパワーデバイス  Multi-chip Power Device for Switching Power Supply
M-Power2Aシリーズ M-Power2Aseries
型   式 Power MOSFET (Q1) Power- MOSFET (Q2) Control IC パッケージ 質 量
Device type VDSS R
DS (on) VDSS R
DS (on) VCC (on) Tj (OH) Package Net mass
Max. Max.
Volts Ohms (Ω) Volts Ohms (Ω) Volts °C Grams
500 1.35 500 1.35 16.5 125 to 150 SIP-23(F233) 3.8
500 1.00 500 1.00 16.5 125 to 150 SIP-23(F233) 3.8
500 0.77 500 0.77 16.5 125 to 150 SIP-23(F233) 3.8
500 0.6 500 0.6 16.5 125 to 150 SIP-23(F233) 3.8
500 0.38 500 0.6 16.5 125 to 150 SIP-23(F233) 3.8
250 0.125 250 0.125 16.5 125 to 150 SIP-23(F233) 3.8
250 0.09 250 0.09 16.5 125 to 150 SIP-23(F233) 3.8
MP2A5135
MP2A5100
MP2A5077
MP2A5060
MP2A5038
MP2A2013
MP2A2009
▲ 開発中 Under development
▲
▲
M-Power3Aシリーズ M-Power3Aseries
型   式 Power MOSFET (Q1) Power- MOSFET (Q2) Control IC パッケージ 質 量
Device type VDSS R
DS (on) VDSS R
DS (on) VCC (on) Tj (OH) Package Net mass
Max. Max.
Volts Ohms (Ω) Volts Ohms (Ω) Volts °C Grams
500 1.00 500 0.60 16.5 125 to 150 SIP-23(F233) 3.8
500 0.77 500 0.38 16.5 125 to 150 SIP-23(F233) 3.8
MP3A5060
MP3A5038
▲ 開発中 Under development
▲
▲
■概要（M-Power2A）  Summary（M-Power2A）
富士 M-Power2A シリーズはマルチチップ構成のスマートパワー
デバイスで、2 つの MOSFET と制御 IC を SIP-23pin パッケージ
で実現しています。それに加えて、各種保護機能を内蔵しており、
Fail-safe な電源を容易に設計可能です。
Fuji's ideal and original system
It includes many functions (Soft-switching, stand-by)
Multiple-chip Power Device : M-Power2A contains and two
MOSFET's in SIP-23pin package.
M-Power2A has various types of protection function.
■特長  Features
󱾁高効率（スイッチング電源の小型化が可能）DC/DC
:95.3%(DCinput:385V,output:24V
PFC+DC/DC :88.4%(AC100V),90.7%(AC200V)
󱾁低ノイズ（ノイズ対策部品の削減・小型化が可能）
  ・MOSFETs：
    ターンオン時:ZVS+ZCS
    ターンオフ時:ZVS
  ・二次側ダイオード
    リカバリー時のサージ電圧なし
󱾁 Fail-safety（各種保護機能内蔵:OC,SC,OV,Tj(OH)）
󱾁 Easydesignpowersupply(Reductionofdesigntime)
󱾁待機動作内蔵（補助電源なしで待機動作可能）
• High effi ciency (a reduction in SMPC size possible.)
DC/DC : 95.3% (DC input:385V, output:24V)
PFC+DC/DC : 88.4% (AC100V), 90.7%(AC200V)
• Stand-by mode
(A series : External, Conventional series : Built in)
• Low noise
(a reduction the noise suppression part is possible)
MOSFETs : Turn-on : ZVS+ZCS, Turn-off : ZVS
Diodes (secondary side)
Surge voltage does not occur at reverse recovery
• Fail-safety
(Built in protection functions : OC, SC, OV, Tj(OH))
• Easy design power supply (Reduction of design time)
60
70
80
90
100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Po(W) at 24V
Efficiency(%)
DC/DC
AC100V
AC200V
Efficiency - Load characteristic at normal mode
■効率  Efficiency
DC/DC: 95.3%
(DC input:385V,output:24V
PFC+DC/DC: 88.4%(AC100V)
90.7%(AC200V)
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12
パワーMOSFET/PowerMOSFETs
＊1 R
DS (on): VCC=12V
＊2 2ch入り Contains 2 channels
＊ R
DS (on): VGS=10V
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD V
GS V
GS (th) パッケージ 質 量
Device type Max.
＊ Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts Grams
60 70 280 0.0065 70 -30/-20 3.0 TO-220F 2.0
60 80 320 0.0065 135 -30/-20 3.0 TO-220AB 2.0
60 80 320 0.0065 135 -30/-20 3.0 T-pack 1.6
60 80 320 0.0065 135 -30/-20 3.0 D2-pack 1.6
60 100 400 0.0065 155 -30/-20 3.0 TO-3P 5.5
2SK3273-01MR
2SK3270-01
2SK3272-01L, S
2SK3272-01SJ
2SK3271-01
■自動車用トレンチMOSFET Automotive Trench Power MOSFET
自己保護機能・診断機能内蔵 Selfprotectionandsafetycheck
＊ R
DS (on): VCC=12V
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD V
GS V
GS (th) パッケージ 質 量
Device type Max.
＊ Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts Grams
50 2.5 - 0.12 1.5 - - SOP-8 0.2
50 1 - 0.60 1.5 - - SOP-8 0.2
50 2.5 - 0.12 1.5 - - SOP-8 0.2
F5044H
F5045P
F5049H
■自動車用IPSシリーズ
（インテリジェントパワースイッチ）
Automotive IPS series
( Intelligent Power Switches )
■自動車用高機能パワーMOSFET Automotive Intelligent Power MOSFET
型   式 V
DSS I
D I
D (pulse) RDS (on) PD V
GS V
GS (th) パッケージ 質 量
Device type Max.
＊1 Typ. Package Net mass
Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts Grams
40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6
40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6
40 3 - 0.40 10 - - K-pack 0.6
70 3 - 0.55 12 - - K-pack 0.6
40 1 - 0.60 1.5 - - SOP-8＊2 0.2
40 1 - 0.60 1.5 - - SOP-8＊2 0.2
40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6
40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6
80 15 27 0.125 43 - - T-pack 1.6
46 5.9 - 0.14 7.8 - - SSOP-20＊2 0.3
F5018
F5019
F5020
F5022
F5033
F5041
F5042
F5043
F5048
F5055
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13
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
600Vクラス産業用モールドタイプ 600 volts class molded package types
型 式 IGBT FWD
パッケージ
質 量
Device type VCES V
GES I
C25 I
C100 P
C
VCE (sat)
スイッチングタイム Max.
V
F P
C trr Package Net
Tc=25℃
Tc=100℃
(VGE=15V）
Switching time mass
Cont. Cont. Max. IC ton toff tf
Volts Volts Amps. Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Volts Watts µsec.
Grams
■IGBTモールドタイプ Molded Package Type IGBTs
＊Tc=80℃
1MBG05D-060 600 ±20 13 5 50 3.0 5 1.2 1.0 0.35 3.0 25 0.3 T-pack(S) 1.6
1MBC05-060 600 ±20 13 5 50 3.0 5 1.2 1.0 0.35 - - - TO-220AB 2.0
1MBC05D-060 600 ±20 13 5 50 3.0 5 1.2 1.0 0.35 3.0 25 0.3 TO-220AB 2.0
1MBH05D-060 600 ±20 21 5 80 3.0 5 1.2 1.0 0.35 3.0 40 0.3 TO-3PL 9.5
1MBG10D-060 600 ±20 20 10 75 3.0 10 1.2 1.0 0.35 3.0 35 0.3 T-pack(S) 1.6
1MBC10-060 600 ±20 20 10 75 3.0 10 1.2 1.0 0.35 - - - TO-220AB 2.0
1MBC10D-060 600 ±20 20 10 75 3.0 10 1.2 1.0 0.35 3.0 35 0.3 TO-220AB 2.0
1MBH10D-060 600 ±20 30 10 115 3.0 10 1.2 1.0 0.35 3.0 55 0.3 TO-3PL 9.5
1MBC15-060 600 ±20 24 15
＊ 90 3.0 15 1.2 1.0 0.35 - - - TO-220AB 2.0
1MB15D-060 600 ±20 33 15 120 3.0 15 1.2 1.0 0.35 3.0 60 0.3 TO-3P 5.5
1MBH15D-060 600 ±20 37 15 140 3.0 15 1.2 1.0 0.35 3.0 75 0.3 TO-3PL 9.5
1MB20-060 600 ±20 38 20 145 3.0 20 1.2 1.0 0.35 - - - TO-3P 5.5
1MB20D-060 600 ±20 38 20 145 3.0 20 1.2 1.0 0.35 3.0 75 0.3 TO-3P 5.5
1MBH20D-060 600 ±20 45 20 170 3.0 20 1.2 1.0 0.35 3.0 95 0.3 TO-3PL 9.5
1MB30-060 600 ±20 48 30
＊ 180 3.0 30 1.2 1.0 0.35 - - - TO-3P 5.5
1MBH30D-060 600 ±20 58 30 220 3.0 30 1.2 1.0 0.35 3.0 120 0.3 TO-3PL 9.5
1MBH50-060 600 ±20 82 50 310 3.0 50 1.2 1.0 0.35 - - - TO-3PL 9.5
1MBH50D-060 600 ±20 82 50 310 3.0 50 1.2 1.0 0.35 3.0 140 0.3 TO-3PL 9.5
記号 Letter symbols
VCES: コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-to-emitter rated voltage
(Gate-to-emitter short-circuited)
VGES: ゲート・エミッタ間電圧 Gate-to-emitter rated voltage
(Collector-to-emitter short-circuited)
IC: コレクタ電流 Rated collector current
PC: 最大損失 Maximum power dissipation
VCE (sat): コレクタ・エミッタ飽和電圧 Collector-to-emitter saturation voltage
ton: ターンオン時間 Turn-on time
toff: ターンオフ時間 Turn-off time
tf: 立上り時間 Fall time
600Vクラス産業用モールドタイプ（UPS用） 600 volts class molded package types for UPS
型 式 IGBT FWD
パッケージ
質 量
Device type VCES V
GES I
C25 I
C100 P
C
VCE (sat)
スイッチングタイム Max.
V
F P
C trr Package Net
Tc=25℃
Tc=100℃
(VGE=15V）
Switching time mass
Cont. Cont. Max. IC ton toff tf
Volts Volts Amps. Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Volts Watts µsec.
Grams
1MBK30D-060S
600 ±20 50 30 150 2.9 30 0.15 0.62 0.17 2.5 80 0.1 TO-247 5.5
1MBK50D-060S
600 ±20 75 50 230 2.9 50 0.15 0.62 0.17 2.5 150 0.1 TO-247 5.5
1MBH50D-060S
600 ±20 65 50 200 2.9 50 0.15 0.62 0.17 2.5 130 0.1 TO-3PL 9.5
1MBH75D-060S
600 ±20 83 75 310 2.9 75 0.15 0.62 0.17 2.5 180 0.1 TO-3PL 9.5
http://store.iiic.cc/
14
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■IGBTモールドタイプ Molded Package Type IGBTs
1200Vクラス産業用モールドタイプ 1200 volts class molded package types
型 式 IGBT FWD
パッケージ
質 量
Device type VCES V
GES I
C25 I
C100 P
C
VCE (sat)
スイッチングタイム Max.
V
F P
C trr Package Net
Tc=25℃
Tc=100℃
(VGE=15V）
Switching time mass
Cont. Cont. Max. IC ton toff tf
Volts Volts Amps. Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Volts Watts µsec.
Grams
1MBC03-120 1200 ±20 5 2.5 70 3.5 2.5 1.2 1.5 0.5 - - - TO-220AB 2.0
1MB03D-120 1200 ±20 5 2.5 70 3.5 2.5 1.2 1.5 0.5 3.0 40 0.35 TO-3P 5.5
1MBH03D-120 1200 ±20 5.5 2.5 80 3.5 2.5 1.2 1.5 0.5 3.0 50 0.35 TO-3PL 9.5
1MB05-120 1200 ±20 9 5 100 3.5 5 1.2 1.5 0.5 - - - TO-3P 5.5
1MB05D-120 1200 ±20 9 5 100 3.5 5 1.2 1.5 0.5 3.0 60 0.35 TO-3P 5.5
1MBH05D-120 1200 ±20 10 5 115 3.5 5 1.2 1.5 0.5 3.0 75 0.35 TO-3PL 9.5
1MB08-120 1200 ±20 13 8 115 3.5 8 1.2 1.5 0.5 - - - TO-3P 5.5
1MB08D-120 1200 ±20 13 8 115 3.5 8 1.2 1.5 0.5 3.0 70 0.35 TO-3P 5.5
1MBH08D-120 1200 ±20 15 8 135 3.5 8 1.2 1.5 0.5 3.0 85 0.35 TO-3PL 9.5
1MB10-120 1200 ±20 16 10 135 3.5 10 1.2 1.5 0.5 - - - TO-3P 5.5
1MB10D-120 1200 ±20 16 10 135 3.5 10 1.2 1.5 0.5 3.0 85 0.35 TO-3P 5.5
1MBH10D-120 1200 ±20 18 10 155 3.5 10 1.2 1.5 0.5 3.0 105 0.35 TO-3PL 9.5
1MBH15-120 1200 ±20 26 15 245 3.5 15 1.2 1.5 0.5 - - - TO-3PL 9.5
1MBH15D-120 1200 ±20 26 15 245 3.5 15 1.2 1.5 0.5 3.0 120 0.35 TO-3PL 9.5
1MBH25-120 1200 ±20 38 25 310 3.5 25 1.2 1.5 0.5 - - - TO-3PL 9.5
1MBH25D-120 1200 ±20 38 25 310 3.5 25 1.2 1.5 0.5 3.0 145 0.35 TO-3PL 9.5
■IGBT用高速ダイオード Fast Recovery Diodes for IGBT
モールドパッケージ FRDMolded FRD
型 式 V
RRM I
FM V
F trr
パッケージ
質 量
Device type Switching time (Max.) Package Net mass
Volts Amps. Volts
(µsec.) di/dt=100A/µs 70％ recovery
Grams
ERW01-060 600 5 (TC=118℃) 3 (IF=5A) 0.3 (IF=5A, VR=200V) TO-220AB(single) 2.0
ERW02-060 600 10 (TC=100℃) 3 (IF=10A) 0.3 (IF=10A, VR=200V) TO-220AB(single) 2.0
ERW03-060 600 15 (TC=92℃) 3 (IF=15A) 0.3 (IF=15A, VR=200V) TO-220AB(single) 2.0
ERW04-060 600 20 (TC=91℃) 3 (IF=20A) 0.3 (IF=20A, VR=200V) TO-220AB(single) 2.0
ERW05-060 600 30 (TC=81℃) 3 (IF=30A) 0.3 (IF=30A, VR=200V) TO-220AB(single) 2.0
ERW06-060 600 50 (TC=77℃) 3 (IF=50A) 0.3 (IF=50A, VR=200V) TO-3P(single) 5.5
ERW07-120 1200 2.5 (TC=129℃) 3 (IF=2.5A) 0.35 (IF=2.5A, VR=200V) TO-220AB(single) 2.0
ERW08-120 1200 5 (TC=127℃) 3 (IF=5A) 0.35 (IF=5A, VR=200V) TO-220AB(single) 2.0
ERW09-120 1200 8 (TC=124℃) 3 (IF=8A) 0.35 (IF=8A, VR=200V) TO-220AB(single) 2.0
ERW10-120 1200 10 (TC=123℃) 3 (IF=10A) 0.35 (IF=10A, VR=200V) TO-220AB(single) 2.0
ERW11-120 1200 15 (TC=122℃) 3 (IF=15A) 0.35 (IF=15A, VR=200V) TO-3P(single) 5.5
ERW12-120 1200 25 (TC=113℃) 3 (IF=25A) 0.35 (IF=25A, VR=200V) TO-3P(single) 5.5
ERW13-060 600 50 (TC=90℃) 3 (IF=50A) 0.3 (IF=50A, VR=200V) TO-3PL 9.5
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15
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■EconoIPMシリーズ Econo IPM series（Intelligent Power Modules）
600V、1200Vクラスオールシリコン形IPM上下アームアラーム機能付 
600, 1200 volts class/All-silicon IPM with P and N-side alarm function
型 式 インバータ部 Inverter
ブレーキ部 Brake
制御部 Control
パッケージ
質量
Device type VCES I
C V
CE(sat） V
CES I
C V
CC I
OC[INV] VUV TCOH TjOH Alarm
Package
Net
Cont. Max. Cont. Typ. Min. Min. Min. mass
Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps Volts ℃ ℃ Grams
6MBP50TEA060
600 50 2.5 - - 15 75 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
6MBP75TEA060
600 75 2.4 - - 15 113 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
6MBP100TEA060
600 100 2.3 - - 15 150 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
6MBP150TEA060
600 150 2.3 - - 15 225 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
7MBP50TEA060
600 50 2.5 600 30 15 75 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
7MBP75TEA060
600 75 2.4 600 50 15 113 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
7MBP100TEA060
600 100 2.3 600 50 15 150 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
7MBP150TEA060
600 150 2.3 600 50 15 225 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
6MBP25TEA120
1200 25 3.1 - - 15 38 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
6MBP50TEA120
1200 50 3.1 - - 15 75 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
6MBP75TEA120
1200 75 3.1 - - 15 113 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
7MBP25TEA120
1200 25 3.1 1200 15 15 38 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
7MBP50TEA120
1200 50 3.1 1200 15 15 75 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
7MBP75TEA120
1200 75 3.1 1200 25 15 113 11.0 to 12.5 - 150 P & N-side P622 270
■R-IPM3シリーズ R-IPM3 series（Intelligent Power Modules）
600Vクラスオールシリコン形IPM下アームアラーム機能付 
600 volts class/All-silicon IPM with N-side alarm function
型 式 インバータ部 Inverter
ブレーキ部 Brake
制御部 Control
パッケージ
質量
Device type VCES I
C V
CE(sat） V
CES I
C V
CC I
OC[INV] VUV TCOH TjOH Alarm
Package
Net
Cont. Max. Cont. Typ. Min. Min. Min. mass
Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps Volts ℃ ℃ Grams
■U-IPMシリーズ U-IPMseries（IntelligentPowerModules）
型 式 インバータ部 Inverter
ブレーキ部 Brake
制御部 Control
パッケージ
質量
Device type VCES I
C V
CE(sat） V
CES I
C V
CC I
OC[INV] VUV TCOH TjOH Alarm
Package
Net
Cont. Max. Cont. Typ. Min. Min. Min. mass
Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps Volts ℃ ℃ Grams
6MBP25RU2A120
1200 25 2.2 - - 15 38 11.0 to 12.5 - 150 N-side P610 440
6MBP50RU2A120
1200 50 2.2 - - 15 75 11.0 to 12.5 - 150 N-side P611 450
6MBP75RU2A120
1200 75 2.2 - - 15 113 11.0 to 12.5 - 150 N-side P611 450
7MBP25RU2A120
1200 25 2.2 1200 25 15 38 11.0 to 12.5 - 150 N-side P610 440
7MBP50RU2A120
1200 50 2.2 1200 25 15 75 11.0 to 12.5 - 150 N-side P611 450
7MBP75RU2A120
1200 75 2.2 1200 50 15 113 11.0 to 12.5 - 150 N-side P611 450
6MBP20RTA060
600 20 2.2 - - 15 30 11.0 to 12.5 110 150 N-side P619 85
6MBP50RTB060
600 50 2.5 - - 15 75 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 440
6MBP75RTB060
600 75 2.4 - - 15 113 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 440
6MBP100RTB060
600 100 2.3 - - 15 150 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
6MBP150RTB060
600 150 2.3 - - 15 225 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
7MBP50RTB060
600 50 2.5 600 30 15 75 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 440
7MBP75RTB060
600 75 2.4 600 50 15 113 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 440
7MBP100RTB060
600 100 2.3 600 50 15 150 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
7MBP150RTB060
600 150 2.3 600 50 15 225 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
1200Vクラスオールシリコン形IPM下アームアラーム機能付 
1200 volts class/All-silicon IPM with N-side alarm function
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16
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■R-IPMシリーズ R-IPMseries(Intelligent Power Modules)
600V、1200Vクラスオールシリコン形IPM下アームアラーム機能付 
600, 1200 volts class/All-silicon IPM with N-side alarm function
型 式 インバータ部 Inverter
ブレーキ部 Brake
制御部 Control
パッケージ
質量
Device type VCES I
C V
CE(sat) V
CES I
C V
CC I
OC[INV] VUV TCOH TjOH Alarm
Package
Net
Cont. Max. Cont. Typ. Min. Min. Min. mass
Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps Volts ℃ ℃ Grams
6MBP15RH060
600 15 2.7 - - 15 21 11.0 to 12.5 - 150 N-side P617 50
6MBP20RH060
600 20 2.7 - - 15 30 11.0 to 12.5 - 150 N-side P617 50
6MBP30RH060
600 30 2.7 - - 15 44 11.0 to 12.5 - 150 N-side P617 50
6MBP50RA060
600 50 2.8 - - 15 75 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 450
6MBP75RA060
600 75 2.8 - - 15 113 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 450
6MBP100RA060
600 100 2.8 - - 15 150 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
6MBP150RA060
600 150 2.8 - - 15 225 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
6MBP200RA060
600 200 2.8 - - 15 300 11.0 to 12.5 110 150 N-side P612 920
6MBP300RA060
600 300 2.8 - - 15 450 11.0 to 12.5 110 150 N-side P612 920
7MBP50RA060
600 50 2.8 600 30 15 75 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 450
7MBP75RA060
600 75 2.8 600 50 15 113 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 450
7MBP100RA060
600 100 2.8 600 50 15 150 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
7MBP150RA060
600 150 2.8 600 50 15 225 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
7MBP200RA060
600 200 2.8 600 75 15 300 11.0 to 12.5 110 150 N-side P612 920
7MBP300RA060
600 300 2.8 600 100 15 450 11.0 to 12.5 110 150 N-side P612 920
6MBP15RA120
1200 15 2.8 - - 15 21 11.0 to 12.5 - 150 N-side P619 85
6MBP25RA120
1200 25 2.6 - - 15 38 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 450
6MBP50RA120
1200 50 2.6 - - 15 75 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
6MBP75RA120
1200 75 2.6 - - 15 113 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
6MBP100RA120
1200 100 2.6 - - 15 150 11.0 to 12.5 110 150 N-side P612 920
6MBP150RA120
1200 150 2.6 - - 15 225 11.0 to 12.5 110 150 N-side P612 920
7MBP25RA120
1200 25 2.6 1200 15 15 38 11.0 to 12.5 110 150 N-side P610 450
7MBP50RA120
1200 50 2.6 1200 25 15 75 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
7MBP75RA120
1200 75 2.6 1200 25 15 113 11.0 to 12.5 110 150 N-side P611 450
7MBP100RA120
1200 100 2.6 1200 50 15 150 11.0 to 12.5 110 150 N-side P612 920
7MBP150RA120
1200 150 2.6 1200 50 15 225 11.0 to 12.5 110 150 N-side P612 920
600V、1200Vクラスオールシリコン形IPM上下アームアラーム機能付 
600, 1200 volts class/All-silicon IPM with P and N-side alarm function
型 式 インバータ部 Inverter
ブレーキ部 Brake
制御部 Control
パッケージ
質量
Device type VCES I
C V
CE(sat) V
CES I
C V
CC I
OC[INV] VUV TCOH TjOH Alarm
Package
Net
Cont. Max. Cont. Typ. Min. Min. Min. mass
Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps Volts ℃ ℃ Grams
6MBP50RTJ060
600 50 2.5 - - 15 75 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
6MBP75RTJ060
600 75 2.4 - - 15 113 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
6MBP100RTJ060
600 100 2.3 - - 15 150 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
6MBP150RTJ060
600 150 2.3 - - 15 225 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
7MBP50RTJ060
600 50 2.5 600 30 15 75 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
7MBP75RTJ060
600 75 2.4 600 50 15 113 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
7MBP100RTJ060
600 100 2.3 600 50 15 150 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
7MBP150RTJ060
600 150 2.3 600 50 15 225 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
6MBP25RJ120
1200 25 2.6 1200 - 15 38 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
6MBP50RJ120
1200 50 2.6 1200 - 15 75 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
6MBP75RJ120
1200 75 2.6 1200 - 15 113 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
7MBP25RSB120
1200 25 3.3 1200 15 15 38 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P625 255
7MBP25RJ120
1200 20 2.6 1200 15 15 38 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
7MBP50RJ120
1200 50 2.6 1200 25 15 75 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
7MBP75RJ120
1200 75 2.6 1200 25 15 113 11.0 to 12.5 110 150 P & N-side P621 450
http://store.iiic.cc/
17
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■IGBTモジュールUシリーズ IGBTModules,Useries
コンバータ部・ブレーキ部内蔵PIMUシリーズ ECONOPIMTM 
PIM/Built-in converter and brake U series ECONOPIMTM
型 式
インバータ部 Inverter［IGBT］
ブレーキ部 Brake [IGBT+FWD]
コンバータ部 Converter［Diode］
パッケージ
質量
Device type VCES I
C P
C V
CE(sat） V
CES I
C V
RRM V
RRM Io VFM IFSM
Package
Net
Cont. Max. Cont. Cont. Max. mass
Volts Amps. Watts Volts Volts Amps. Volts Volts Amps Volts Amps Grams
7MBR30U2A060
600 30 133 2.4 600 20 600 800 30 1.5 210 M711 180
7MBR50U2A060
600 50 187 2.55 600 20 600 800 50 1.5 350 M711 180
7MBR75U2B060
600 75 255 2.5 600 30 600 800 75 1.5 525 M712 300
7MBR100U2B060
600 100 378 2.6 600 50 600 800 100 1.5 700 M712 300
7MBR25UA120
1200 25 115 2.8 1200 25 1200 1600 25 1.5 260 M711 180
7MBR35UA120
1200 35 160 2.7 1200 25 1200 1600 35 1.7 260 M711 180
7MBR35UB120
1200 35 160 2.6 1200 25 1200 1600 35 1.5 360 M712 300
7MBR50UA120
1200 50 205 2.8 1200 25 1200 1600 50 1.9 260 M711 180
7MBR50UB120
1200 50 205 2.65 1200 35 1200 1600 50 1.5 520 M712 300
7MBR75U4B120
1200 75 275 2.8 1200 35 1200 1600 75 1.75 520 M712 300
7MBR100U4B120
1200 100 390 2.85 1200 50 1200 1600 100 1.9 520 M712 300
注 :ECONOPIMTM、ECONOPACKTM、ECONOPACKTM+ は InfineonTechnology 社の登録商標です。
Note: ECONOPIMTM, ECONOPACKTM and ECONOPACKTM+ are registered trademarks of Infi neon Technology AG, Germany.
1200Vクラス3個組Uシリーズ ECONOPACKTM 
1200 volts class, 3 in one-package U series ECONOPACKTM
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE(sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time （Max.）
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
3MBI150U-120
1200 20 150 735 2.1 150 1.2 1.0
0.3 M634 180
3MBI150UC-120
1200 20 150 735 2.1 150 1.2 1.0 0.3 M635 300
600、1200、1700VクラスUシリーズ 6個組 ECONOPACKTM、ECONOPACKTM+ 
600, 1200, 1700 volts class, 6 in one-package U series ECONOPACKTM and ECONOPACKTM+
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE (sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time （Max.）
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
6MBI75U2A-060
600 20 75 255 2.1 75 1.2 1.2
0.45 M636 180
6MBI100U2B-060
600 20 100 380 2.1 100 1.2 1.2 0.45 M633 300
6MBI150U2B-060
600 20 150 500 2.1 150 1.2 1.2 0.45 M633 300
6MBI75UC-120 1200 20 75 390 2.1 75 1.2 1.0 0.3 M632 300
6MBI100UC-120 1200 20 100 520 2.1 100 1.2 1.0 0.3 M632 300
6MBI35U4A-120 1200 20 35 205 2.05 35 1.2 1.0 0.3 M636 180
6MBI50U4A-120 1200 20 50 275 2.05 50 1.2 1.0 0.3 M636 180
6MBI75U4A-120 1200 20 75 390 2.05 75 1.2 1.0 0.3 M636 180
6MBI75U4B-120 1200 20 75 390 2.05 75 1.2 1.0 0.3 M633 300
6MBI100U4B-120
1200 20 100 520 2.05 100 1.2 1.0 0.3 M633 300
6MBI150U4B-120
1200 20 150 735 2.05 150 1.2 1.0 0.3 M633 300
6MBI225U4-120 1200 20 225 1040 2.05 225 1.2 1.0 0.3 M629 950
6MBI300U4-120 1200 20 300 1385 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M629 950
6MBI450U4-120 1200 20 450 2080 2.05 450 1.2 1.0 0.3 M629 950
6MBI100U4B-170
1700 20 100 520 2.4 100 1.2 1.5 0.3 M633 300
6MBI150U4B-170
1700 20 150 735 2.4 150 1.2 1.5 0.3 M633 300
6MBI225U4-170 1700 20 225 1040 2.4 225 1.2 1.5 0.3 M629 950
6MBI300U4-170 1700 20 300 1385 2.4 300 1.2 1.5 0.3 M629 950
6MBI450U4-170 1700 20 450 2080 2.4 450 1.2 1.5 0.3 M629 950
18
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
600、1200、1700Vクラス2個組Uシリーズ  
600, 1200, 1700 volts class, 2 in one-package U series
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE(sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time （Max.）
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
■IGBTモジュールUシリーズ IGBT Modules, U series
1200、1700VクラスUシリーズ1個組  
1200, 1700 volts class, 1 in one-package U series
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE(sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time （Max.）
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
1MBI300U4-120 1200 20 300 1540 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M127 380
1MBI400U4-120 1200 20 400 2155 2.05 400 1.2 1.0 0.3 M127 380
1MBI600U4-120 1200 20 600 2905 2.05 600 1.2 1.0 0.3 M127 380
1MBI600U4B-120 1200 20 600 3570 2.05 600 1.2 1.0 0.3 M138 530
1MBI800U4B-120 1200 20 800 4805 2.05 800 1.2 1.0 0.3 M138 530
1MBI1200U4C-120
1200 20 1200 5680 2.05 1200 2.0 1.6 0.4 M151 1500
1MBI1600U4C-120
1200 20 1600 7810 2.05 1600 2.0 1.6 0.4 M151 1500
1MBI2400U4D-120
1200 20 2400 10000 2.05 2400 2.0 1.6 0.4 M152 2300
1MBI3600U4D-120
1200 20 3600 15620 2.05 3600 2.0 1.6 0.4 M152 2300
1MBI1200U4C-170
1700 20 1200 5680 2.4 1200 4.0 2.0 0.7 M151 1500
1MBI1600U4C-170
1700 20 1600 7810 2.4 1600 4.0 2.0 0.7 M151 1500
1MBI2400U4D-170
1700 20 2400 10000 2.4 2400 4.0 2.0 0.7 M152 2300
1MBI3600U4D-170
1700 20 3600 15620 2.4 3600 4.0 2.0 0.7 M152 2300
▲
▲ 開発中 Under development
▲
▲
▲
▲
▲
▲
▲
▲
▲
▲
▲
▲
▲
▲
▲ 開発中 Under development
2MBI150U2A-060
600 20 150 500 2.1 150 1.2 1.2
0.45 M232 180
2MBI200U2A-060
600 20 200 660 2.1 200 1.2 1.2 0.45 M232 180
2MBI300U2B-060
600 20 300 1000 2.1 300 1.2 1.2 0.45 M233 240
2MBI400U2B-060
650 20 400 1250 2.1 400 1.2 1.2 0.45 M233 240
2MBI600U2E-060
650 20 600 2400 2.1 600 1.2 1.2 0.45 M247 470
2MBI75U4A-120 1200 20 75 400 2.05 75 1.2 1.0 0.3 M232 180
2MBI100U4A-120
1200 20 100 540 2.05 100 1.2 1.0 0.3 M232 180
2MBI150U4A-120
1200 20 150 735 2.05 150 1.2 1.0 0.3 M232 180
2MBI150U4B-120
1200 20 150 780 2.05 150 1.2 1.0 0.3 M233 240
2MBI200U4B-120
1200 20 200 1040 2.05 200 1.2 1.0 0.3 M233 240
2MBI200U4D-120
1200 20 200 1040 2.05 200 1.2 1.0 0.3 M235 240
2MBI200U4H-120
1200 20 200 1040 2.05 200 1.2 1.0 0.3 M249 240
2MBI225U4N-120
1200 20 225 1040 2.05 225 1.2 1.0 0.3 M254 350
2MBI225U4J-120
1200 20 225 1040 2.05 225 1.2 1.0 0.3 M250 360
2MBI300U4D-120
1200 20 300 1470 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M235 370
2MBI300U4E-120
1200 20 300 1810 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M247 470
2MBI300U4H-120
1200 20 300 1470 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M249 240
2MBI300U4N-120
1200 20 300 1385 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M254 350
2MBI300U4J-120
1200 20 300 1385 2.05 300 1.2 1.0 0.3 M250 360
2MBI400U4H-120
1200 20 400 2045 2.05 400 1.2 1.0 0.3 M249 240
2MBI450U4E-120
1200 20 450 2715 2.05 450 1.2 1.0 0.3 M247 470
2MBI450U4N-120
1200 20 450 2080 2.05 450 1.2 1.0 0.3 M254 350
2MBI450U4J-120
1200 20 450 2080 2.05 450 1.2 1.0 0.3 M250 360
2MBI600U4G-120
1200 20 600 2840 2.05 600 1.35 0.8 0.2 M256 1500
2MBI800U4G-120
1200 20 800 3900 2.05 800 1.35 0.8 0.2 M256 1500
2MBI1200U4G-120
1200 20 1200 4960 2.05 1200 1.35 0.8 0.2 M256 1500
2MBI100U4H-170
1700 20 100 540 2.4 100 1.2 1.5 0.3 M249 240
2MBI150U4H-170
1700 20 150 780 2.4 150 1.2 1.5 0.3 M249 240
2MBI200U4H-170
1700 20 200 1040 2.4 200 1.2 1.5 0.3 M249 240
2MBI300U4H-170
1700 20 300 1470 2.4 300 1.2 1.5 0.3 M249 240
2MBI400U4H-170
1700 20 400 2045 2.4 400 1.2 1.5 0.3 M249 240
2MBI600U4G-170
1700 20 600 2840 2.4 600 4.0 2.0 0.7 M256 1500
2MBI800U4G-170
1700 20 800 3900 2.4 800 4.0 2.0 0.7 M256 1500
2MBI1200U4G-170
1700 20 1200 4960 2.4 1200 4.0 2.0 0.7 M256 1500
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19
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE (sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time （Max.）
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
2MBI200TA-060 600 ±20 200 694 2.2 200 1.4 1.4 0.45 M244 250
2MBI300TA-060 600 ±20 300 781 2.4 300 1.4 1.8 0.45 M244 250
2MBI400
T
B-060 600 ±20 400 893 2.5 400 1.8 2.3 0.45 M244 250
■IGBTモジュールTシリーズ IGBTModules,Tseries
600Vクラス2個組Tシリーズ
600 volts class, 2 in one-package T series
600Vクラス4個組Tシリーズ
600 volts class, 4 in one-package T series
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE (sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム Switching time (Max.)
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
4MBI75T-060 600 ±20 75 178 2.3 75 1.2 1.2 0.45 M711 180
4MBI100T-060 600 ±20 100 310 2.2 100 1.2 1.2 0.45 M711 180
4MBI150T-060 600 ±20 150 430 2.2 150 1.2 1.2 0.45 M712 300
4MBI200T-060 600 ±20 200 540 2.3 200 1.2 1.2 0.45 M712 300
600Vクラス 6個組 Sシリーズ ECONOPACKTM
600 volts class, 6 in one-package S series ECONOPACKTM
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE (sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time （Max.）
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
6MBI75S-060 600 ±20 75 300 2.55 75 1.2 1.0 0.35 M626 300
6MBI100S-060 600 ±20 100 400 2.6 100 1.2 1.0 0.35 M626 300
注 :ECONOPACKTM は InfineonTechnology 社の登録商標です。
Note: ECONOPACKTM is a registered trademark of Infi neon Technology AG, Germany.
■IGBTモジュールSシリーズ IGBTModules,Sseries
http://store.iiic.cc/
20
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
■IGBTモジュールSシリーズ IGBTModules,Sseries
コンバータ部・ブレーキ部内蔵PIM Sシリーズ ECONOPIMTM
PIM/Built-in converter and brake S series ECONOPIMTM
型 式 インバータ部 Inverter ［IGBT］ ブレーキ部 Brake ［IGBT＋FWD］ コンバータ部 Converter ［Diode］
パッケージ
質 量
Device type VCES I
C P
C V
CE（sat） V CES I
C V
RRM VRRM I
O V
FM I
FSM
Package
Net mass
Cont. Max. Cont. Cont. Max. Grams
Volts Amps. Watts Volts Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Volts
7MBR30SA060 600 30 120 2.40 600 20 600 800 30 1.5 210 M711 180
7MBR50SA060 600 50 200 2.40 600 30 600 800 50 1.5 350 M711 180
7MBR50SB060 600 50 200 2.40 600 30 600 800 50 1.5 350 M712 300
7MBR75SB060 600 75 300 2.55 600 50 600 800 75 1.5 525 M712 300
7MBR100SB060
600 100 400 2.60 600 50 600 800 100 1.5 700 M712 300
7MBR10SA120 1200 10 75 2.60 1200 10 1200 1600 10 1.5 105 M711 180
7MBR15SA120 1200 15 110 2.60 1200 15 1200 1600 15 1.5 155 M711 180
7MBR25SA120 1200 25 180 2.60 1200 15 1200 1600 25 1.5 260 M711 180
7MBR35SB120 1200 35 240 2.70 1200 25 1200 1600 35 1.5 360 M712 300
7MBR50SB120 1200 50 360 2.70 1200 25 1200 1600 50 1.5 520 M712 300
7MBR10SA140 1400 10 75 2.70 1400 10 1400 1600 10 1.5 105 M711 180
7MBR15SA140 1400 15 110 2.70 1400 15 1400 1600 15 1.5 155 M711 180
7MBR25SA140 1400 25 180 2.70 1400 15 1400 1600 25 1.5 260 M711 180
7MBR35SB140 1400 35 240 2.70 1400 25 1400 1600 35 1.5 360 M712 300
7MBR50SB140 1400 50 360 2.80 1400 20 1400 1600 50 1.5 520 M712 300
サイリスタ付 コンバータ部・ブレーキ部内蔵PIM Sシリーズ
PIM/Built-in converter with thyristor and brake S series
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE (sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time （Max.）
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
7MBR20SC060 600 ±20 20 69 2.4 20 1.2 1.0 0.35 M713 210
7MBR30SC060 600 ±20 30 120 2.4 30 1.2 1.0 0.35 M713 210
7MBR50SC060 600 ±20 50 200 2.4 50 1.2 1.0 0.35 M713 210
7MBR75SD060 600 ±20 75 300 2.55 75 1.2 1.0 0.35 M714 340
7MBR100SD060 600 ±20 100 400 2.6 100 1.2 1.0 0.35 M714 340
7MBR10SC120 1200 ±20 10 75 2.6 10 1.2 1.0 0.3 M713 210
7MBR15SC120 1200 ±20 15 110 2.6 15 1.2 1.0 0.3 M713 210
7MBR25SC120 1200 ±20 25 180 2.6 25 1.2 1.0 0.3 M713 210
7MBR35SD120 1200 ±20 35 240 2.7 35 1.2 1.0 0.3 M714 340
7MBR50SD120 1200 ±20 50 360 2.7 50 1.2 1.0 0.3 M714 340
注 :ECONOPIMTM は InfineonTechnology 社の登録商標です。
Note: ECONOPIMTM is a registered trademark of Infi neon Technology AG, Germany.
http://store.iiic.cc/
21
パワーデバイス/PowerDevices(IGBT)
1200V、1400Vクラス6個組Sシリーズ ECONOPACKTM
1200, 1400 volts class, 6 in one-package S series ECONOPACKTM
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE (sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time （Max.）
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
6MBI10S-120 1200 ±20 10 75 2.60 10 1.2 1.0 0.3 M623 180
6MBI15S-120 1200 ±20 15 110 2.60 15 1.2 1.0 0.3 M623 180
6MBI25S-120 1200 ±20 25 180 2.60 25 1.2 1.0 0.3 M623 180
6MBI35S-120 1200 ±20 35 240 2.60 35 1.2 1.0 0.3 M623 180
6MBI50S-120 1200 ±20 50 360 2.60 50 1.2 1.0 0.3 M623 180
6MBI75S-120 1200 ±20 75 520 2.60 75 1.2 1.0 0.3 M626 300
6MBI100S-120 1200 ±20 100 700 2.60 100 1.2 1.0 0.3 M626 300
6MBI35S-140 1400 ±20 35 240 2.75 35 1.2 1.0 0.3 M623 180
6MBI50S-140 1400 ±20 50 360 2.75 50 1.2 1.0 0.3 M623 180
6MBI75S-140 1400 ±20 75 520 2.70 75 1.2 1.0 0.3 M626 300
6MBI100S-140 1400 ±20 100 700 2.70 100 1.2 1.0 0.3 M626 300
1200Vクラス2個組、1個組Sシリーズ
1200 volts class, 2 in one-package and 1 in one-package S series
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE (sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム
Switching time （Max.）
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
2MBI100SC-120 1200 ±20 100 780 2.60 100 1.2 1.0 0.3 M233 240
2MBI150SC-120 1200 ±20 150 1000 2.60 150 1.2 1.0 0.3 M233 240
2MBI200S-120 1200 ±20 200 1500 2.60 200 1.2 1.0 0.3 M234 370
2MBI300S-120 1200 ±20 300 2500 2.60 300 1.2 1.0 0.3 M238 470
1MBI300S-120 1200 ±20 300 2100 2.60 300 1.2 1.0 0.3 M127 380
1MBI400S-120 1200 ±20 400 3100 2.60 400 1.2 1.0 0.3 M127 380
■IGBTモジュールSシリーズ IGBTModules,Sseries
注 :ECONOPACKTM は InfineonTechnology 社の登録商標です。
Note: ECONOPACKTM is a registered trademark of Infi neon Technology AG, Germany.
1200V、1400Vクラス高速スイッチング、低ノイズ形
1200, 1400 volts class/High speed switching and low noise
型 式 V
CES V
GES I
C P
C V
CE (sat) (VGE=15V)
スイッチングタイム Switching time (Max.)
パッケージ
質 量
Device type Cont. Max. IC ton toff tf Package
Net mass
Volts Volts Amps. Watts Volts Amps. µsec. µsec. µsec. Grams
2MBI50P-140 1400 ±20 50 400 3.0 50 1.2 1.0 0.3 M232 180
2MBI75P-140 1400 ±20 75 600 3.0 75 1.2 1.0 0.3 M232 180
2MBI100PC-140 1400 ±20 100 780 3.0 100 1.2 1.0 0.3 M233 240
2MBI150PC-140 1400 ±20 150 1100 3.0 150 1.2 1.0 0.3 M233 240
2MBI200PB-140 1400 ±20 200 1500 3.0 200 1.2 1.0 0.3 M235 370
2MBI300P-140 1400 ±20 300 2500 3.0 300 1.2 1.0 0.3 M238 470
1MBI600PX-120 1200 ±20 600 4100 3.2 600 1.2 1.0 0.3 M138 530
1MBI600PX-140 1400 ±20 600 4100 3.2 600 1.2 1.0 0.3 M138 530
■IGBTモジュールPシリーズ IGBT Modules, P series
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22
整流ダイオード/RectifierDiodes
3
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM I
RRM＊3
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
シングル 1 in one-package
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
記号 Letter symbols
VRRMピーク繰返し逆電圧Repetitive peak reverse voltage
VRSM ピーク非繰返し逆電圧Non-repetitive peak reverse voltage
IO 平均出力電流Average output current
IFSMサージ電流Surge current
Tj接合温度 Junction temperature
T
a 周囲温度 Ambient temperature
Tc ケース温度 Case temperature
Tstg保存温度Storage temperature
VFM順電圧Forward voltage
IRRM逆電流Reverse current
trr逆回復時間Reverse recovery time
Rthj-c熱抵抗 ( 接合ケース間 )Thermal resistance (Junction to case)
Tlリード温度Lead temperature
IF(AV)平均順電流Average forward current
() 条件 () Conditions
＊1 抵抗負荷 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊1
Resistive load
＊2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM
＊4 ガラスエポキシ基板に装着,ランド寸法15x15mm ＊4
Mounted to fabric base epoxy resin printed circuits (land 15×15mm)
＊5 プリント板取り付け (ランド10x10mm) ＊5
P.C board mounting (land 10×10mm)
＊6 20x20mm銅フィンを両側につける場合 ＊6 Mounted Cu fi ns (20×20mm) on the both lead
開発中 Underdevelopment
SD882-02 SMD 20 2.0(Tl=96℃) 70 -55 to +125 0.39(IF=2.0A) 2 18.0 SD 0.035
SD883-02 SMD 20 3.0(Tl=103℃) 70 -40 to +125 0.39(IF=3.0A) 2 18.0 SD 0.035
SD832-03 SMD 30 2.0(Tl=124℃) 70 -55 to +150 0.46(IF=2.0A) 1 18.0 SD 0.035
CB803-03 30 2.0(Tl=133℃) 80 -40 to +150 0.47(IF=1.5A) 5 10.0 Lead-3 0.3
SD833-03 SMD 30 3.0(Tl=127℃) 70 -40 to +150 0.46(IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
FD807-03 30 3.0(Tl=134℃) 120 -40 to +150 0.47(IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
SD834-03 SMD 30 4.0(Tl=100℃) 70 -55 to +150 0.46(IF=4.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERA82-004 40 0.6(Ta=45℃) 25 -40 to +150 0.55(IF=0.6A) 1 10.0 Lead-1 0.18
ERA81-004 40 1.0(Ta=25℃) 50 -40 to +150 0.55(IF=1.0A) 2 15.0 Lead-2 0.22
ERA83-004 40 1.0(Tl=136℃) 50 -40 to +150 0.55(IF=1.0A) 2 10.0 Lead-1 0.18
SC802-04 SMD 40 1.0(Tl=136℃)＊4 40 -40 to +150 0.55(IF=1.0A) 2 15.0 SC 0.06
SD832-04 SMD 40 2.0(Tl=120℃) 70 -55 to +150 0.51(IF=2.0A) 1 18.0 SD 0.035
SD862-04 SMD 40 2.0(Tl=125℃) 80 -55 to +150 0.59(IF=2.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
ERB83-004 40 2.0(Tl=130℃) 100 -40 to +150 0.55(IF=2.0A) 5 10.0 Lead-3 0.3
ERB81-004 40 2.0(Tl=130℃) 100 -40 to +150 0.55(IF=2.0A) 5 12.0 Lead-4 0.5
SD883-04 SMD 40 3.0(Tl=100℃) 70 -40 to +125 0.45(IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
SD863-04 SMD 40 3.0(Tl=116℃) 110 -55 to +150 0.59(IF=3.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
SD833-04 SMD 40 3.0(Tl=122℃) 70 -40 to +150 0.51(IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERC81-004 40 3.0(Tl=130℃) 120 -40 to +150 0.55(IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
SD834-04 SMD 40 4.0(Tl=96℃) 70 -55 to +150 0.51(IF=4.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERC81S-004 40 5.0(Tl=108℃) 140 -40 to +150 0.55(IF=5.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
ERA83-006 60 1.0(Tl=136℃) 30 -40 to +150 0.58(IF=1.0A) 2 10.0 Lead-1 0.18
SC802-06 SMD 60 1.0(Tl=136℃)＊4 30 -40 to +150 0.58(IF=1.0A) 2 15.0 SC 0.06
ERB83-006 60 2.0(Tl=130℃) 60 -40 to +150 0.58(IF=2.0A) 5 10.0 Lead-3 0.3
SD863-06 SMD 60 3.0(Tl=115℃) 60 -55 to +150 0.62(IF=3.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
SD833-06 SMD 60 3.0(Tl=121℃) 60 -40 to +150 0.58(IF=2.5A) 1 18.0 SD 0.035
ERC81-006 60 3.0(Tl=131℃) 80 -40 to +150 0.58(IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
ERA85-009 90 1.0(Tl=131℃) 30 -40 to +150 0.82(IF=1.0A) 1 10.0 Lead-1 0.18
SC802-09 SMD 90 1.0(Tl=131℃)＊4 30 -40 to +150 0.85(IF=1.0A) 1 15.0 SC 0.06
ERA84-009 90 1.0(Tl=131℃)＊5 30 -40 to +150 0.90(IF=1.0A) 1 15.0 Lead-2 0.22
ERB84-009 90 2.0(Ta=50℃)＊6 60 -40 to +150 0.90(IF=2.0A) 2 12.0 Lead-4 0.5
SD833-09 SMD 90 3.0(Tl=112℃) 60 -40 to +150 0.85(IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERC84-009 90 3.0(Tl=122℃) 80 -40 to +150 0.80(IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
SD863-10 SMD 100 3.0(Tl=105℃) 60 -55 to +150 0.84(IF=3.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
CB863-12 120 2.0(Tl=124℃) 70 -40 to +150 0.88(IF=2.0A) 0.08 10.0 Lead-3 0.3
FD867-12 120 3.0 (Tl =115℃) 100 -40 to +150 0.88(IF=3.0A) 0.12 8.0 Lead-7 1.2
FD868-12 120 4.0(Tl =106℃) 120 -40 to +150 0.88(IF=4.0A) 0.15 8.0 Lead-7 1.2
CB863-15 150 2.0(Tl =116℃) 60 -40 to +150 0.90(IF=2.0A) 0.08 10.0 Lead-3 0.3
FD867-15 150 3.0 (Tl =113℃) 90 -40 to +150 0.90(IF=3.0A) 0.12 8.0 Lead-7 1.2
FD868-15 150 4.0(Tl =102℃) 110 -40 to +150 0.90(IF=4.0A) 0.15 8.0 Lead-7 1.2
CB863-20 200 2.0(Tl=121℃) 40 -40 to +150 1.25(IF=2.0A) 0.1 10.0 Lead-3 0.3
FD867-20 200 3.0(Tl=122℃) 80 -40 to +150 1.25(IF=3.0A) 0.15 8.0 Lead-7 1.2
FD868-20 2 0 0 4.0 (Tl =111℃) 100 -40 to +150 1.25(IF=4.0A) 0.2 8.0 Lead-7 1.2
▲ ▲
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23
整流ダイオード/RectifierDiodes 3
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O ＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM I
RRM＊3
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
シングル 1 in one-package (Continued)
()条件   ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. １チップ あたり ＊3 １チップ あた り ＊2 Sine wave, 10ms per element＊3 per element
＊4VR=VRRM １チ ップ あたり ＊4 VR=VRRM per element
デュアル 2 in one-package
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O ＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 I
RRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
()条件 ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM
KP883C02 20 7.0 (Tc=89℃) 60 -40 to +125 0.39(IF=2.5A) 10 10.0 K-pack(P) 0.6
KS883C02 SMD 20 7.0 (Tc=89℃) 60 -40 to +125 0.39(IF=2.5A) 10 10.0 K-pack(S) 0.6
YG881C02R 20 8.0 (Tc=103℃) 80 -40 to +125 0.39(IF=2.0A) 10 5.0 TO-220F 2.0
YG882C02R 20 16 (Tc=94℃) 120 -40 to +125 0.39(IF=4.0A) 10 3.5 TO-220F 2.0
YG885C02R 20 30 (Tc=81℃) 120 -40 to +125 0.39(IF=8.0A) 30 2.5 TO-220F 2.0
KP823C03 30 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.47(IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(P) 0.6
KS823C03 SMD 30 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.47(IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(S) 0.6
YG831C03R 30 6.0 (Tc=127℃) 90 -40 to +150 0.45(IF=2.0A) 5 5.0 TO-220F 2.0
YG802C03R 30 10 (Tc=126℃) 120 -40 to +150 0.47(IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 2.0
YG832C03R 30 12 (Tc=118℃) 120 -40 to +150 0.45(IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 2.0
YG835C03R 30 25 (Tc=99℃) 120 -40 to +150 0.45(IF=6.0A) 15 2.5 TO-220F 2.0
YG838C03R 30 38 (Tc=85℃) 200 -40 to +150 0.45(IF=12.5A) 10 2.0 TO-220F 2.0
KP823C04 40 5.0 (Tc=107℃) 60 -40 to +150 0.55(IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(P) 0.6
KS823C04 SMD 40 5.0 (Tc=107℃) 60 -40 to +150 0.55(IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(S) 0.6
YG801C04R 40 5.0 (Tc=125℃) 100 -40 to +150 0.55(IF=2.0A) 5 5.0 TO-220F 2.0
YG831C04R 40 6.0 (Tc=122℃) 80 -40 to +150 0.53(IF=2.0A) 2 5.0 TO-220F 2.0
YG802C04R 40 10 (Tc=110℃) 120 -40 to +150 0.55(IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 2.0
YG832C04R 40 12 (Tc=112℃) 120 -40 to +150 0.53(IF=4.0A) 3 3.5 TO-220F 2.0
YG803C04R 40 15 (Tc=92℃) 120 -40 to +150 0.55(IF=7.0A) 3 3.5 TO-220F 2.0
YG805C04R 40 20 (Tc=100℃) 120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 15 2.5 TO-220F 2.0
YG835C04R 40 22 (Tc=96℃) 120 -40 to +150 0.53(IF=8.0A) 6 2.5 TO-220F 2.0
YG838C04R 40 30 (Tc=85℃) 180 -40 to +150 0.53(IF=12.5A) 8 2.0 TO-220F 2.0
YG801C06R 60 5.0 (Tc=125℃) 60 -40 to +150 0.58(IF=2.0A) 5 5.0 TO-220F 2.0
YG802C06R 60 10 (Tc=118℃) 80 -40 to +150 0.58(IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 2.0
YG803C06R 60 15 (Tc=94℃) 100 -40 to +150 0.58(IF=6.0A) 5 3.0 TO-220F 2.0
YG805C06R 60 20 (Tc=108℃) 80 -40 to +150 0.58(IF=8.0A) 15 2.5 TO-220F 2.0
MS808C06 SMD 60 30 (Tc=118℃) 150 -40 to +150 0.58(IF=12.5A) 3 1.2 TFP 0.8
KP823C09 90 5.0 (Tc=100℃) 60 -40 to +150 0.9 (IF=2.0A) 5 10.0 K-pack(P) 0.6
KS823C09 SMD 90 5.0 (Tc=100℃) 60 -40 to +150 0.9 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(S) 0.6
YG801C09R 90 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.9 (IF=2.0A) 2 5.0 TO-220F 2.0
YG802C09R 90 10 (Tc=102℃) 80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 2.0
YG801C10R 100 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.8 (IF=1.5A) 0.7 5.0 TO-220F 2.0
YG802C10R 100 10 (Tc=102℃) 80 -40 to +150 0.8 (IF=3.0A) 1.2 3.5 TO-220F 2.0
YG805C10R 100 20 (Tc= 91℃) 100 -40 to +150 0.8 (IF=5.0A) 2.5 2.5 TO-220F 2.0
YG808C10R 100 30 (Tc= 80℃) 180 -40 to +150 0.8 (IF=10A) 20 2.0 TO-220F 2.0
KS826S04 SMD 40 5.0(Tc=110℃) 80 -40 to +150 0.55(IF=5.0A) 5 10 K-pack(S) 0.6
YG811S04R 40 5.0(Tc=122℃) 120 -40 to +150 0.55(IF=5.0A) 5 5.0 TO-220F 2.0
YG812S04R 45 10 (Tc=124℃) 250 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 2 2.5 TO-220F 2.0
YG811S06R 60 5.0(Tc=127℃) 80 -40 to +150 0.59(IF=5.0A) 5 5.0 TO-220F 2.0
YG811S09R 90 5.0(Tc=116℃) 80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 5.0 TO-220F 2.0
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24
整流ダイオード/RectifierDiodes
3
YG861S12R 120 5 (Tc=104℃) 75 -40 to +150 0.88 150 5.0 TO-220F 2.0
YG861S15R 150 5 (Tc=94℃) 75 -40 to +150 0.9 150 5.0 TO-220F 2.0
シングル 1 in one-package
■
低 IR ショットキーバリアダイオード LowIRSchottky-BarrierDiodes
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O ＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 I
RRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
℃/W Grams
デュアル 2 in one-package
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O ＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 I
RRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
℃/W Grams
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
()条件 ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2  ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 IF=Io ＊4 VR=VRRM ＊2 Sine wave, ＊3 IF=Io ＊4 VR=VRRM
YG862C04R 45 10(Tc=129℃) 125 -40 to +150 0.61 0.15 3.5 TO220F 2.0
YA862C04R 45 10(Tc=138℃) 125 -40 to +150 0.61 0.15 2.0 TO220AB 2.0
TS862C04R SMD 45 10(Tc=138℃) 125 -40 to +150 0.61 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C04R 45 20(Tc=115℃) 145 -40 to +150 0.63 0.175 2.5 TO220F 2.0
YA865C04R 45 20(Tc=126℃) 145 -40 to +150 0.63 0.175 1.75 TO220AB 2.0
TS865C04R SMD 45 20(Tc=126℃) 145 -40 to +150 0.63 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
YG868C04R 45 30(Tc=105℃) 160 -40 to +150 0.63 0.20 2.0 TO220F 2.0
YA868C04R 45 30(Tc=122℃) 160 -40 to +150 0.63 0.20 1.25 TO220AB 2.0
TS868C04R SMD 45 30(Tc=122℃) 160 -40 to +150 0.63 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
YG869C04R 45 40(Tc=112℃) 190 -40 to +150 0.61 0.20 1.2 TO220F 2.0
YA869C04R 45 40(Tc=120℃) 190 -40 to +150 0.61 0.20 1.0 TO220AB 2.0
YG862C06R 60 10(Tc=124℃) 125 -40 to +150 0.68 0.15 3.5 TO220F 2.0
YA862C06R 60 10(Tc=136℃) 125 -40 to +150 0.68 0.15 2.0 TO220AB 2.0
TS862C06R SMD 60 10(Tc=136℃) 125 -40 to +150 0.68 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C06R 60 20(Tc=109℃) 145 -40 to +150 0.74 0.175 2.5 TO220F 2.0
YA865C06R 60 20(Tc=122℃) 145 -40 to +150 0.74 0.175 1.75 TO220AB 2.0
TS865C06R SMD 60 20(Tc=122℃) 145 -40 to +150 0.74 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
YG868C06R 60 30(Tc=101℃) 160 -40 to +150 0.74 0.20 2.0 TO220F 2.0
YA868C06R 60 30(Tc=119℃) 160 -40 to +150 0.74 0.20 1.25 TO220AB 2.0
TS868C06R SMD 60 30(Tc=119℃) 160 -40 to +150 0.74 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
YG869C06R 60 40(Tc=105℃) 190 -40 to +150 0.70 0.20 1.2 TO220F 2.0
YA869C06R 60 40(Tc=114℃) 190 -40 to +150 0.70 0.20 1.0 TO220AB 2.0
YG862C08R 80 10 (Tc=109℃) 125 -40 to +150 0.76 0.15 3.5 TO-220F 2.0
YA862C08R 80 10(Tc=126℃) 125 -40 to +150 0.76 0.15 2.0 TO-220AB 2.0
TS862C08R SMD 80 10(Tc=126℃) 125 -40 to +150 0.76 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C08R 80 20(Tc=89℃) 145 -40 to +150 0.76 0.175 2.5 TO-220F 2.0
YA865C08R 80 20(Tc=107℃) 145 -40 to +150 0.76 0.175 1.75 TO-220AB 2.0
TS865C08R SMD 80 20(Tc=107℃) 145 -40 to +150 0.76 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
YG868C08R 80 30(Tc=72℃) 160 -40 to +150 0.76 0.20 2.0 TO-220F 2.0
YA868C08R 80 30(Tc=105℃) 160 -40 to +150 0.76 0.20 1.25 TO-220AB 2.0
TS868C08R SMD 80 30(Tc=105℃) 160 -40 to +150 0.76 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
YG869C08R 80 40(Tc=86℃) 190 -40 to +150 0.71 0.20 1.2 TO220F 2.0
YA869C08R 80 40(Tc=98℃) 190 -40 to +150 0.71 0.20 1.0 TO220AB 2.0
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25
整流ダイオード/RectifierDiodes 3
デュアル 2 in one-package（Continued）
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O ＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 I
RRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
℃/W Grams
YG862C10R 100 10(Tc=118℃) 125 -40 to +150 0.86 0.15 3.5 TO220F 2.0
YA862C10R 100 10(Tc =132℃) 125 -40 to +150 0.86 0.15 2.0 TO220AB 2.0
TS862C10R SMD 100 10(Tc=132℃) 125 -40 to +150 0.86 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C10R 100 20(Tc=103℃) 145 -40 to +150 0.86 0.175 2.5 TO220F 2.0
YA865C10R 100 20(Tc=117℃) 145 -40 to +150 0.86 0.175 1.75 TO220AB 2.0
TS865C10R SMD 100 20(Tc=117℃) 145 -40 to +150 0.86 0.18 1.75 T-pack(S) 1.6
YG868C10R 100 30(Tc= 91℃) 160 -40 to +150 0.86 0.20 2.0 TO220F 2.0
YA868C10R 100 30(Tc=113℃) 160 -40 to +150 0.86 0.20 1.25 TO220AB 2.0
TS868C10R SMD 100 30(Tc=113℃) 160 -40 to +150 0.86 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
MS868C10R SMD 100 30(Tc=114℃) 160 -40 to +150 0.86 0.20 1.2 TFP 0.8
YG869C10R 100 40(Tc= 94℃) 190 -40 to +150 0.82 0.20 1.2 TO220F 2.0
YA869C10R 100 40(Tc=105℃) 190 -40 to +150 0.82 0.20 1.0 TO220AB 2.0
YG862C12R 120 10 (Tc=122℃) 75 -40 to +150 0.88 0.15 3.00 TO-220F 2.0
YA862C12R 120 10 (Tc=137℃) 75 -40 to +150 0.88 0.15 1.20 TO-220AB 2.0
TP862C12R 120 10 (Tc=137℃) 75 -40 to +150 0.88 0.15 1.50 T-pack(P) 1.6
TS862C12R SMD 120 10 (Tc=137℃) 75 -40 to +150 0.88 0.15 1.50 T-pack(S) 1.6
YG865C12R 120 20 (Tc=116℃) 150 -40 to +150 0.88 0.15 1.75 TO-220F 2.0
YA865C12R 120 20 (Tc=126℃) 150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 TO-220AB 2.0
PH865C12 120 20 (Tc=126℃) 150 -40 to +150 0.88 0.15 1.50 TO-247 4.9
TP865C12R 120 20 (Tc=126℃) 150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 T-pack(P) 1.6
TS865C12R SMD 120 20 (Tc=126℃) 150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 T-pack(S) 1.6
YG868C12R 120 30 (Tc=116℃) 190 -40 to +150 0.88 0.20 1.20 TO-220F 2.0
YA868C12R 120 30 (Tc=122℃) 190 -40 to +150 0.88 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
PH868C12 120 30 (Tc=122℃) 190 -40 to +150 0.88 0.20 1.20 TO-247 4.9
TS868C12R SMD 120 30 (Tc=122℃) 190 -40 to +150 0.88 0.20 1.00 T-pack(S) 1.6
YG862C15R 150 10 (Tc=117℃) 75 -40 to +150 0.90 0.15 3.00 TO-220F 2.0
YA862C15R 150 10 (Tc=134℃) 75 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 TO-220AB 2.0
TP862C15R 150 10 (Tc=134℃) 75 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 T-pack(P) 1.6
TS862C15R SMD 150 10 (Tc=134℃) 75 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 T-pack(S) 1.6
YG865C15R 150 20 (Tc=101℃) 150 -40 to +150 0.90 0.15 1.75 TO-220F 2.0
PH865C15 150 20 (Tc=109℃) 150 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 TO-247 4.9
YA865C15R 150 20 (Tc=115℃) 150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 TO-220AB 2.0
TP865C15R 150 20 (Tc=115℃) 150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 T-pack(P) 1.6
TS865C15R SMD 150 20 (Tc=115℃) 150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 T-pack(S) 1.6
MS868C15 SMD 150 30 (Tc=113℃) 190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TFP 0.8
YG868C15R 150 30 (Tc=113℃) 190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TO-220F 2.0
YA868C15R 150 30 (Tc=119℃) 190 -40 to +150 0.90 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
TS868C15R SMD 150 30 (Tc=119℃) 190 -40 to +150 0.90 0.20 1.00 T-pack(S) 1.6
PH868C15 150 30 (Tc=129℃) 190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TO-247 4.9
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
■
低 IR ショットキーバリアダイオード LowIRSchottky-BarrierDiodes
http://store.iiic.cc/
26
整流ダイオード/RectifierDiodes
3
■スーパー LLDI(PFC 回路用 )SuperLLDI(ContinuousmodePFC)
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
p(Max)＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM I
RRM＊3 trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA961S6R 600 8 15 -40 to +150 5.0(IF=8A) 50 0.023 6.0 TO-220AB 2.0
YG961S6R 600 8 15 -40 to +150 5.0(IF=8A) 50 0.023 10.0 TO-220F 2.0
YA962S6R 600 10 25 -40 to +150 5.0(IF=10A) 50 0.025 5.0 TO-220AB 2.0
YG962S6R 600 10 25 -40 to +150 5.0(IF=10A) 50 0.025 5.0 TO-220F 2.0
YA963S6R 600 15 40 -40 to +150 5.0(IF=15A) 50 0.03 2.0 TO-220AB 2.0
YG963S6R 600 15 40 -40 to +150 5.0(IF=15A) 50 0.03 3.5 TO-220F 2.0
シングル 1 in one-package
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
p(Max)＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM I
RRM＊3 trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YG965C6R 600 20 25 -40 to +150 5.0(IF=10A) 50 0.025 3.5 TO-220F 2.0
TS965C6R SMD 600 20 25 -40 to +150 5.0(IF=10A) 50 0.025 2.5 T-pack(S) 1.6
PH965C6 600 20 25 -40 to +150 5.0(IF=10A) 50 0.025 2.2 TO-247 4.9
YG967C6R 600 30 40 -40 to +150 5.0(IF=15A) 50 0.03 2.5 TO-220F 2.0
TS967C6R SMD 600 30 40 -40 to +150 5.0(IF=15A) 50 0.03 2.0 T-pack(S) 1.6
PH967C6 600 30 40 -40 to +150 5.0(IF=15A) 50 0.03 1.5 TO-247 4.9
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 PFC回路におけるIpmax値 ＊1 Ipmax value at PFC circuit
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  ＊3 VR=VRRM
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
()条件         ()Conditions
＊1 PFC回路におけるIpmax値 ＊1 Ipmax value at PFC circuit
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 VR=VRRM1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 VR=VRRM per element
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
■スーパー LLDII(PFC 回路用 )SuperLLDII(DiscontinuousmodePFC)
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM I
RRM＊3 trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA971S6R 600 8(Tc=116℃) 70 -40 to +150 1.55(IF=8A) 10 0.05 2.5 TO-220AB 2.0
YG971S6R 600 8(Tc=89℃) 70 -40 to +150 1.55(IF=8A) 10 0.05 4.5 TO-220F 2.0
YA972S6R 600 10(Tc=115℃) 100 -40 to +150 1.55(IF=10A) 10 0.05 2.0 TO-220AB 2.0
YG972S6R 600 10(Tc=89℃) 100 -40 to +150 1.55(IF=10A) 10 0.05 3.5 TO-220F 2.0
YG971S8R 800 5(Tc=93℃) 60 -40 to +150 2.2(IF=5A) 10 0.05 4.5 TO-220F 2.0
シングル 1 in one-package
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM I
RRM＊3 trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA975C6R 600 20(Tc=106℃) 100 -40 to +150 1.55(IF=10A) 10 0.05 1.25 TO-220AB 2.0
YG975C6R 600 20(Tc=89℃) 100 -40 to +150 1.55(IF=10A) 10 0.05 1.75 TO-220F 2.0
PH975C6 600 20(Tc=97℃) 100 -40 to +150 1.55(IF=10A) 10 0.05 1.5 TO-247 4.9
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  ＊3 VR=VRRM
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 VR=VRRM1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 VR=VRRM per element
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
27
整流ダイオード/RectifierDiodes 3
■スーパー LLDIII(PFC 回路用 )SuperLLDIII(DiscontinuousmodePFC)
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM I
RRM＊3 trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA981S6R 600 8(Tc=99℃) 40 -40 to +150 3.0(IF=8A) 25 0.026 2.5 TO-220AB 2.0
YG981S6R 600 8(Tc=58℃) 40 -40 to +150 3.0(IF=8A) 25 0.026 4.5 TO-220F 2.0
YA982S6R 600 10(Tc=99℃) 50 -40 to +150 3.0(IF=10A) 30 0.028 2.0 TO-220AB 2.0
YG982S6R 600 10(Tc=60℃) 50 -40 to +150 3.0(IF=10A) 30 0.028 3.5 TO-220F 2.0
シングル 1 in one-package
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM I
RRM＊3 trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  ＊3 VR=VRRM
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 VR=VRRM1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 VR=VRRM per element
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
YA982C6R 600 16(Tc=88℃) 40 -40 to +150 3.0(IF=8A) 25 0.026 1.5 TO-220AB 2.0
TS982C6R SMD 600 16(Tc=88℃) 40 -40 to +150 3.0(IF=8A) 25 0.026 1.5 T-pack(S) 1.6
YG982C6R 600 16(Tc=68℃) 40 -40 to +150 3.0(IF=8A) 25 0.026 2 TO-220F 2.0
YA985C6R 600 20(Tc=86℃) 50 -40 to +150 3.0(IF=10A) 30 0.028 1.25 TO-220AB 2.0
TS985C6R SMD 600 20(Tc=86℃) 50 -40 to +150 3.0(IF=10A) 30 0.028 1.25 T-pack(S) 1.6
YG985C6R 600 20(Tc=60℃) 50 -40 to +150 3.0(IF=10A) 30 0.028 1.75 TO-220F 2.0
PA985C6R 600 20(Tc=73℃) 50 -40 to +150 3.0(IF=10A) 30 0.028 1.5 TO-3P 5.5
28
整流ダイオード/RectifierDiodes
3
デュアル 2 in one-package
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
V
RRM I
O ＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 I
RRM＊4 trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
■低損失超高速ダイオード Low-LossFastRecoveryDiodes(LLD)
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 I
RRM＊4 trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec ℃/W Grams
シングル 1 in one-package
ERA91-02 200 0.5(Ta=60℃) 10 -40 to +150 0.95 50 0.035 10.0 Lead-1 0.18
ERA92-02 200 1.0(Ta=25℃) 25 -40 to +150 1.05 50 0.035 10.0 Lead-1 0.18
SC902-2 SMD 200 1.0(Ta=25℃) 25 -40 to +150 1.05 50 0.035 15.0 SC 0.06
ERB91-02 200 1.0(Ta=50℃) 20 -40 to +150 0.95 50 0.035 10.0 Lead-3 0.22
ERB93-02 200 1.5(Ta=40℃) 25 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 Lead-6 0.4
ERC91-02 200 3.0(Ta=25℃) 50 -40 to +150 0.95 100 0.035 8.0 Lead-7 1.2
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 I
RRM＊4 trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec ℃/W Grams
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty 1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 IF=Io ＊4VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  ＊3 IF=Io ＊4 VR=VRRM
＊5 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
KP926S2 200 5 (Tc=106℃) 70 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(P) 0.6
KS926S2 SMD 200 5 (Tc=106℃) 70 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(S) 0.6
YG911S2R 200 5 (Tc=134℃) 50 -40 to +150 0.95 100 0.035 3.5 TO-220F 2.0
YG912S2R 200 10 (Tc=116℃) 80 -40 to +150 0.98 200 0.035 3.5 TO-220F 2.0
YG911S3R 300 5 (Tc=128℃) 40 -40 to +150 1.2 100 0.035 3.5 TO-220F 2.0
YG912S6R 600 10 (Tc=93℃) 120 -40 to +150 1.7 100 0.05 3.5 TO-220F 2.0
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
＊5IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
KP923C2 200 5(Tc=103℃) 50 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(P) 0.6
KS923C2 SMD 200 5(Tc=103℃) 50 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(S) 0.6
YG901C2R 200 5(Tc=120℃) 25 -40 to +150 0.95 100 0.035 5.0 TO-220F 2.0
YG902C2R 200 10(Tc=115℃) 50 -40 to +150 0.95 100 0.035 3.5 TO-220F 2.0
YG906C2R 200 20(Tc=102℃) 80 -40 to +150 0.98 200 0.035 2.5 TO-220F 2.0
MS906C2 SMD 200 20(Tc=105℃) 80 -40 to +150 0.98 200 0.035 2.0 TFP 0.8
YG901C3R 300 5(Tc=105℃) 25 -40 to +150 1.2 100 0.035 5.0 TO-220F 2.0
YG902C3R 300 10(Tc=101℃) 40 -40 to +150 1.2 100 0.035 3.5 TO-220F 2.0
MS906C3 SMD 300 20(Tc=95℃) 80 -40 to +150 1.2 200 0.035 2.0 TFP 0.8
PA905C6R 600 20(Tc=106℃) 120 -40 to +150 1.7 100 0.05 1.2 TO-3P 5.5
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29
整流ダイオード/RectifierDiodes 3
デュアル 2 in one-package
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
V
RRM I
O ＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 IRRM＊4 trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
■低損失超高速低ノイズダイオード 
Low-LossFast SoftRecoveryDiodes(LLD)
YG982C3R 300 10(Tc=112℃) 90 -40 to +150 1.3 20 0.04 3 TO-220F 2.0
YA982C3R 300 10(Tc=128℃) 90 -40 to +150 1.3 20 0.04 1.75 TO-220AB 2.0
TS982C3R SMD 300 10(Tc=128℃) 90 -40 to +150 1.3 20 0.04 1.75 T-pack(S) 1.6
YG985C3R 300 20(Tc=105℃) 110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.75 TO-220F 2.0
YA985C3R 300 20(Tc=118℃) 110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.25 TO-220AB 2.0
TS985C3R SMD 300 20(Tc=118℃) 110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.25 T-pack(S) 1.6
MS985C3 SMD 300 20(Tc=118℃) 110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.25 TFP 0.8
PG985C3R 300 20(Tc=73℃) 110 -40 to +150 1.3 35 0.04 3 TO-3PF 6.0
YG982C4R 400 10(Tc =107℃) 80 -40 to +150 1.45 20 0.05 3 TO-220F 2.0
YA982C4R 400 10(Tc=125℃) 80 -40 to +150 1.45 20 0.05 1.75 TO-220AB 2.0
TS982C4R SMD 400 10(Tc=125℃) 80 -40 to +150 1.45 20 0.05 1.75 T-pack(S) 1.6
YG985C4R 400 20(Tc=100℃) 100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.75 TO-220F 2.0
YA985C4R 400 20(Tc=114℃) 100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.25 TO-220AB 2.0
TS985C4R SMD 400 20(Tc=114℃) 100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.25 T-pack(S) 1.6
MS985C4 SMD 400 20(Tc=114℃) 100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.25 TFP 0.8
PG985C4R 400 20(Tc=64℃) 100 -40 to +150 1.45 35 0.05 3 TO-3PF 6.0
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
＊5IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
http://store.iiic.cc/
30
整流ダイオード/RectifierDiodes
3
デュアル 2 in one-package
■低損失超高速ダイオード Low-LossFastRecoveryDiodes(LLD)
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
V
RRM I
O＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 IRRM＊4 trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
ESAB92-02R 200 5(Tc=120℃) 25 -40 to +150 0.95 (IF=2.5A) 100 0.035 5.0 TO-220AB 2.0
TP901C2RF192 200 5(Tc=120℃) 25 -40 to +150 0.95 (IF=2.5A) 100 0.035 5.0 T-pack(P) 1.6
TP902C2R 200 10(Tc=125℃) 50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(P) 1.6
TP902C2RHD 200 10(Tc=125℃) 50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(P) 1.6
TS902C2R SMD 200 10(Tc=125℃) 50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(S) 1.6
ESAC92-02R 200 10(Tc=125℃) 50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 TO-220AB 2.0
ESAC93-02R 200 12(Tc=123℃) 60 -40 to +150 0.95 (IF=6A) 100 0.035 2.2 TO-3P 5.5
ESAD92M-02RR 200 20(Tc=108℃) 100 -40 to +150 0.95 (IF=10A) 200 0.04 2.0 TO-3PF 6.0
TP906C2RHD 200 20(Tc=110℃) 80 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 200 0.035 2.0 T-pack(P) 1.6
TS906C2R SMD 200 20(Tc=110℃) 80 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 200 0.035 2.0 T-pack(S) 1.6
ESAD92-02R 200 20(Tc=115℃) 100 -40 to +150 0.95 (IF=10A) 200 0.04 1.5 TO-3P 5.5
TP902C3RHD 300 10(Tc=115℃) 40 -40 to +150 1.2 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(P) 1.6
TS902C3R SMD 300 10(Tc=115℃) 40 -40 to +150 1.2 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(S) 1.6
ESAD92-03R 300 20(Tc=110℃) 80 -40 to +150 1.2 (IF=10A) 200 0.04 1.5 TO-3P 5.5
ESAD92M-03RR 300 20(Tc=96℃) 80 -40 to +150 1.2 (IF=10A) 200 0.04 2.0 TO-3PF 6.0
PA905C4R 400 20(Tc=107℃) 70 -40 to +150 1.5 (IF=10A) 500 0.05 1.5 TO-3P 5.5
PG905C4RR 400 20(Tc=93℃) 70 -40 to +150 1.5 (IF=10A) 500 0.05 2.0 TO-3PF 6.0
YG912S6RR 600 10(Tc=93℃) 100 -40 to +150 1.7 (IF=10A) 100 0.05 3.5 TO220F15 1.6
PA905C6RR 600 20(Tc=106℃) 100 -40 to +150 1.7 (IF=10A) 100 0.05 1.2 TO-3P 5.5
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A
シングル / デュアル 1 in one-package/2 in one-package
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
型 式 SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
V
RRM I
O＊1 I
FSM＊2 Tj and Tstg VFM＊3 I
RRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃ Max. Volts
Max.μA
℃/W Grams
ERC80-004R ＊5 40 5(Tc=122℃) 120 -40 to +150 0.55 (IF=5.0A) 5 5.0 TO-220AB 2.0
PA886C02R 20 30(Tc=105℃) 150 -40 to +125 0.4 (IF=12.5A) 50 1.2 TO-3P 5.5
ESAB82-004R 40 5(Tc=126℃) 100 -40 to +150 0.55 (IF=2.0A) 5 5.0 TO-220AB 2.0
TP802C04R 40 10(Tc=116℃) 120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(P) 1.6
TP802C04RF192 40 10(Tc=116℃) 120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(P) 1.6
TS802C04R SMD 40 10(Tc=116℃) 120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(S) 1.6
ESAC82-004R 40 10(Tc=116℃) 120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 TO-220AB 2.0
TS805C04R SMD 40 20(Tc=110℃) 120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 15 2.0 T-pack(S) 1.6
ESAC83-004R 40 20(Tc=119℃) 120 -40 to +150 0.55 (IF=8.0A) 15 1.5 TO-3P 5.5
ESAD83M-004RR 40 30(Tc=105℃) 150 -40 to +150 0.55 (IF=12.5A) 20 1.7 TO-3PF 6.0
ESAD83-004R 40 30(Tc=118℃) 150 -40 to +150 0.55 (IF=12.5A) 20 1.2 TO-3P 5.5
ESAC63-004R 45 20(Tc=109℃) 120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 15 2.0 TO-220AB 2.0
ESAC83M-006RR 60 20 (Tc=108℃) 120 -40 to +150 0.58 (IF=8.0A) 15 2.5 TO-3PF 6.0
ESAC63-006R 60 20(Tc=118℃) 120 -40 to +150 0.58 (IF=8.0A) 15 2.0 TO-220AB 2.0
ESAD83M-006RR 60 30(Tc=106℃) 120 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 20 1.7 TO-3PF 6.0
TS808C06R SMD 60 30(Tc=115℃) 120 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 20 1.2 T-pack(S) 1.6
ESAD83-006R 60 30(Tc=119℃) 120 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 20 1.2 TO-3P 5.5
TS802C09R SMD 90 10(Tc=109℃) 80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(S) 1.6
ESAC85-009R 90 10(Tc=109℃) 80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 3.0 TO-220AB 2.0
ESAD85M-009RR 90 25(Tc=105℃) 100 -40 to +150 0.9 (IF=10A) 15 1.7 TO-3PF 6.0
ESAD85-009R 90 25(Tc=118℃) 100 -40 to +150 0.9 (IF=10A) 20 1.2 TO-3P 5.5
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり
＊5 シングル 品 ＊4 VR=VRRM per element  ＊5 1 in one-package
31
集積回路/Integrated Circuits 4
■電源制御用 IC（AC/DC 制御用 IC） ControlICsforPowerSupply
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
FA5526P/N
FA5527P/N
FA5528P/N
FA5536P/N
FA5537P/N
FA5538P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
10〜28V入力、+0.6A、−0.3A DIP-8、SOP-8
・カレントモード制御
・500V 耐圧起動回路内蔵
・低待機電力に有利な軽負荷時スイッチング周波数低減
・VCC 端子過電圧保護：ラッチ (FA5526/27/28)、
自動復帰 (FA5536/37/38)
・過負荷ラッチ (FA5526/27/28)、
過負荷自動復帰 (FA5536/37/38)
・Current mode PWM-controller
・Internal start-up circuit with 500V rating
・Reducing Switching frequency function at light load for Power
Saving
・Over-Voltage Protection by VCC pin :
Latch shut-out(FA5526/27/28),
Auto recovery(FA5536/37/38)
・Overload protection : Latch shut-out(FA5526/27/28),
Auto recovery(FA5536/37/38)
Applications: AC adapter, FPD, general power supply
10〜28V入力、+1.0A、−0.5A DIP-8、SOP-8
・カレントモード制御
・500V耐圧起動回路内蔵
・電流制限検出：負極性のため、低待機電力化に有利
・低待機電力に有利な軽負荷時スイッチング周波数低減
・過負荷ラッチ(FA5554/67)、過負荷自動復帰(FA5553/66)
・過熱保護などを簡単に構成できるラッチ専用端子
・Current mode PWM-controller
・Internal start-up circuit with 500V rating
・Current sense polarity : Minus voltage suitable for power
saving
・Reducing Switching frequency function at light load for Power
Saving
・Overload protection: Latch shut-out(FA5554/67)、
Auto recovery(FA5553/66)
・Latch pin suitable for Over Temperature Protection etc.
Application: AC adapter,FPD,general power supply
FA5553P/N
FA5554P/N
FA5566P/N
FA5567P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
FA5546P/N
FA5547P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
10〜28V入力、+1.0A、−0.5A DIP-8、SOP-8
・カレントモード制御
・500V耐圧起動回路内蔵
・電流制限検出：負極性のため、低待機電力化に有利
・ブラウンイン・アウト保護
・モータ駆動用の２段階過電力保護：ラッチ(FA5547)、
自動復帰(FA5546)
・低待機電力に有利な軽負荷時スイッチング周波数低減
・過熱保護などを簡単に構成できるラッチ専用端子
・Current mode PWM-controller
・Internal start-up circuit with 500V rating
・Current sense polarity : Minus voltage suitable for power
saving
・Brown-In/Out Protection
・2 Stages Over Power Protection:
Latch(FA5547),Auto-Recovery(FA5546)
・Reducing Switching frequency function at light load for Power
Saving
・Latch pin suitable for Over Temperature Protection etc.
Application: Printer, AC adapter, General power supply
FA5553P/N
FA5546P/N
11µA/4µA
1.3mA
8.5V/7.9V
Latch
5V
ENB
VCC
UVLO
4.0V/3.5V
START
off
5V
GND
(4)
VCC
(6)
VH
(8)
CS (1)
OVP
UVLO
28V
2.9V
OverLoad
4.8V 15V/9V
20k
60k
7.4k
3R R
FB
(2)
IS (3)
TRG
CLR
1 shot
Q
Blanking OUT
(5)
OUT
PUT
ENB
Q
Q
S
R
F.F.
IS comp.
0.52V
1Meg
5pF
x1
Buf
30V
VCO Q
T
OSC
0.28V SLOPE
GENERATOR
䪘
-
+
0.68V
reg
http://store.iiic.cc/
32
集積回路/Integrated Circuits
4
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
10〜28V入力、＋1.0A、−0.5A出力 DIP-8、SOP-8

・擬似共振方式型制御
・500V耐圧起動回路内蔵
・CMOSプロセスで低消費電力化
 動作時消費電流：1.7mA(typ.)
・軽負荷時周波数低減機能
・Quasi-resonant mode controller
・Internal start-up circuit with 500V rating
・Low-power CMOS process
 Operating current: 1.7mA typical
・Reducing oscillation frequency function at light load
Applications: Printer, FPD, DVD, general power supply
FA5531P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
FA5541P/N
FA5542P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
10〜28V入力、+0.5A、−0.25A DIP-8、SOP-8
・擬似共振方式型制御
・500V耐圧起動回路内蔵
・CMOSプロセスで低消費電力化
 動作時消費電流：1.2mA(typ.)
・軽負荷時間欠スイッチング機能
・Quasi-resonant mode controller
・Internal start-up circuit with 500V rating
・Low-power CMOS process
Operating current: 1.2mA typical
・Intermittent Switching mode operation at light load
Application: Printer, FPD, DVD, general power supply
Valley
detection
Time out
(5.6µs)
1 shot
(38 0n s)
S
R
Q
Start up
Current
UVLO
VH
䠄䠔䠅
VCC
䠄䠒䠅
5V Reg.
5V Reg.
Check
Internal
supply
Driver
OUT
䠄䠑䠅
Timer
latch
(54µs)
Start up
management
Logic
1V
3.3V
Overload
28V
VCC
7.2V
ZCD
OVP 1
OVP 2
10.2V/9V
Reset
CLR
GND
䠄䠐䠅
FB
䠄䠎䠅
ZCD
䠄䠍䠅
Timer
200ms
㻜㻚㻟㻠V
Disable
12.4V/10.2V
Max. fsw
Blanking
Reset
1/2
Soft start
(1ms)
Current
comparator
120kHz
5V
IS
䠄䠏䠅
5V
50uA
FA5542P/N
FA5500AP/N
FA5501AP/N
力率改善用IC
Power-factor
correction
10〜28V入力、＋1.0A、−0.5A出力 DIP-8、SOP-8
・FA5500/FA5501広温度範囲品
・臨界値モード方式
・CMOSプロセスにより低消費電流実現
 スタートアップ電流：20µA(max.)
 動作時消費電流：2mA(typ.)
・無負荷までの良好なレギュレーション実現
・FB端子オープン／ショート保護機能
・Wide range of operating temperature
・Critical conduction current mode
・Low-power CMOS process
 Start-up current: 20µA maximum
 Operating current: 2mA typical
・Good regulation to no load
・FB pin open/short protection function
Application:Electronic ramp ballast, AC adapter
General power supply
■電源制御用 IC（AC/DC 制御用 IC） ControlICsforPowerSupply
http://store.iiic.cc/
33
集積回路/Integrated Circuits 4
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
FA5502P/M
力率改善用IC
Power-factor
correction
10〜28V入力、±1.5A出力 DIP-16、SOP-16
・平均値制御方式
・CMOSプロセスにより低消費電流実現
スタートアップ30µA(max.)、動作時4mA(typ.)
・各種保護回路
・動作周波数15〜150kHz
・Average current control system
・Low-power CMOS process
Start-up current : 30µA maximum
Operating current : 4mA typical
・Many kinds of protection function
・Operating frequency: 15kHz to 150kHz
Application: Power factor correction
FA5550P/N
FA5551P/N
力率改善用IC
Power-factor
correction
10〜28V入力、＋2.0A、−1.0A出力
・平均値制御方式
・CMOSプロセスにより低消費電流実現
スタートアップ80µA(max.)、動作時2mA(typ.)
・FB端子オープン／ショート保護機能
・各種保護回路
・動作周波数:65kHz(typ).
・Average current control system
・Low-power CMOS process
Start-up current : 80µA maximum
Operating current : 2mA typical
・FB pin open/short protection function
・Many kinds of protection function
・Operating frequency: 65kHz
7
+
-
83
1
54
VRE F(2.5V)
VOV P(1.09V REF )
VCC
FB
OUT
UVLO
REF
ERRAMP
S
R
Q
VDD(5.0V)
+
-
VREF(2.5V)
MUL
SLOPE
IS
MUL
OVP
+
-
VO S( 2.0V )
AOC
VOS(2.0V)
2
COMP
6
GND
VOVP(1.09VREF)
OVP
+
-
OSC
VBO(2.1V/1.5V)
VSP(0.3V)
SP
+
-
SP
SLOPE Brownout
FA3641P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
10〜28V入力、＋1.0A、−0.5A出力 DIP-8、SOP-8
・PWM方式1ch出力制御
・CMOSプロセスにより低消費電流実現
・軽負荷時周波数低減機能
・各種保護回路
・動作周波数500kHz(max.)
・PWM-type switching power supply control
・Low-power CMOS process
・Reducing oscillation frequency function at light load
・Many kinds of protection function
・Operating frequency: 500kHz maximum
Applications: Printer, FAX, AC adapter, PPC
General power supply
FA3647P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
10〜28V入力、＋1.0A、−0.5A出力 DIP-8、SOP-8
・PWM方式1ch出力制御
・CMOSプロセスにより低消費電流実現
・軽負荷時周波数低減機能
・各種保護回路
・動作周波数500kHz(max.)
・PWM-type switching power supply control
・Low-power CMOS process
・Reducing oscillation frequency function at light load
・Many kinds of protection function
・Operating frequency: 500kHz maximum
Applications: Printer, FAX, AC adapter, PPC
General power supply
■電源制御用 IC（AC/DC 制御用 IC） ControlICsforPowerSupply
http://store.iiic.cc/
34
集積回路/Integrated Circuits
4
Specifi cations Package Block diagram
仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
FA5514P/N
FA5515P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
10〜28V入力、±1.5A出力 DIP-8、SOP-8
・PWM方式1ch制御出力
・CMOSプロセスにより低消費電流実現
・各種保護回路
・最大デューティーサイクル：46%、70%(typ.)
・動作周波数500kHz(max.)
・PWM-type switching power supply control
・Low-power CMOS process
・Many kinds of protection function
・Maximum output duty cycle: 46% or 70% (typ.)
・Operating frequency: 500kHz maximum
Applications: Printer, FAX, AC adapter, PPC
General power supply
10〜28V入力、±1.5A出力 DIP-8、SOP-8
・PWM方式1ch制御出力
・CMOSプロセスにより低消費電流実現
・各種保護回路
・最大デューティーサイクル：46%、70%(typ.)
・動作周波数500kHz(max.)
・PWM-type switching power supply control
・Low-power CMOS process
・Many kinds of protection function
・Maximum output duty cycle: 46% or 70% (typ.)
・Operating frequency: 500kHz maximum
Applications: Printer, FAX, AC adapter, PPC
General power supply
FA13842P/N
FA13843P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
10〜28V入力、＋1.0A、−0.4A出力 DIP-8、SOP-8
・カレントモード制御
・CMOSプロセスで低消費電力化
スタートアップ電流：12µA(typ.)
動作時消費電流： 3mA(typ.)
・従来の384Ｘシリーズと同一ピン配置
・ Current mode PWM-controller
・ Low-power CMOS process
Start-up current: 12µA typical
Operating current: 3mA typical
・ Pin-for-pin compatible with 384X
Applications: Personal computer, Display, AC-adapter
FA13844P/N
FA13845P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
10〜28V入力、＋1.0A、−0.4A出力 DIP-8、SOP-8
・カレントモード制御
・CMOSプロセスで低消費電力化
スタートアップ電流：12µA(typ.)
動作時消費電流： 3mA(typ.)
・従来の384Ｘシリーズと同一ピン配置
・ Current mode PWM-controller
・ Low-power CMOS process
Start-up current: 12µA typical
Operating current: 3mA typical
・ Pin-for-pin compatible with 384X
Applications: Personal computer, Display, DC-DC converter
■電源制御用 IC（AC/DC 制御用 IC） ControlICsforPowerSupply
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
FA5510P/N
FA5511P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
http://store.iiic.cc/
35
集積回路/Integrated Circuits 4
■電源制御用 IC（インダクタ内蔵 DC/DC 制御用 IC）
ControlICswithinductorforPowerSupply
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
FB6861J
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
2.8〜5.5V入力、＋300mA SON-8
・インダクタ内蔵小型パッケージ
（2.4mm×2.4mm,h=1.1mmmax.）
・PFM方式300mA出力降圧コンバータ
・出力電圧固定:1.0V,1.2V,1.5V,1.8V,2.2V,2.5V,3.0V,3.3V
・動作周波数2.1MHz(typ)
・過電流保護機能内蔵
・過熱保護機能内蔵
・Small outline package (2.4mm×2.4mm, h=1.1mm max.) with
embedded inductor
・300mA output PFM-type buck converter
・Fixed output voltage : 1.0V,1.2V,1.5V,1.8V
・Operating frequency: 2.1MHz typical
・Over current protection function
・Thermal shut down
Applications: Mobile equipment
FB6871J
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
2.8〜4.5V入力、＋100mA SON-8
・インダクタ内蔵小型パッケージ 
（2.4mm×2.4mm,h=1.1mmmax.）
・PWM方式昇圧5V,100mA出力
・動作周波数2.1MHz(typ)
・タイマラッチ短絡保護機能内蔵
・過熱保護機能内蔵
・Small outline package (2.4mm×2.4mm, h=1.1mm max.)
with embedded inductor
・5V 100mA output PWM-type boost converter
・Operating frequency: 2.1MHz typical
・Timer latch short circuit protection function
・Thermal shut down
Applications: Mobile equipment
■リチウムイオンバッテリー保護 IC Lithium-ionBatteryProtectionIC
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
FA396X シリーズ
保護機能
Protection
2〜5V入力、
リチウムイオンバッテリー１セル
対応 Wl-CSP
・過充電、過放電、過電流からバッテリーを保護する
・トレンチパワーMOSFET内蔵
・実装面積2.4mm2と業界最小を実現
 
・Protects the battery from overcharge,overdischarge,and
overcurrent.
・Built-in Trench power MOSFET
・2.4mm2 Industry Smallest
Applications: Battery Pack for Cellular phone, Digitai still
camera, etc.
Cin
Cout
Vout
Vin
10uF
10uF
Driver
PMOS
Inductor
NMOS
Driver
Error
AMP.
RFB0
RFB1
VREF
PFM
Controller
PGNDGND
PVDDVDD
OUT
Over
Current
Protection
UVLO
Soft
Start
Thermal
Shut
Down
CE
FB
Control
Logic
PWM
controller
Pc䡄
Driver
Nc䡄
Driver
Soft
Start
UVLO TSD
VDD
CE
C
OUT
CIN
SENSE
OUT
Vin
EA
+
-
Vout
Timer
Latch
GND PGND
IN
FB
L
L
Control
Circuit
TESTMD
+
-
+
-
+
-
OSC
+
-
VCC
-
+
1V
Li-ion
BATT
Lithium-ion Battery Pack
PAC-
PAC+
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
OSC
+
-
+
-
Over Charge
detect
1V
OC detect1
OC detect2
CHG_OC detect
DCHG
_SW2
DCHG
_SW1
S1 S2
CS
CHG_SW
Over Discharge
detect
-
+
-
+
1V
Level
Shift
Power
Supply
CTL
http://store.iiic.cc/
36
集積回路/Integrated Circuits
4
■電源制御用 IC（DC/DC 制御用 IC） ControlICsforPowerSupply
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
FA7700V
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
FA7701V
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
2.5〜18V入力、−400mA、＋150mA出力 TSSOP-8
・PWM方式1ch出力制御
・タイマラッチ短絡保護機能内蔵
・出力パルス最大デューティ80%(min.)
・動作周波数1MHz(max.)
・PWM-type switching power supply control
・ Timer latch short-circuit protection function
・ Maximum output duty: 80% minimum
・ Operating frequency: 1MHz maximum
Applications: VTR-camera, Digital-still-camera
Portable equipment
2.5〜18V入力、−400mA、＋150mA出力 TSSOP-8
・PWM方式1ch出力制御
・タイマラッチ短絡保護機能内蔵
・出力パルス最大デューティ100%(min.)
・動作周波数1MHz(max.)
・ PWM-type switching power supply control
・ Timer latch short-circuit protection function
・ Maximum output duty-cycle: 100% minimum
・ Operating frequency: 1MHz maximum
Applications: VTR-camera, Digital-still-camera
Portable equipment
RT
REF
VREF
OSC
BIAS
UVLO
5.5V
–
+
OFF
4
FB
IN–
+
–
+
PWM
–
+
ON/OFF
S.C.DET
0.3V
1.5V
1.5V
–
+
S.C.P
2.2V
VREF
Power Good Signal
ON/OFF
1
2
3
8
7
6
5
CS
VCC
OUT
GND
–
+
0.88V
ER.AMP
+
2.2V
+
–
+
PWM
–
+
ER.AMP
ON/OFF
VREF
OSC
BIAS
UVLO
5.5V
–
+
–
+
ON/OFF
S.C.DET
0.3V
1.5V
1.5V
–
+
S.C.P
2.2V
OFF
RT
REF
4
FB
IN–
1
2
3
8
7
6
5
CS
VCC
OUT
GND
0.88V
Power Good Signal
VREF
2.2V
9〜45V入力、＋1.2A出力 PDIP8
E-padSOP-8

・PWM方式1ch出力電圧制御
・パワーMOSFET内蔵
・動作周波数400kHz(max.)

・1-ch PWM-type switching power supply control
・Built-in power MOSFET
・Operating frequency: 400kHz maximum
Applications: FPD, AV-equipment, general DC/DC converter
FA7738P/N
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
http://store.iiic.cc/
37
集積回路/Integrated Circuits 4
■電源制御用 IC（DC/DC 制御用 IC） ControlICsforPowerSupply
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
FA7743N
（開発中）
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
(Under
Development)
9.0〜45V入力、1.5A出力 E-padSOP-8
・PWM方式1ch出力制御
・パワーMOSFET内蔵
・タイマラッチ短絡保護機能内蔵
・出力パルス最大デューティ90%(typ.)
・動作周波数500Hz(typ.)
・PWM-type switching power supply control
・Built-in power MOSFET
・Timer latch short-circuit protection function
・Maximum output duty: 90% typical
・Operating frequency: 500MHz typical
Applications: Flat Panel TV, Printer,AV-equipment
Industrial equipment, POL
FA7749V
（開発中）
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
(Under
Development)
6.0〜28V入力、3A出力 E-padTSSOP-16
・PWM方式1ch出力制御
・パワーMOSFET内蔵
・過電流保護機能内蔵
・出力パルス最大デューティ90%(typ.)
・動作周波数500MHz(typ.)
・PWM-type switching power supply control
・Built-in power MOSFET
・Over current protection function
・Maximum output duty: 90% typical
・Operating frequency: 500kHz typical
Applications: Flat Panel TV, Printer,AV-equipment
Industrial equipment, POL
IN
䃂
0.8V
CE
Thermal
Shutdown
VCC
OUT
BOOT
PGND
SS
VREG
-
+
Driver
Dead
time
Driver
VREG
OSC
-
+
+
+
Soft
Start
VREF
VREG
UVLO
Cip
enable
VCC
UVLO
0.8V
CP
PVCC
Current
detect
5V
GND
Time r Lat ch
Short Circuit
Protect ion
http://store.iiic.cc/
38
集積回路/Integrated Circuits
4
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
FA3686V
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
FA3687V
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
2.5〜18V入力、−400mA、＋150mA出力 TSSOP-16
・PWM方式2ch出力電圧制御（昇圧・反転用）
・シリーズレギュレータ駆動可能
・タイマラッチ短絡保護機能内蔵
・動作周波数1.5MHz(max.)
・2-ch PWM-type switching power supply control
 for Boost and Inverting
・Series regulator control
・Timer latch short circuit protection function
・Operating frequency: 1.5MHz maximum
Applications: LCD Bias, CCD, Portable equipment
2.5〜18V入力、−400mA、＋150mA出力 TSSOP-16
・PWM方式2ch出力電圧制御
・タイマラッチ短絡保護機能内蔵
・動作周波数1.5MHz(max.)
・逆相運転
・2-ch PWM-type switching power supply control
・Timer latch short circuit protection function
・Operating frequency: 1.5MHz maximum
・Inverted phase operation
Applications: General purpose, Portable equipment
■電源制御用 IC（DC/DC 制御用 IC） ControlICsforPowerSupply
FA7703V
FA7704V
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
2.5〜28V入力、−400mA、＋150mA TSSOP-16
（FA7704Vは2.5〜18V入力）
・PWM方式2ch出力電圧制御
・タイマラッチ短絡保護機能内蔵
・動作周波数1MHz(max.)
・2-ch PWM-type switching power supply control
・Timer latch short circuit protection function
・Operating frequency: 1MHz maximum
Applications: VTR-camera, Digital-still-camera
Portable equipment
2.5〜18V入力、−400mA、＋150mA SSOP-24
・PWM方式2ch出力電圧制御
・タイマラッチ短絡保護機能内蔵
・過電流保護機能内蔵
・動作周波数500kHz(max.)
・外部同期運転可能
・2-ch PWM-type switching power supply control
・Timer latch short circuit protection function
・Over current protection
・Operating frequency: 500kHz maximum
・Shyncronous operating frequency
Applications: VTR-camera, Digital-still-camera
Portable equipment
FA7707E
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
19 18 17 16 15 14 13 12
2 3 4 5 6 7 8 9
CP SYNC ON/OFF1 IN1+ FB1 DT1 OCL1 VCC
RT ON/OFF2I N2+ IN2- FB2 DT2 OCL2 GND
OSC
電圧監視
基準
電圧
+
-
+
UVLO
BIAS
0.8V
ｴﾗｰｱﾝﾌﾟ1
ｴﾗｰｱﾝﾌﾟ2
PWM
ｺﾝﾊﾟﾚｰﾀ1
PWM
ｺﾝﾊﾟﾚｰﾀ2
0.42V
1.27V
S.C.DET
S.C.P
ON/
OFF
BIAS
2.28V
2µＡ
11
OUT1
20
REF
10
OUT2
過電流
制限
過電流
制限
1
CT
+
-
+
+
-
+
2.28V
2.28V
ON/
OFF
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39
集積回路/Integrated Circuits 4
■電源制御用 IC（DC/DC 制御用 IC） ControlICsforPowerSupply
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
1.5〜10V入力、−150mA,＋150mA SON-16
・PWM方式2ch出力電圧制御
・乾電池2本からの動作可能
・動作周波数１MHz(max.)
・2-ch PWM-type switching power supply control
・2 Dry cell operation
・Operating frequency: 1MHz maximum
Applications: Mobile equipment
FA7715J
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
4.5〜28V入力、±800mA出力 TSSOP-24

・PWM方式3ch出力制御
・タイマラッチ短絡保護機能内蔵
・動作周波数800kHz(max.)
・ 3ch PWM-type switching power supply control
・ Timer latch short-circuit protection function
・ Operating frequency: 800kHz maximum
Applications: LCD-panel, FPD, general DC/DC converter
FA7711V
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
FA7729R
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
2.5〜18V入力、−200mA、＋100mA出力 VQFN-48

・PWM方式6ch出力制御
・動作周波数800kHz(max.)

・6-ch PWM-type switching power supply control
・Operating frequency: 800kHz maximum
Applications: Camcorder, digital-still-camera
Surveillance camera, Projector,
Portable equipment
16 15 14 13 12 11 10 9
1 2 3 4 5 6 7 8
CPON/OFF1 IN1- FB1 CS1 VCC
RTON/OFF2 GNDIN2- FB2 CS2 OUT2
OUT1REF
SEL
OSC
基準
電圧
+
-
-
UVLO
BIAS
ｴﾗｰｱﾝﾌﾟ1
ｴﾗｰｱﾝﾌﾟ2
PWM
ｺﾝﾊﾟﾚｰﾀ1
PWM
ｺﾝﾊﾟﾚｰﾀ2
1V
0.6V/0.2V
S.C.DET
S.C.P
BIAS
0.5V
1.6µＡ
+
-
+
+
+
-
+
+
ON/OFF
60kΩ
0.5V
60kΩ
1.4V
Dmax
Dmax
1.4V
1.4V
1.6µＡ
1.6µＡ
1.4V
70kΩ
70kΩ
極性選択
SEL=0Vで
SWがｵﾝ
SW
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40
集積回路/Integrated Circuits
4
7〜16V入力、＋1.2A出力 E-padTQFP-48

・同期整流方式2ch出力電圧制御
・パワーMOSFET内蔵
・動作周波数400kHz(max.)

・2-ch synchronous rectifi cation
・Built-in power MOSFET
・Operating frequency: 400kHz maximum

Applications: Digital-tuner, FPD, AV-equipment
FA7735F
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
Device type Specifi cations Package Block diagram
型   式 仕    様 パッケージ ブロックダイアグラム
■電源制御用 IC（DC/DC 制御用 IC） ControlICsforPowerSupply
10〜45V入力、＋1.2A出力 E-padTQFP-64 
E-padTQFP-48 
・同期整流方式3ch出力電圧制御（FA7730:2ch）
・パワーMOSFET内蔵
・動作周波数200kHz(max.)

・3-ch synchronous rectifi cation (FA7730: 2ch)
・Built-in power MOSFET
・Operating frequency: 200kHz maximum
Applications: Printer, FAX, IP-phone
FA7726F
FA7730F
スイッチング電源
制御
Switching power
supply control
http://store.iiic.cc/
41
圧力センサ/PressureSensors 5
■圧力センサ PressureSensors
特長 
・絶対圧測定
・デジタルトリミングによる高精度保証
・広範囲な圧力範囲に対応、フルスケール 100kPa〜300kPa
・センサチップに過電圧保護回路、電磁波遮断回路、サージ
保護回路を備えており、特にサージに関しては、世界的な
国際基準である ISO7637-level4 をクリア
・Vcc、Vout、GND 端子間で短絡した場合のダイアグ自己
検出機能搭載 
・EPROM の冗長性による高信頼性を確保
Features
• Absolute pressure measurement
• High accuracy with digital trimming
• Wide pressure range, full scale of 100kPa to 300kPa
• Provided with overvoltage protection circuit, EMC fi lter, and
surge protective device in the sensor chip
• Surge protection conforms to ISO7637-level 4 for automatic
components
• Diagnostic self-detecting function in the event of a wire
opened among Vcc, Vout and GND terminals
• High reliability ensured by EPROM bit redundancy
外形寸法 Dimensions, mm
Printed board mounting type Direct mounting type
出力特性例
Example of output characteristic
Direct mounting type
絶対最大電圧 Max. overvolatge
使用最大圧力 Max. operating pressure
使用電圧 Operating voltage
出力範囲 Output voltage
消費電流 Operating current
シンク電流 Sink current
ソース電流 Source current
使用温度 Operating temperature
保存温度 Storage temperature
圧力誤差 Pressure error 20 to 80%
0 to 100%
温度誤差 Temperature error 0 to 85℃
Top
電源レシオ性 Supply voltage error 5V +5%
Vmax
Pop
Vcc
Vout
Icc
Isink
Isource
To p
TstrL
TstrU
Vper1
Vper2
Vter1
Vter2
Vver
16.5V
100, 200, 300kPa
5V +0.25
0.5 to 4.5V
10mA max.
1mA
0.1mA
-40 to 125℃
-40℃
135℃
1.5%FS max.
2.0%FS max.
1.5%FS max.
2.0%FS max.
1%FS max.
0.50
0.20
10
Reserved for diagnositics
120
Reserved for diagnositics
4.80
4.50
Output［V］
Pressure［kPa］
http://store.iiic.cc/
42
外形図/Dimensions
mm
Lead-1 Lead-2
Lead-3
Lead-6
Lead-4
Lead-7
< リードタイプLeadtype>
http://store.iiic.cc/
43
外形図/Dimensions
mm
SOP-8
SC SD
K-pack(L)/I-pack: Power MOSFET
K-pack(P)/I-pack: Diode
K-pack(S)/D-pack K-pack(S)-C2/D-pack
K-pack(L)-C2/I-pack
< ディスクリートデバイスDiscretedevices>
http://store.iiic.cc/
44
外形図/Dimensions
mm
T-pack(S) T-pack(L): Power MOSFET
T-pack(P): Diode
TFPT-pack(SJ)/D2-pack
9.5 +0.3
−0.5
http://store.iiic.cc/
45
外形図/Dimensions
mm
TO-220AB
TO-220F
TO-247
TO-247-K1
http://store.iiic.cc/
46
外形図/Dimensions
mm
TO-3P
SIP-23(F219)
TO-3PL TO-3PF
③②①
5.45
Connection
1. Base
2. Collector
3. Emitter
±0.2
3±0.2
19.5±0.2
14.5±0.2
5±0.1
1.5
2.2 ±0.1 1.6 ±0.1
1.6 ±0.1
10 ±0.2
13
15.5 Max.
15.1
±0.2
ȭ3.2±0.1
±0.2
5.45
1.1
±0.2
+0.2
−0.1 +0.3
−0.1
ȭ7.2±0.2
1.5
0.5+0.2
0
4.5
±0.2
1.5
TO-3P(Q)
http://store.iiic.cc/
47
外形図/Dimensions
mm
M138
M127
M151 M152
< パワーデバイスPowerdevices>
130
±1
114
61.5
18
29.5
6- ø7
M4
M8
38
28 10
±0.5
40
45.2124
140
20
±1
40
20
15
20
48.8
10.55 10.35
40
20
15
20
8-
ø
7
M8
124
45.2
40
20
140±1
±0.5
20.25
41.25
79.4
171
190
13
61.561.5
57
38
28 10
29.5
M4
http://store.iiic.cc/
48
外形図/Dimensions
mm
M232 M233
M234 M235
M238 M244
http://store.iiic.cc/
49
外形図/Dimensions
mm
M249
M256
M247
M250
M623
M254
130
±1
114
55.2 29.5
6- ø7
5753
4040
M8
M4
38
28 10 30
124
140
15
±0.5
±1
20
5
3511.5
14 20
16 18
150
±1
±0.3
±0.3
137
110
±0.3
94.5
4- ø5.5
6223
50
17
22
±0.3
±0.3
±1
6.5
±0.5
±1
150
137
110
4- ø5.5 4-M5
6220.5
57.517
PN
226.5
±0.3
94.5
http://store.iiic.cc/
50
外形図/Dimensions
mm
M629
M633 M634
M626
M632
http://store.iiic.cc/
51
外形図/Dimensions
mm
M711 M712
M713 M714
M636M635
http://store.iiic.cc/
52
外形図/Dimensions
mm
P610 P611
P612 P617
P621
P619
http://store.iiic.cc/
53
外形図/Dimensions
mm
P622 P625
4-ø4.5
100.5
±1
88.5
±0.5
70
±1
58.5
±0.5
18
±0.5
12.4
±0.5
http://store.iiic.cc/
54
種 類 パッケージ 型 式 最小注文単位
Description Package Type number Min. quantity per order
ショットキーバリアダイオード
φ2.5×3ℓ
ERA82-□□□, ERA83-□□□, ERA85-□□□ 1,000
ﾘｰﾄﾞﾀｲﾌﾟ φ3×5ℓ ERA81-□□□, ERA84-□□□, ERB83-□□□ 500
Schottky-barrier diodes φ4×7.5ℓ ERB81-□□□, ERB84-□□□ 500
Axial lead types φ6.4×7.5ℓ ERC81-□□□, ERC84-□□□ 200
低損失超高速
ダイオード
φ2.5×3ℓ ERA91-□□, ERA92-□□ 1,000
ﾘｰﾄﾞﾀｲﾌﾟ φ3×5ℓ CB903-□□, ERB91-□□ 500
Low-loss fast recovery φ4×7.5ℓ ERB93-□□ 500
diodes φ6.4×7.5ℓ ERC91-□□ 200
Axial lead types
ダイオード TO-220AB 全型式 All types 100
パワーMOSFET TO-220F 100
TFP 1,500
TO-247 100
Diodes TO-3P, TO-3P (Q) 100
Power MOSFETs TO-3PF 100
TO-3PL 50
K-pack（s), T-pack（s）
1,000
K-pack（L, P） 100
T-pack（L, P） 100
D2-pack
800
SD 3,000
SC 1,500
集積回路 ICs 全型式 All types 2,000
・ご 注 文 は 最 小 注 文 単 位 以 上 、かつその整数倍にてお願いいたします。
・下記一覧表は単品（テーピング品を除く）に適用します。
・テ ーピ ン グ品 に つ いて は 、仕様により異なりますのでお問い合わせ下さい。
・
Product supplied as per minimum quantity or in multiples of minimum
quantity.
・This table applies to untaped products.
・For taping specifi cations, contact FUJI.
注文単位/Order Quantity
http://store.iiic.cc/
55
型式索引 /Type Number Index
Page Page Page Page
2SK3580-01MR 5
2SK3581-01L, S 6
2SK3586-01 4
2SK3587-01MR 4
2SK3588-01L, S, SJ
4
2SK3589-01 4
2SK3590-01 4
2SK3591-01MR 4
2SK3592-01L, S, SJ
4
2SK3593-01 4
2SK3594-01 4
2SK3595-01MR 4
2SK3596-01L, S, SJ
4
2SK3597-01 4
2SK3598-01 4
2SK3599-01MR 4
2SK3600-01L, S, SJ
4
2SK3601-01 4
2SK3602-01 4
2SK3603-01MR 4
2SK3604-01L, S, SJ
4
2SK3605-01 4
2SK3606-01 4
2SK3607-01MR 4
2SK3608-01L, S, SJ
4
2SK3609-01 4
2SK3610-01 5
2SK3611-01MR 5
2SK3612-01L, S 5
2SK3613-01 5
2SK3644-01 4
2SK3645-01MR 4
2SK3646-01L, S, SJ
4
2SK3647-01 4
2SK3648-01 4
2SK3649-01MR 4
2SK3650-01L, S, SJ
4
2SK3651-01R 5
2SK3673-01MR 7
2SK3674-01L, S 8
2SK3675-01 8
2SK3676-01L, S 8
2SK3677-01MR 7
2SK3678-01 8
2SK3679-01MR 8
2SK3680-01 6
2SK3681-01 7
2SK3682-01 6
2SK3683-01MR 6
2SK3684-01L, S 6
2SK3685-01 6
2SK3686-01 7
2SK3687-01MR 7
2SK3688-01L, S 7
2SK3689-01 7
2SK3690-01 7
2SK3691-01MR 7
2SK3692-01 5
2SK3693-01MR 5
2SK3694-01L, S, SJ
5
2SK3695-01 8
2SK3696-01MR 8
2SK3697-01 8
2SK3698-01 8
2SK3699-01MR 8
2SK3725-01 5
2SK3726-01MR 5
2SK3727-01 8
2SK3728-01MR 8
2SK3753-01R 7
2SK3769-01MR 4
2SK3770-01MR 4
2SK3771-01MR 4
2SK3772-01 5
2SK3773-01MR 5
2SK3774-01L, S, SJ
5
2SK3775-01 5
2SK3776-01 5
2SK3777-01R 5
2SK3778-01 5
2SK3779-01R 5
2SK3780-01 4
2SK3781-01R 4
2SK3788-01 4
2SK3789-01R 4
2SK3870-01 5
2SK3871-01MR 5
2SK3872-01L, S, SJ
5
2SK3873-01 5
2SK3874-01R 5
2SK3875-01 8
2SK3876-01R 8
2SK3882-01 4
2SK3883-01 4
2SK3884-01 5
2SK3885-01 5
2SK3886-01MR 4
2SK3887-01 7
2SK3888-01MR 7
2SK3889-01L, S, SJ
7
2SK3891-01R 7
2SK3913-01MR 8
2SK3914-01 5
2SK3915-01MR 5
2SK3916-01 5
2SK3917-01MR 5
2SK3920-01 4
2SK3921-01L, S, SJ
4
2SK3922-01 4
2SK3923-01 8
2SK3924-01L, S 8
2SK3925-01 8
2SK3926-01MR 8
2SK3927-01L, S 8
2SK3928-01 8
2SK3929-01MR 8
2SK3930-01L, S 8
2SK3931-01 6
2SK3932-01MR 6
2SK3933-01L, S, SJ
6
2SK3974-01L 6
2SK3974-01S 6
2SK3981-01 8
2SK3982-01MR 8
2SK3983-01L, S, SJ
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7MBR20SC060 20
7MBR25SA120 20
7MBR25SA140 20
7MBR25SC120 20
7MBR25UA120 17
7MBR30SA060 20
7MBR30SC060 20
7MBR30U2A060 17
7MBR35SB120 20
7MBR35SB140 20
7MBR35SD120 20
7MBR35UA120 17
7MBR35UB120 17
7MBR50SA060 20
7MBR50SB060 20
7MBR50SB120 20
7MBR50SB140 20
7MBR50SC060 20
7MBR50SD120 20
7MBR50U2A060 17
7MBR50UA120 17
7MBR50UB120 17
7MBR75SB060 20
7MBR75SD060 20
7MBR75U2B060 17
7MBR75U4B120 17
CB803-03 22
CB863-12 22
CB863-15 22
CB863-20 22
ERA81-004 22
ERA82-004 22
ERA83-004 22
ERA83-006 22
ERA84-009 22
ERA85-009 22
ERA91-02 28
ERA92-02 28
ERB81-004 22
ERB83-004 22
ERB83-006 22
ERB84-009 22
ERB91-02 28
ERB93-02 28
ERC80-004R 30
ERC81-004 22
ERC81-006 22
ERC81S-004 22
ERC84-009 22
ERC91-02 28
ERW01-060 14
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57
型式索引 /Type Number Index
PagePagePagePagePagePage
PH967C6 26
PH975C6 26
SC802-04 22
SC802-06 22
SC802-09 22
SC902-2 28
SD832-03 22
SD832-04 22
SD833-03 22
SD833-04 22
SD833-06 22
SD833-09 22
SD834-03 22
SD834-04 22
SD862-04 22
SD863-04 22
SD863-06 22
SD863-10 22
SD882-02 22
SD883-02 22
SD883-04 22
TP802C04R 30
TP802C04RF192 30
TP862C12R 25
TP862C15R 25
TP865C12R 25
TP865C15R 25
TP901C2RF192 30
TP902C2R 30
TP902C2RHD 30
TP902C3RHD 30
TP906C2RHD 30
TS802C04R 30
TS802C09R 30
TS805C04R 30
TS808C06R 30
TS862C04R 24
TS862C06R 24
TS862C08R 24
TS862C10R 25
TS862C12R 25
TS862C15R 25
TS865C04R 24
TS865C06R 24
TS865C08R 24
TS865C10R 25
TS865C12R 25
TS865C15R 25
TS868C04R 24
TS868C06R 24
TS868C08R 24
TS868C10R 25
TS868C12R 25
TS868C15R 25
TS902C2R 30
TS902C3R 30
TS906C2R 30
TS965C6R 26
TS967C6R 26
TS982C3R 29
TS982C4R 29
TS982C6R 27
TS985C3R 29
TS985C4R 29
TS985C6R 27
YA862C04R 24
YA862C06R 24
YA862C08R 24
YA862C10 R 2 5
YA862C12R 2 5
YA862C15 R 2 5
YA865C04R 24
YA865C06R 24
YA865C08R 24
YA865C10 R 2 5
YA865C12R 2 5
YA865C15 R 2 5
YA868C04R 24
YA868C06R 24
YA868C08R 24
YA868C10 R 2 5
YA868C12R 2 5
YA868C15 R 2 5
YA869C04R 24
YA869C06R 24
YA869C08R 24
YA869C10R 2 5
YA961S 6R 2 6
YA962S6R 26
YA963S6R 26
YA971S 6R 2 6
YA972S6R 26
YA975C6R 26
YA981S 6R 2 7
YA982C3R 29
YA982C4R 29
YA982C6R 27
YA982S6R 27
YA985C3R 29
YA985C4R 29
YA985C6R 27
YG801C04R 23
YG801C06R 23
YG801C09R 23
YG801C10R 23
YG802C03R 23
YG802C04R 23
YG802C06R 23
YG802C09R 23
YG802C10R 23
YG803C04R 23
YG803C06R 23
YG805C04R 23
YG805C06R 23
YG805C10R 23
YG808C10R 23
YG811S04R 23
YG811S06R 23
YG811S09R 23
YG812S04R 23
YG831C03R 23
YG831C04R 23
YG832C03R 23
YG832C04R 23
YG835C03R 23
YG835C04R 23
YG838C03R 23
YG838C04R 23
YG861S12R 24
YG861S15R 24
YG862C04R 24
YG862C06R 24
YG862C08R 24
YG862C10R 25
YG862C12R 25
YG862C15R 25
YG865C04R 24
YG865C06R 24
YG865C08R 24
YG865C10R 25
YG865C12R 25
YG865C15R 25
YG868C04R 24
YG868C06R 24
YG868C08R 24
YG868C10R 25
YG868C12R 25
YG868C15R 25
YG869C04R 24
YG869C06R 24
YG869C08R 24
YG869C10R 25
YG881C02R 23
YG882C02R 23
YG885C02R 23
YG901C2R 28
YG901C3R 28
YG902C2R 28
YG902C3R 28
YG906C2R 28
YG911S2R 28
YG911S3R 28
YG912S2R 28
YG912S6R 28
YG912S6RR 30
YG961S6R 26
YG962S6R 26
YG963S6R 26
YG965C6R 26
YG967C6R 26
YG971S6R 26
YG971S8R 26
YG972S6R 26
YG975C6R 26
YG981S6R 27
YG982C3R 29
YG982C4R 29
YG982C6R 27
YG982S6R 27
YG985C3R 29
YG985C4R 29
YG985C6R 27
58
・下記記載の機種は保守品移行機種です。
・新規設計には使用されないようお願いいたします。
機種
Description
形式
Typenumber
機種
Description
形式
Typenumber
機種
Description
形式
Typenumber
サージ保護素子
SurgeAbsorbers
ENC220D- ＊＊ Bパワー MOSFET
PowerMOSFET
2SK2638-01MR パワーデバイス
PowerDevices
1MBI150NH-060
ENC270D- ＊＊ B 2SK2639-01 1MBI150NK-060
ENC330D- ＊＊ B 2SK2640-01MR 1MBI200N-120
ENC390D- ＊＊ B 2SK2641-01 1MBI200NH-060
ENC470D- ＊＊ B 2SK2642-01MR 1MBI200NK-060
ENC560D- ＊＊ B 2SK2643-01 1MBI300N-120
ENC680D- ＊＊ B 2SK2644-01 1MBI300NN-120
ENC201D-10AG 2SK2645-01MR 1MBI300NP-120
ENE820D- ＊＊ A 2SK2646-01 1MBI400N-120
ENE101D- ＊＊ A 2SK2647-01MR 1MBI400NN-120
ENE121D- ＊＊ A 2SK2648-01 1MBI400NP-120
ENE151D- ＊＊ A 2SK2649-01R 1MBI600NN-060
ENE201D- ＊＊ A 2SK2651-01MR 1MBI600NP-060
ENE221D- ＊＊ A 2SK2652-01 2MBI100N-060
ENE241D- ＊＊ A 2SK2653-01R 2MBI100N-120
ENE271D- ＊＊ A 2SK2654-01 2MBI100NB-120
ENE361D- ＊＊ A 2SK2655-01R 2MBI100NC-120
ENE391D- ＊＊ A 2SK2754-01L, S 2MBI150N-060
ENE431D- ＊＊ A 2SK2755-01 2MBI150N-120
ENE471D- ＊＊ A 2SK2756-01R 2MBI150NB-120
ENE621D- ＊＊ A 2SK2757-01 2MBI150NC-060
ENE681D- ＊＊ A 2SK2758-01L, S 2MBI150NC-120
ENE751D- ＊＊ A 2SK2759-01R 2MBI200N-060
ENE781D- ＊＊ A 2SK2760-01R
2MBI200N-
060-03
ENE821D- ＊＊ A 2SK2761-01MR 2MBI200N-120
ENE911D- ＊＊ A 2SK2762-01L, S 2MBI200NB-120
ENE102D- ＊＊ A 2SK2763-01
2MBI200NB-
120-01
ENE112D- ＊＊ A 2SK2764-01R 2MBI300N-060
ENE182D- ＊＊ A 2SK2765-01
2MBI300N
-060-04
ENE201D-10AD 2SK2766-01R 2MBI300N-120
ENE221D-10AD 2SK2767-01
2MBI300N-120-01
ENE241D-10AD 2SK2768-01L, S 2MBI300NB-060
ENE271D-10AD 2SK2769-01MR
2MBI300NB-060-01
ENE361D-10AD 2SK2770-01 2MBI400N-060
ENE391D-10AD 2SK2827-01
2MBI400N
-060-01
ENE431D-10AD 2SK2834-01 2MBI50N-060
ENE471D-10AD 2SK2850-01 2MBI50N-120
ENF221D ＊＊ A 2SK2870-01L, S 2MBI600NT-060
ENF241D ＊＊ A 2SK2871-01 2MBI75N-060
ENF271D ＊＊ A 2SK2872-01MR 2MBI75N-120
ENF471D ＊＊ A 2SK2873-01 6MBI50S-060
ENF511D ＊＊ A 2SK2874-01L, S 7MBR10UF120
ENF621D ＊＊ A 2SK2875-01 7MBR15UF060
ENF681D ＊＊ A 2SK2876-01MR 7MBR15UF120
ENB881S-32A 2SK2877-01 7MBR20UF060
ENB152S-32A 2SK2879-01 7MBR30UF060
EXB840 2SK2908-01L, S
EXB841 2SK3102-01R
2SK3264-01MR
2SK3337-01
FA7728F 2SK3338-01
2SK3339-01
2SK3340-01
2SK3341-01
FMW07N100
FMW23N40
F5016H DC211C4
F5017H DC511C1
F5021H DC511C2
F5038H DC511C3
・Models listed below are for maintenance products only.
・Do not use them for new designing
保守移行機種 /For maintenance products only
＊＊： エレメント寸 法（ 0 5 ，0 7 ，10 ，14 ，2 0 ）＊＊： Element size（05，
07，
10，
14，
20）
IPS
（インテリジェントパワースイッチ）
IPS
(
Intelligent Power switch
)
ハイブリッド IC
Power Hybrid ICs
IGBT ドライブ用
ハイブリッド IC
Hybrid ICs for
IGBT Drive
集積回路
IntegratedCircuits
59
廃型製品/Discontinued Products
メサ構造ダイオードおよび上部電極はんだ付け TO パッケージ品廃型のお知らせ 
当社半導体製品のうち製造設備の存続、保守等の環境整備が不可能なため、安定的な生産の
維持および充分な信頼性確保が困難になっている製品につきまして、下記スケジュールをもっ
て生産中止にさせていただきたくお願い申し上げます。
甚だ勝手ではございますが、事情をご賢察いただき、何卒ご理解とご容赦いただきますよう
お願い申し上げます。
廃型・生産中止対象品と実施時期
対象機種 最終ご注文受付月日 最終生産終了月日 最終出荷月日
メサタイプ/高耐圧ダンパーダイオード 2007年3月30日 2007年9月28日 2008年3月29日
メサタイプ/小容量ダイオード 2007年3月30日 2008年3月29日 2008年9月30日
メサタイプ/Ｔ-スタック 2007年3月30日 2008年3月29日 2008年9月30日
スタッドタイプ整流ダイオード 2007年3月30日 2008年3月29日 2008年9月30日
ダイオードモジュール 2007年3月30日 2008年3月29日 2008年9月30日
一部SBD/LLD/上部電極はんだ付け
ＴOパッケージ 2007年3月30日 2008年3月29日 2008年9月30日
一部高圧整流ダイオード 2006年12月28日 2007年3月30日 2007年3月30日
最終ご注文受付終了
なお、ご不明な点は弊社営業窓口までお問い合わせください。
Notice of Scheduled Discontinuation of Products
Since we are unable to ensure the continued production and maintenance of some
manufacturing equipment for our semiconductor products, the products for which stable
production and suffi cient reliability are expected to become diffi cult will be discontinued as
described in the following schedule.
We apologize for any inconvenience that this might cause you, and ask for your understanding
and continued cooperation.
Discontinued products and schedule
Discontinued products Final ordering
date
Final production
date
Final shipment
date
Damper diodes Mar. 30, 2007 Sep. 28, 2007 Mar. 29, 2008
General purpose diodes Mar. 30, 2007 Mar. 29, 2008 Sep. 30, 2008
Fast recovery diodes Mar. 30, 2007 Mar. 29, 2008 Sep. 30, 2008
Stud type rectifi er diodes Mar. 30, 2007 Mar. 29, 2008 Sep. 30, 2008
Module type rectifi er diodes Mar. 30, 2007 Mar. 29, 2008 Sep. 30, 2008
Some types of Schottky-barrier diodes
(SBD) and low-loss fast recovery
diodes (LLD), TO package
Mar. 30, 2007 Mar. 29, 2008 Sep. 30, 2008
Some types of high voltage diodes Dec. 28, 2006 Mar. 30, 2007 Mar. 30, 2007
The fi nal order is
completed
If you have any questions, please contact our Sales Department.
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60
廃型製品/Discontinued Products
廃型対象整流ダイオードの分類
■廃型対象品
1.メサ構造のダイオード
・リードタイプダイオード
・スタッドタイプダイオード
・上部電極はんだ付け TO- パッケージ
・ダイオ−ドモジュール
2.プレーナー構造上部電極はんだ付け TO- パッケージ
3.スタッドタイプダイオード
■チップ構造説明
・メサ型整流ダイオード
図１に示すようなシリコン拡散接合型の P-N 接合の整流特性を基本
とした構造のものをメサ型ダイオードといいます。
■内部構造説明
・上部電極はんだ付け TO- パッケージ
プレーナ整流ダイオードの場合の構造
■外観構造説明
・スタッドタイプ整流ダイオード
金属ケース、下部ネジ止めタイプ
■本カタログ上の廃型機種区分
パワーデバイス（ダイオードモジュール）
●ダイオードモジュール
整流ダイオード
○
ショットキーバリアダイオード
○
低損失超高速ダイオード
●高速整流ダイオード
●一般整流ダイオード
●電力用ダイオード
●電力用高速ダイオード
○
高圧整流ダイオード
●：全機種対象 
○
：一部機種対象
・プレーナ型整流ダイオード
図２に示すように P-N 接合面がシリコン酸化膜などで覆われた構造を
プレーナ型ダイオードといいます。
電極
SiO2
電極
図2
P
N
N+
電極
SiO2
電極
P
N
N+
Cuリード線
はんだ
■パッケージ説明
リードタイプ
（SC タイプを含む）
TO- パッケージ
スタッドタイプ
ダイオードモジュール
保護膜
N+
P
N
図1
電極
電極
http://store.iiic.cc/
61
廃型製品/Discontinued Products
Discontinuation of Diodes
■ Discontinued products
1. Mesa-type rectifi er diodes
・Lead type general purpose diodes and fast recovery diodes
・Stud type rectifi er diodes
・Mesa-type TO package
・Module type rectifi er diodes
2. Some of Schottky-barrier diodes (SBD) and low-loss fast recovery diodes (LLD), TO package
3. Stud type rectifi er diodes
■ Chip structure of mesa-type rectifi er diodes
・General purpose diodes and fast recovery diodes
As shown in Figure 1, a mesa-type diode has a structure with the
rectifi cation property of silicon diffused PN junction type.
■
Internal structure of Schottky-barrier diodes (SBD)
and low-loss fast recovery diodes (LLD), TO package
・Planer-typerectifierdiodes
■ Exterior view of stud type rectifi er diodes
・Metal casing and lower screw type
■ Discontinued product grouping in this catalog
Power Devices (Diode Modules)
●Diode modules
Rectifi er Diodes
○
Schottky-barrier diodes
○
Low-loss fast recovery diodes (LLD)
●Fast recovery diodes (FRD)
●General purpose diodes
●Power diodes
●Fast recovery power diodes
○
High voltage diodes
●：All types 
○
：Some types
・Schottky-barrier diodes (SBD) and low-loss fast recovery
diodes (LLD)
As shown in Figure 2, a planer-type diode has a structure in which the
PN junction surface is covered with silicon oxide fi lm.
■Package types
Lead types
(Includes SC types)
TO packages
Stud types
Diode modules
Terminals
SiO2
Terminals
Fig. 2
P
N
N+
Terminals
SiO2
Terminals
P+
N
N+
Cu lead wire
Soldering
Protective
covering
N+
P
N
Fig. 1
Terminals
Terminals
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62
廃型製品/Discontinued Products
廃止基本型式一覧表   Discontinued Types
上部電極はんだ付け
TO-パッケージダイオード
SID01-＊＊, SIE01-＊＊
SIG01-＊＊, ERD51-＊＊
ERE51-＊＊, ERG51-＊＊
ERD24-＊＊, ERE24-＊＊
ERG24-＊＊
ERD74-＊＊, ERE74-＊＊
ERG74-＊＊
ERD75-＊＊, ERE75-＊＊
ERG75-＊＊
ERD27-10, ERG27-10
ERD77-10, ERG77-10
ERG28-12, ERG78-12
ERD81-004,ERE81-004
ERG81-004,ERG81A-004
ERC80-004,ERC62-004
ERD80-004
ESAB82-004,ESAB85-009
ESAC61-004,ESAC63-004
ESAC63-006,ESAC82-004
ESAC82-006,ESAC83-004
ESAC83M-004R,ESAC83M-006R
ESAC85-009,ESAC87-009
ESAC87M-009R,ESAD83-004
ESAD83-006,ESAD83M-004R
ESAD83M-006R,ESAD85-009
ESAD85M-009R,ESAE83-004
ESAE83-006
ERC90-02
ESAB92-02, ESAC92-02
ESAC93-02, ESAC93M-02R
ESAC93M-03R, ESAD92-02
ESAD92-03, ESAD92M-02R
ESAD92M-03R, ESAD95-04
ERA18-＊＊, ERA22-＊＊, ERA32-＊＊, ERA34-10
ERA37-10,ERA38-＊＊,ERB32-＊＊,ERB37-＊＊
ERB38-＊＊,ERB43-＊＊,ERB44-＊＊,ERC18-＊＊
ERC25-＊＊,ERC30-＊＊,ERC38-＊＊,ERC37-10
ERD28-＊＊, ERD29-＊＊, ERD32-＊＊, ERD37-10
ERD38-＊＊
SC201-＊, SC211-＊, SC311-＊, SC321-2
SC371-10A, BA201-＊, CA201-＊, FE201-6
FE301-1
TP801C04,TP801C06,
TP802C04,TP802C06,TP802C09
TP805C04
TS802C04,TS802C06,TS802C09
TS805C04,TS805C06
TS808C04,TS808C06
PA806C03,PA837C04,PA847C04
PA886C02
YA846C04
PA905C4, PA905C6, PG905C4R
TP901C2, TP901C3, TP902C2
TP902C3
TS902C2, TS902C3, TS906C2
YG912S6
メサ型ダイオード
Small capacity diodes
スタッド型ダイオード
(全機種対象）
(全機種対象）
ERA15-＊＊, ERA17-＊＊
ERB12-＊＊, ERC01-＊＊
ERC01-＊＊F, ERC04-＊＊
ERC04-＊＊F, ERC05-＊＊
ERC12-＊＊, ERC13-＊＊
ERD03-＊＊
SC016-＊, SC017-＊
ダイオードモジュール
2RI＊＊＊E-060, 2RI＊＊＊E-080
6RI＊＊＊E-060, 6RI＊＊＊E-080
6RI50E-080M5, 6RI100E-080B
6RI＊＊＊G-120, 6RI＊＊＊G-120B
6RI＊＊＊G-160, 6RI＊＊＊G-160B
6RI＊＊＊P-080, 6RI＊＊＊P-160
6R1MBI＊＊＊P-080, 6R1MBI＊＊＊P-160
＊＊部分は耐圧、電流値を表します。 [ ＊＊＊： VRRM or Io ]
ERC20-＊＊
ESAC25-＊＊C, N, D
ESAC33-02C, N, D
ESAC39-＊＊C, N, D
ESAD25-＊＊C, N, D
ESAD25M-＊＊C, N, D
ESAD33-02C, N, D
ESAD39-＊＊C, N, D
ESAD39M-＊＊C, N, D
YG225C＊, N＊, D＊
YG226S＊
YG233C2, N2, D2
YG339C＊, N＊, D＊
1F60A-120F, 1F60A-120R
1FI＊＊＊B-060, 2FI300A-060
2FI＊＊＊A-030C, N, D, 2FI＊＊＊A-060C, N, D
2FI＊＊＊F-030C, N, D, 2FI＊＊＊F-060C, N, D
2FI＊＊＊G-100C, N, D
ESAL01-＊＊C, N, D
As of June 2006
高速整流ダイオード
（全機種対象）
一般整流ダイオード
（全機種対象）
高速整流ダイオード
（全機種対象）
低損失超高速整流ダイオード
（上部電極はんだ付けタイプのみ）
ショットキーバリアダイオード
（上部電極はんだ付けタイプのみ）
ショットキーバリアダイオード
高速整流ダイオード 一般整流ダイオード
高速整流ダイオードモジュール 一般整流ダイオードモジュール
高圧整流ダイオード
（一部機種対象）
ESJA08-08A,ESJA08-08B
ESJA18-08
ESJA52-10A, -14A, -16A
ESJA53-＊＊A
ESJA54-08A
ESJA59-14A,ESJA59-16A
ESJA82-12A,ESJA82-14A
ESJA83-16A
ESJA88-08A
継続機種は既存のお客様のみへの
限定供給とさせていただきます。
ERB06-＊＊, ERC06-＊＊, ERD07-＊＊
ERD09-15, ERE41-15, CB112-13
高耐圧ダンパーダイオード
（全機種対象）
ERD08M-15, ERE42M-15
ESCO11M-15, ESCO21M-15, ESCO23M-15
PG123S15, PG124S15, PG127S17
YG121S15, YG123S15
高耐圧ダンパーダイオード
（全機種対象）
Molded package type diodes
(TO-package)
Stud type rectifier diodes
(All types)
Diode modules
(All types)
Fast recovery diodes
(All types)
General purpose diodes
(All types)
High voltage diodes
(Some types)
Damper diodes
(All types)
Damperdiodes
(Alltypes)
Fast recovery diodes
(All types)
Low-loss fast recovery diodes
(Some types of LLD)
Schottky-barrier diodes
(Some types of SBD)
Fast recovery diodes General purpose diodes Schottky-barrier diodes
Fast recovery diode modules General purpose diode modules
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1. このカタログの内容（製品の仕様、特性、データ、材料、構造など）は 2007年 10 月現在のものです。
この内容は製品の仕様変更のため、または他の理由により事前の予告なく変更されることがあります。このカタログに記載されて
いる製品を使用される場合には、その製品の最新版の仕様書を入手して、データを確認してください。
2. 本カタログに記載してある応用例は、富士電機の半導体製品を使用した代表的な応用例を説明するものであり、本カタログによっ
て工業所有権、その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
3. 富士電機デバイステクノロジー（株）は絶えず製品の品質と信頼性の向上に努めています。しかし、半導体製品はある確率で故障す
る可能性があります。
富士電機の半導体製品の故障が、結果として人身事故，火災等による財産に対する損害や、社会的な損害を起こさぬように冗長設
計、延焼防止設計、誤動作防止設計など安全確保のための手段を講じてください。
4. 本カタログに記載している製品は、普通の信頼度が要求される下記のような電子機器や電気機器に使用されることを意図して造ら
れています。
・コンピュータ・OA 機器  ・通信機器（端末）  ・計測機器・工作機械
・オーディオビジュアル機器  ・家庭用電気製品  ・パーソナル機器  ・産業用ロボット など 
5. 本カタログに記載の製品を、下記のような特に高い信頼度を持つ必要がある機器に使用をご予定のお客様は、事前に富士電機デバ
イステクノロジー（株）へ必ず連絡の上、了解を得てください。このカタログの製品をこれらの機器に使用するには、そこに組み込
まれた富士電機の半導体製品が故障しても、機器が誤動作しないように、バックアップ・システムなど、安全維持のための適切な
手段を講じることが必要です。
・輸送機器（車載、舶用など） ・幹線用通信機器 ・交通信号機器
・ガス漏れ検知及び遮断機 ・防災／防犯装置 ・安全確保のための各種装置
6. 極めて高い信頼性を要求される下記のような機器及び戦略物資に該当する機器には、本カタログに記載の製品を使用しないでくだ
さい。
・宇宙機器     ・航空機搭載用機器     ・原子力制御機器     ・海底中継機器     ・医療機器
7. 本カタログの一部または全部の転載複製については、文書による当社の承諾が必要です。
8. このカタログの内容にご不明の点がありましたら、製品を使用する前に富士電機デバイステクノロジー（株）または、その販売店へ
質問してください。
本注意書きの指示に従わないために生じたいかなる損害も富士電機デバイステクノロジー（株）とその販売店は責任を負うものでは
ありません。
ご注意
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1. This Catalog contains the product specifi cations, characteristics, data, materials, and structures as of October 2007.
The contents are subject to change without notice for specifi cation changes or other reasons. When using a product listed in this
Catalog, be sure to obtain the latest specifi cations.
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express or implied, under any patent, copyright, trade secret or other intellectual property right owned by Fuji Electric Device
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products may become faulty. When using Fuji Electric semiconductor products in your equipment, you are requested to take
adequate safety measures to prevent the equipment from causing a physical injury, fi re, or other problem if any of the products
become faulty. It is recommended to make your design fail-safe, fl ame retardant, and free of malfunction.
4. The products introduced in this Catalog are intended for use in the following electronic and electrical equipment which has
normal reliability requirements.
• Computers • OA equipment • Communications equipment (terminal devices) •
Measurement equipment
• Machine tools • Audiovisual equipment • Electrical home appliances • Personal equipment • Industrial robots etc.
5. If you need to use a product in this Catalog for equipment requiring higher reliability than normal, such as for the equipment listed
below, it is imperative to contact Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. to obtain prior approval. When using these products for
such equipment, take adequate measures such as a backup system to prevent the equipment from malfunctioning even if a Fuji's
product incorporated in the equipment becomes faulty.
• Transportation equipment (mounted on cars and ships) • Trunk communications equipment
• Traffi c-signal control equipment • Gas leakage detectors with an auto-shut-off feature
• Emergency equipment for responding to disasters and anti-burglary devices • Safety devices
6. Do not use products in this Catalog for the equipment requiring strict reliability such as the following and equivalents to strategic
equipment (without limitation).
• Space equipment • Aeronautic equipment • Nuclear control equipment
• Submarine repeater equipment • Medical equipment
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